• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.9 no.6
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• pp.553-558
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• 2016

A DC-DC converter for CMOS image sensors in bio-sensor chips is proposed. The DC-DC converter generates a PCP voltage, that is an on voltage of a pixel, and an NCP voltage, that is an off voltage of a pixel. The PCP voltage with a ripple voltage of within 1.33V is obtained from a positive charge pump of VPP (=5V) with a ripple voltage of 45.35 by using a regulator. Also, the NCP voltage with a ripple voltage of 0.05mV is obtained from a negative charge pump of VNN (=-2V) with a ripple voltage of 62.8 by using a regulator.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.4
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• pp.789-794
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• 2017

Subthreshold current model is presented using analytical potential distribution of junctionless cylindrical surrounding-gate (CSG) MOSFET and threshold voltage shift is analyzed by this model. Junctionless CSG MOSFET is significantly outstanding for controllability of gate to carrier flow due to channel surrounded by gate. Poisson's equation is solved using parabolic potential distribution, and subthreshold current model is suggested by center potential distribution derived. Threshold voltage is defined as gate voltage corresponding to subthreshold current of $0.1{\mu}A$, and compared with result of two dimensional simulation. Since results between this model and 2D simulation are good agreement, threshold voltage shift is investigated for channel dimension and doping concentration of junctionless CSG MOSFET. As a result, threshold voltage shift increases for large channel radius and oxide thickness. It is resultingly shown that threshold voltage increases for the large difference of doping concentrations between source/drain and channel.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07e
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• pp.71-73
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• 2000

최근 고 에너지 저장 및 발생장치의 개발은 군사용에서 산업용으로 응용되면서 각종 첨단 설비가 개발되고 있다. 본 논문에서는 전자빔 발생기로 쓰이는 Gyroklystron용 대전력, 고전압, 전류 펄스 전원장치로 입력부, 특고압 발생부, 고압 정류부 및 IGBT 펄스 스위치 구성하고 그 설계 및 개발 자료에 대하여 기술하였다. 대전력 고전압 전류펄스 전원장치를 위한 각 구성 부분의 제어 및 설계 특징은 다음과 같다. 입력부인 IGBT Inverter는 펄스 전원장치의 제어를 위하여 출력 고전압을 Feedbark System에 의해 펄스 설정 전압을 유지하도록 제어하며, 또한 펄스 출력중에 직류 고전압부의 전압강하, 즉 펄스 진압의 Drop이 커지는 것을 방지하기 위하여 Fast Dynamics를 갖도록 Feedback System을 구성하였다. 단상 특고압 승압용 변압기 3대를 직렬접속한 특고압 발생부는 PWM 제어된 전압을 입력받아 특고압으로 승압시키며 고압 펄스성 전압과 매우 높은 dV/dt 전압이 인가되므로 Stray Capacitance가 최소가 되어야 하며 절연파괴로부터 보호될 수 있어야 한다. 고압 정류부는 Inverter와 특고압 변압기에 의하여 전원이 공급되므로 교류전압의 교번 순간에 매우 높은 전압변동률을 가지는 Fast Recovery High Voltage Rectifier로 설계 제작되어졌다. 펄스 스위치인 IGBT 스위치는 Gate Driver에 의해 구동되어 지며 주어진 펄스 사양을 만족시키게 된다. 특히 소자의 전압특성을 고려하여 120KV의 전압 값을 갖도록 설계, 제작하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.6
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• pp.421-430
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• 2003

In the embedded system, EPROM is difficult to replace a mask ROM for the applications using battery, because the low voltage characteristic of an EPROM is inferior to that of a mask ROM. In this paper, the new circuits such as a word line voltage hoosier scheme and a sense amplifier without reference input for an embedded EPROM in MCU are proposed. The circuits can detect bit line voltage a predetermined level, which is caused by the degradation of the battery. We fabricated a MCU embedded 32Kbytes EPROM. The proposed circuits well operated at 1.5V supply voltage and thus the low voltage performance was improved by about 30%.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.05a
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• pp.632-635
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• 2009

본 연구에서는 국내의 전압실태를 파악하고 산업체에 미치는 영향을 분석하기 위하여, 전압측정과 설문조사를 병행하였다. 먼저 전압측정을 위하여 수도권과 비수도권의 중규모 도시를 대상으로 측정지점과 대상선로를 선정하였다. 여기에서는 공장지역을 공급하는 4개의 배전용변전소의 주 변압기(M.Tr)와 5개의 고압선로(D/L)를 선정하여, 주 변압기의 직하전압(송출전압)과 말단의 수용가 단자전압을 5분간 평균치로 설정하여 측정하였다. 한편 설문조사 대전, 충남지역을 대상으로 산업체별로 전화와 설문지를 가지고 방문조사를 수행하여 분석하였다. 본 연구에서는 전압실태의 평가를 엄격하게 하기 위하여, 장거리의 고압선로이거나 부하변동이 심한 최악의 조건을 가지는 고압선로를 대상선로로 선정하였으며, 또한 선로전압조정장치(SVR)가 포함된 선로를 선정하여 고압선로 상에서의 전압조정에 대한 영향도 평가하도록 하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.15 no.4
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• pp.327-334
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• 2010

This paper deals with a single-phase dynamic voltage restorer(DVR) with a quasi Z-source topology. The proposed system based on a single-phase quasi Z-source PWM ac-ac converter which have features such as the input voltage and output voltage are sharing ground, and input current operates in continuous current mode(CCM). For the detection of voltage sag-swell, peak voltage detection method is applied. Also, the circuit principles of the proposed system are described. During the 60% severe voltage sag and 30% voltage swell, the proposed system controls the adding or missing voltage and maintains the rated voltage of sinusoidal waveform at the terminals of the critical loads. Finally, PSIM simulation and experimental results are presented to verify the proposed concept and theoretical analysis.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.10a
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• pp.843-846
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• 2009

경부고속전철의 급전선에 의한 전력유도 대책을 위하여 건설 당시 정보통신부 고시에 의하여 시행되었다. 통신선에 장애를 유발할 수 있는 전자유도 대책을 위해서는 국가 기술기준에 의한 유도전압 한계치가 정해져 있고 현장 대책 상 이 제한치를 초과할 때에 필요한 것이므로 상기 정부 고시의 기술 근거에 의해 유도전압을 계산하여 조치하고 있다. 전기철도시스템에서 지역 구간상의 전력 공급을 위한 일정 거리마다 급전소가 시설되어 있어서 이로부터 전철에 전력이 공급되고 있다. 전철의 유도현상에 의한 유도전압 분포 분석을 위한 전국 구간 유도측정을 수행하여 급전구간에서의 유도전압 특성을 파악하였다. 구간 중심점상에서 낮아지는 전압에 대해 급전소 근접 구간에 이르렀을 때의 전압 상승 특성을 분석하였다. 급전소로부터 귀로되는 전류의 양이 집합됨으로 유도전압이 높아지고 거리가 멀어질수록 전압은 떨어진다. 유도대책을 전압 분석에 있어서와 차폐시설물의 연계 활용 시 이러한 전압의 영향성을 고려할 필요가 있다.

• ETRI Journal
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• v.9 no.1
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• pp.118-124
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• 1987

Short channel n-MOSFET의 드레인-소오스 사이의 breakdown은 단순한 접합 breakdown이 아닌 avalanche-induced breakdown으로 p-MOSFET, long channel n-MOSFET의 breakdown 전압보다 훨씬 작은 값을 갖는다. Short channel n-MOSFET의 breakdown의 특징은 current-controlled 부저항 특성(snapback)이 나타나고, 게이트 전압에 따라 breakdown 전압보다 작은 sustainning 전압이 존재한다. 이와 같은 sustainning 전압은 short channel n-MOSFET의 안정한 동작에 또 하나의 제한 요소가 될 수 있다. 따라서 공정 및 회로 시뮬레이션을 위해, short channel n-MOSFET의 avalanche breakdown 현상에 대한 정확한 분석이 요구된다. Short channel n -MOSFET의 avalanche breakdown 현상을 분석하기 위해서Parasitic bipolar transistor를 도입한 분석적 모델을 이용하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.5 no.1
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• pp.46-53
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• 2000

본 논문에서는 전원전압 센서 없는 단상 PWM 컨버터의 전류제어방법을 제안한다. 제안된 방법에서 전원전압은 슬라이딩 모드 관측기에 의해 추정되며 추정된 전원전압을 이용하여 컨버터의 입력 역률을 '1'로 하고 일정한 DC링크전압을 얻을 수 있다. 제안된 방법의 특징은 전원전압의 크기와 위상의 추정이 실제전류와 추정전류의 전류오차에 의해서 얻어질 수 있다. 제안된 방법은 DSP를 이용하여 구현하고, 실험결과는 제안된 방법의 정당성을 입증한다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.2
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• pp.65-69
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• 1998

본 연구는 전하 결합 영양소자에서 감지회로의 특성을 향상시키기 위하여 N형 MOSFET과 Polysilcon 저항에 의한 전압 분배 회로를 가진 감지회로를 설계하였다. 감지회 로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을때가 Polysilicon 저항으 로 설계한 경우보다 감도 특성도 좋은 것으로 나타났다. 이는 전압분배회로를 Polysilicon으 로 설계한 경우보다 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 동작 주파수가 높을수록 전압이득 특성이 우수하기 때문이다. 감지회로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 2mA 정도를 나타내고 polysilcon으로 설계하였을 때 4mAwjd도로 나타났다.