• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.6
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• pp.1422-1428
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• 2014

This paper has analyzed threshold voltage roll-off for bottom gate voltages of asymmetric double gate(DG) MOSFET. Since the asymmetric DGMOSFET is four terminal device to be able to separately bias for top and bottom gates, the bottom gate voltage influences on threshold voltage. It is, therefore, investigated how the threshold voltage roll-off known as short channel effects is reduced with bottom gate voltage. In the pursuit of this purpose, off-current model is presented in the subthreshold region, and the threshold voltage roll-off is observed for channel length and thickness with a parameter of bottom gate voltage as threshold voltage is defined by top gate voltage that off-currnt is $10^{-7}A/{\mu}m$ per channel width. As a result to observe the threshold voltage roll-off for bottom gate voltage using this model, we know the bottom gate voltage greatly influences on threshold voltage roll-off voltages, especially in the region of short channel length and thickness.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.10
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• pp.2305-2309
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• 2010

In this paper, the variations of threshold voltage characteristics for ratio of channel length and thickness have been alanyzed for DG(Double Gate)MOSFET having top gate and bottom gate. Since the DGMOSFET has two gates, it has advantages that contollability of gate for current is nearly twice and SCE(Short Channel Effects) shrinks in nano devices. The channel length and thickness in MOSFET determines device size and extensively influences on SCEs. The threshold voltage roll-off, one of the SCEs, is large with decreasing channel length. The threshold voltage roll-off and drain induced barrier lowing have been analyzed with various ratio of channel length and thickness for DGMOSFET in this study.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.765-767
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• 2010

In this paper, the variations of threshold voltage characteristics for ratio of channel length and thickness have been alanyzed for DG(Double Gate)MOSFET having top gate and bottom gate. Since the DGMOSFET has two gates, it has advantages that contollability of gate for current is nearly twice and SCE(Short Channel Effects) shrinks in nano devices. The channel length and thickness in MOSFET determines device size and extensively influences on SCEs. The threshold voltage roll-off, one of the SCEs, is large with decreasing channel length. The threshold voltage roll-off has been analyzed with various ratio of channel length and thickness for DGMOSFET in this study.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.9 no.3
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• pp.267-274
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• 2004

In this paper, a new on-line dead-time compensation method is proposed. The output voltage errors due to the dead-time effect is considered as disturbance voltages. The magnitude of the disturbance voltages is estimated using a time delay control technique and the disturbance voltages are calculated using the estimated values, measured currents, and position information. The calculated disturbance voltages are fed to voltage references in order to compensate the dead-time effect. The proposed method is applied to a PM synchronous motor drive system and implemented in a digital manner using a digital signal processor (DSP) TMS320C31. The experiments are carried out for this system to show the effectiveness of the proposed method and the results show the validity of the proposed method.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.10
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• pp.2267-2272
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• 2012

This study has presented the analysis of subthreshold swings based on scaling theory for double gate MOSFET. To solve the analytical potential distribution of Poisson's equation, we use Gaussian function to charge distribution. The scaling theory has been used to analyze short channel effect such as subthreshold swing degradation. These scaling factors for gate length, oxide thickness and channel thickness has been modified with the general scaling theory to include effects of double gates. We know subthreshold swing degradation is rapidly reduced when scaling factor of gate length is half of general scaling factor, and parameters such as projected range and standard projected deviation have greatly influenced on subthreshold swings.

• 전기의세계
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• v.25 no.5
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• pp.19-24
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• 1976

규전된 전압으로 수요가에 전력을 공급하는 것은 전기기기 및 설비의 효과 및 수명면에서 아주 중요하다. 그러므로 전기사업법 시행규칙 제20조에서 표준전압 100V에 있어서는 101V의 상하를 6V이내로 유지해야 한다고 규정되어 있다. 본 학회에서는 1975년도 조사사업의 일환으로서 서울 시내 주택가를 중심으로 한 전압상황을 조사하였으며 분석 검토한 결과를 보고하는 바이다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.20 no.10
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• pp.82-93
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• 2006

In this paper, filters are designed to reduce transients overvoltage in inverter fed high-voltage large-capacity induction motor drive system. Design issues for a LCR filter at the inverter output terminals to reduce the dv/dt of the inverter output pulse and a RC filter at the induction motor input terminals to match the characteristic impedance between cable and induction motor are examined in detail. These filters are modeled to be suitable to high-voltage large-capacity induction motor. The performance of the filter is evaluated through simulation using EMTP(ElectroMagnetic Transients Program). We presented filters that used high voltage large-capacity induction Motor on the basis of this. Effect of the filter is analyzed for variation of the cable length. Characteristics of filters are analyzed to reduce harmonic in voltage waveform of induction motor input terminal. The switching surge voltage became the major cause to occur the insulation failure by serious voltage stress in the stator winding of induction motor. Filter for to mitigate transients overvoltage presents a required component in drive system of high-voltage large-capacity induction motor. Also, proposed filters are proved through simulation using EMTP.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1505-1506
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• 2006

XLPE 절연 전력케이블의 제조과정에서 발생하는 가교부산물을 제거할 목적으로 14주기노화를 실시한다. 이 과정에서 가교부산물이 제거되는 효과도 있지만 열에 의한 구조적 결함도 생기게 되며, 이들 모두가 뇌충격파괴전압에 영향을 준다. 22.9kV 트리억제형(TR CNCV-W) 케이블에 대하여 14주기노화 전과 후의 파괴전압을 분석하였으며, 전반적으로 노화과정이 파괴전압을 감소시키는 결과를 보였으나 60 $mm^2$ 케이블은 상승효과와 감소효과가 비슷하게 작용하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.50-51
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• 2008

최근 구미 선진국에서 빈발하고 있는 전압붕괴로 인한 대형 정전사고의 확률이 점증하고 있어 전압관리가 전력계통의 주요관심사로 대두되고 있으며, 이러한 문제들에 대한 대비가 시급한 실정이다. 전압 및 무효전력의 계층적 전압제어는 이러한 문제점들을 경감시킬 수 있는 방법의 일환으로 이미 유럽의 선진국에서는 2차적 전압제어, 3차적 전압제어 시스템을 개발하여 운영하고 있는 실정이다. 이에 따라 본 연구에서는 지능형 전압제어시스템을 개발하였으며, RTDS(Real Time Digital Simulator)를 통하여 성능을 검증하는 단계에 와 있다. 본 논문에서는 정적 모의를 통해 지능형 전압제어시스템의 효과를 검증하였고, 제주계통을 대상으로 개발된 지능형 전압제어시스템의 동적 특성을 검증 할 예정이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.839-841
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.