• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제2권10호
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• pp.1253-1260
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• 2001

본 논문에서는 저전압(2V) 동작이 가능하고 각종 외부 환경으로부터 소자 정보 보호에 적용할 수 있는 완전차동 구조의 아날로그 능동소자에 전압조절을 위한 튜닝회로를 추가한 능동소자를 제안하였다. 아날로그 능동소자는 이득특성에 영향을 주는 트랜스컨덕턴스값을 증가시키기 위해 CMOS 상보형 캐스코드 방식을 이용하여 구성되었다. $0.25\mutextrm{m}$ CMOS n-well 공정 파라미터를 이용한 HSPICE 시뮬레이션 결과, 제안된 아날로그 능동소자는 비우성극점의 제거로 안정성이 향상되었으며, 2V 공급전압하에서 42㏈의 이득값과 200MHz의 단위이득주파수 특성을 나타내었다. 소비전력값은 0.32mW를 나타내었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권3호
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• pp.261-268
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• 1993

LIGBT의 전압-전류 특성을 디자인 파라미터와 공정 파라미터를 포함한 SPICE Simulation으로 확인하였다. 중요한 파라미터는 p-body와 n$^{-}$층 그리고 p$^{+}$ 애노드로 구성된 pnp bipolar transistor의 수평전류이득이었다. 이 전류 이득은 Ebers-Moll등식으로 얻었다. LIGBT의 On 저항은 채절 저항(R$_{E}$ )과 인가된 게이트 전압에 종속되는 유효 벌크 저항(R2)으로 구성되며 On 저항의 해석과 모델링은 디바이스의 디자인 조건을 최적화하기 위해서 기하학적 구조와 도핑 프로파일에 따른 물리적 특성으로부터 전개하여 특성해석을 위한 모델링을 실시하여 제시하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.139-140
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• 2016

본 논문은 위상천이 풀브리지 컨버터의 전압 제어기 설계에 있어 게인값의 선정에 따른 위상 이득, 게인 이득을 통해 안정도를 판별하고 게인값에 따른 시스템의 응답특성을 고려하여 최적값을 설계하는데 목표를 두고 있다. MATLAB의 Bode plot을 통해 안정도 및 응답특성을 확인하였고 PSIM 시뮬레이션을 통해 제어가 잘 되는지 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제32권5A호
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• pp.497-502
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• 2007

피드포워드 방식을 이용하여 광대역, 선형 이득 제어 특성을 갖는 SiGe HBT 가변 이득 증폭기를 설계 및 제작하였다. 가변 이득 증폭기는 능동 발룬, 차동형 주 증폭기, 피드포워드 블록, 전압 조절부로 구성 되었으며, 주 증폭기와 피드포워드 블록의 신호가 역위상으로 상쇄되어 광대역의 선형 이득 제어가 가능하도록 각 부분을 최적화 시켰다. 설계된 가변 이득 증폭기는 STMicroelectronics사(社)의 0.35 ${\mu}m$ Si-BiCMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작 및 측정 결과, 피드포워드 방식의 가변 이득 증폭기는 4 GHz($4\;GHZ{\sim}8\;GHz$)의 광대역 특성을 나타내었다. 또한, 제작된 가변 이득 증폭기는 6 GHz에서 9.3 dB의 최대 이득과 0.6 - 2.6 V의 조절 전압 인가시 19.6 dB의 이득 조절 범위 특성을 나타내었으며, 8 GHz에서 -3 dBm의 출력 전력 특성을 각각 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권7호
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• pp.23-29
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• 2011

본 논문에서는 GPS 수신기를 위한 dB-선형 특성이 개선된 가변 이득 증폭기 회로를 제안한다. 제안된 dB-선형 전류 발생기는 dB-선형성 오차가 ${\pm}0.15$dB 이내로 개선되었다. 개선된 dB-선형 전류 발생기를 사용하여 GPS 수신기를 위한 가변 이득 증폭기를 설계였다. GPS 수신기의 IF 주파수는 4MHz를 가정하였고, 선형성 요구조건을 도출하여 만족하기 위해 최소 이득일때 24dBm의 IIP3를 만족하도록 하였다. 가변이득 증폭기는 3단으로 구성되어 있으며 DC-오프셋 제거 루프를 통하여 회로의 오프셋 전압을 보상하였다. 설계된 가변 이득 증폭기의 이득은 -8dB~52dB의 범위를 가지며 이득의 dB-선형성은 ${\pm}0.2$dB 이내를 충족한다. 3-dB 주파수 대역폭은 이득에 따라 35MHz~106MHz를 보인다. 가변 이득 증폭기는 CMOS 0.18${\mu}m$ 공정을 이용하여 설계되었으며 전력은 1.8V 전원 전압에서 3mW를 소비한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.2-12
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• 1967

MOS 전계효과 transistor를 이용하여 직류착동증폭기를 설계하여 A 정도의 극미소직류전류를 측정하는 장치에 관한 연구이다. 등가회로를 이용하여 전압이득과 동상전압변별비를 주는 식을 유도하였으며 유효등가 source 저항을 대단히 높이기 위한 정전류원회로의 실현을 위한 해석을 하였다. 전압이득은 6.6, 상온에서의 drift는 하루에 1.5mv 정도이고 동상전압변별비는 최고 84db 이었다. 이것은 MOS transistor의 대단히 높은 입력저항의 특징을 살려 전잡상등에서 나오는 극미소직류전류의 측정을 간단하게 할 수 있게 하는 것이다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.507-508
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• 2016

본 논문은 LLC 공진형 풀-브릿지 컨버터의 온도에 따른 Q-factor의 변화를 고려한 PFM(Pulse Frequency Modulation) 제어기법에 대해 제안한다. 온도에 따라 L, C의 용량변화로 Q-factor는 변화하고 얻고자 하는 전압이득 값을 스위칭 주파수가 달라지는 제어로 원하는 출력 전압을 얻을 수 있다. 원하는 출력전압을 제어하기 위해서는 온도에 따라 변화하는 Q-factor를 통해 스위칭 주파수를 제어하여 원하는 전압이득 값을 얻는다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.20-21
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• 2013

본 논문에서는 양방향 충전기용 DC/DC 컨버터와 같이 입력전압과 출력전압이 가변하는 제어시스템에서 비시변 시비율 전달함수를 구현하여 제어특성을 개선하고자 한다. 기존제어기 설계에 의해 설계된 이득을 사용하여 제어를 행할 경우 입력전압의 변동에 따라 제어특성이 가변한다. 전압제어기의 각 이득을 시비율의 역수를 취하여 변화함으로서 전체 제어블록에서 시비율 항을 등가적으로 제거할 수 있는 방법이다. 따라서 본 논문에서 제안된 비시변 시비율 전담함수를 양방향 충전기용 DC/DC컨버터에 적용하여 PSIM을 이용한 시뮬레이션과 실험을 통해 타당성과 우수성을 검증하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.43-55
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• 2003

디지털 신호에 의해 이득이 조절되는 CMOS VGA의 구조로는 축퇴된 차동쌍 구조가 많이 사용되고 있다. 이 구조에서 가변 축퇴 저항을 구현하기 위해 기존해 사용되던 방법으로는 MOSFET 스위치와 함께 저항열 구조를 사용하는 방법과 R-2R 사다리 구조를 사용하는 방법이 있다. 그러나 이 방법들을 이용하는 경우에는 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하에 의해 저전압 동작이 어려우며, 높은 이득 설정시 대역폭이 크게 제한되기 때문에 고속의 VGA 구현이 어렵다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하기 위해 축퇴 저항에서의 dc 전압 강하를 제거한 새로운 가변 축퇴 저항을 제안하였다. 제안된 이득조절 방법을 사용하면, 저전압에서 고속의 VGA 구현이 용이해 진다. 기존의 이득조절 방법들의 문제점과 제안된 이득조절 방법의 원리 및 장점 그리고 기존의 방법들과 성능 비교에 대해 자세히 언급하였다. 또한, 제안된 축퇴 저항을 사용하여 VGA 셀을 설계한 결과 -12dB에서 +12dB까지 6dB 단계의 이득 조절 범위에서 3dB 대역폭은 650㎒ 보다 크고, 이득오차는 0.3dB 보다 작으며, 2.5V 전원에서 3.1㎃의 전류소모 특성을 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제5권2호
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• pp.65-69
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• 1998

본 연구는 전하 결합 영양소자에서 감지회로의 특성을 향상시키기 위하여 N형 MOSFET과 Polysilcon 저항에 의한 전압 분배 회로를 가진 감지회로를 설계하였다. 감지회 로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을때가 Polysilicon 저항으 로 설계한 경우보다 감도 특성도 좋은 것으로 나타났다. 이는 전압분배회로를 Polysilicon으 로 설계한 경우보다 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 동작 주파수가 높을수록 전압이득 특성이 우수하기 때문이다. 감지회로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 2mA 정도를 나타내고 polysilcon으로 설계하였을 때 4mAwjd도로 나타났다.