Park, Chan-Hyeong;Hong, Sung-Min;Min, Hong-Shick;Park, Young-June
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.9
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pp.8-13
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2008
Noise in homogeneous extrinsic semiconductor samples is calculated due to distributed diffusion noise sources. As the length of the device shrinks at a fixed bias voltage, the ac-wise short-circuit noise current shows excess noise as well as thermal noise spectra. This excess noise behaves like a full shot noise when the channel length becomes very small compared with the extrinsic Debye length. For the first time, the analytic formula of the excess noise in extrinsic semiconductors from velocity-fluctuation noise sources is given for finite frequencies. This formula shows the interplay between transit time, dielectric relaxation time, and velocity relaxation time in determining the terminal noise current as well as the carrier density fluctuation. As frequency increases, the power spectral density of the excess noise rolls off. This formula sheds light on noise in nanoscale MOSFETs where quasi-ballistic transport plays an important role in carrier transport and noise.
A dual-porosity filmed agglomerate model for the porous cathode of the molten carbonate fuel has been investigated to predict the cell performance. A phenomenological treatment of molecular, kinetic and electrode parameters has been given. The major physical and chemical phenomena being modeled include mass transfer, ohmic losses and reaction kinetics at the electrode- electrolyte interface. The model predicts steady-state cell performance, given the above conditions that characterize the state of the electrode. Quasi-linearization and finite difference techniques are used to solve the coupled nonlinear differential equations. Also, the effective surface area of electrode pore was obtained by mercury porosimeter. The results of the investigation are presented in the form of plots of overpotential vs. current density with varied the electrode material, gas composition and mechanism. The predicted polarization curves are compared with the empirical data from 1 c$m^2$ cell. A fair correspondence is observed.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.22
no.4
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pp.92-100
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1985
New N+N/P HLE solar cells with N+ surface charge accumulated layer in the emitter region are fabricated on the N/P Si epiwafer by incorporating high fixed positive charge density (Qss) at the Si-AR layer interface. Solar cells are classified into two categories, i.e, OCI and NCI Cell depending on AR layer, SiOl and Si3 N4/sioxynitride layer respectively. The distribution of Qss in the Si-AR layer interface is examined by C-V plot. It shows that the surface charge accumulated layer is formed more effectively in the NCI cell (Qss=1.79-1.84$\times$1012cm-2) than in the OCI cell (Qss=3.03~4.40$\times$1011 cm-2). The efficiency characteristics are evaluated under the JCR halogen lamp of 100 mw/cm2. The average (maximum) conversion efficiency for active area is 15.18 (15.46)% in the OCI cell and 16.31 (17.07)% in the NCI cell.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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v.36T
no.4
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pp.103-109
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1999
In this paper, we proposed to a new structure of T-shaped fed microstrip slot antenna using 2-layers dielectric material with a directional radiation characteristic. When the slot antenna of bi-directional radiation want to radiate only one direction, the reflector must be set up, but this antenna does'nt need set up reflector. T-shaped microstrip feed line is proposed for a better impedance matching to the microstrip slot antenna in a various range of slot widths. It was also found that the bandwidth of this antenna is proportional to the slot width. It was also found that the radiation resistance of this feed line structure is quite constant and low regardless to the slot width. We also analyzed this antenna by using the FDTD method, and calculating waves and electric field distribution in the time domain. we also are calculated return loss, VSWR, and radiation pattern in the frequency domain by Fourier transforming the time domain results, respectively. From the measured results, bandwidth was 34.8% in the center frequency. These results were in relatively good accordance with the calculated values.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.39
no.8
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pp.669-675
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2015
In this study, we investigate the performance variations of an automotive turbocharger compressor with respect to the height variation of the recirculating casing treatment (RCT). We use three RCT heights, namely 1.2 mm, 1.5 mm, and 1.8 mm. We vary the compressor speed from 90,000 to 150,000 rpm, and the flow rate from 0.015 kg/s to 0.08 kg/s. The calculation results of the total pressure ratio and isentropic efficiency showed good agreement with the performance data provided by the manufacturer within a 0.7 percent error. The results showed that the RCT heights of 1.2 mm, 1.8 mm, and 1.5 mm, in that order, exhibited a more uniform pressure distribution, higher pressure ratio, and wider operational range. As the number of revolutions per minute increased, we obtained typical characteristics of a compressor map having a narrower operational range in the region of higher pressure ratio.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.35
no.4
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pp.385-390
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2011
In this study, we developed a micromixer based on the non-equilibrium electrokinetics at the junction of a microchannel and nanochannel. Two fluid streams were mixed by an electro-osmotic flow and a vortex flow created as a result of the non-equilibrium electrokinetics at the junction of the microchannel and nanochannel. Initially, the microchannel was fabricated using Polydimethylsiloxane (PDMS) by the general soft lithography process and the nanochannel was created at a specific position on the microchannel by applying a high voltage. To evaluate the mixing performance of the micromixer, fluorescent distribution was analyzed by using the fluorescent dye, Rhodamine B. About 90% mixing was achieved with this novel micromixer, and this micromixer can be used in microsystems for biochemical sample analysis.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.1
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pp.1-11
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2002
In this paper, new simple method for the calculation of depletion region under complex geometry and general purpose numerical simulator that could handle this were developed and applied in the analysis of SCM with nanoscale tip, which is a promising tool for high resolution dopant profiling. Our simple depletion region seeking algorithm alternatively switches material of elements to align ionized element boundary with contour of zero potential. To prove the validity of our method we examined whether our results satisfy the definition of depletion region and compared those with known values of un junction and MOS structure. By modeling of capacitance based on the shape of depletion region and potential distribution, we could calculate the CV curve and dC/dV curve between silicon substrate and nanoscale SCM tip.
An electrical railway system uses high voltage system for train traction and low voltage system for train control. Railway systems are broadly distributed across mountains, sea sides and cities. Electrical accidents provoke the death and injury of a human being and the damage of the equipment by the overcurrent due to the catenary dropping and by the overvoltage due to lightning. Grounding systems are adopted for the protections of the system from the overcurrent and the overvoltage. Isolation grounding for each system can be easily installed. However, the closed circuits between grounding systems can be occurred. The currents flow through the closed circuits cause the abnormal operation of the system. To overcome the problem of the isolation grounding, the equipotential bonding is usually adopted. The equipotential bonding should have very small grounding resistance. In this paper, we showed the transition from the isolation grounding system to the common grounding system and presented the comparison and the analysis of two grounding systems by simulation. In addition, we proposed the direction for a new grounding system of electric railway.
A methanol reformer was designed and fabricated using a CuO-ZnO low temperature shift catalyst, and its operation characteristics have been studied for the phosphoric acid fuel cell (PAFC) power generation system. The type of reactor was annular Methanol was consumed both for heating and for reforming fuel. Contents of carbon monoxide produced from the reformer increased as the reaction temperatures increased, but decreased as the mole ratios of water to methanol(H$_2$O/CH$_3$OH) increased. At steady state operating conditional, temperature profile of the catalytic reactor of the reformer was well coincide with the model equation, and it took 50 minutes from start to the rated condition of the reformer. When the system was operated at 4/4 and 1/4 of load, thermal efficiencies of the system were 72.3% and 77%, respectively. When the PAFC system was operated with reformed gas in the range of 62 V-37.6 V and 0-147 A, the trend of I-V curve showed a typical fuel tell characteristic. At steady state condition, the flow rates of reforming and combustion methanol were 88.1 mol/h and 50.1 mol/h, respectively.
최근 컨테이너 선박의 초대형화로 극후물 고장력 강재인 항복응력 460MPa급 고장력강인 EH47이 개발되었다. 두께 80mm의 극후물 용접에서 용접생산성 향상을 위하여 EGW/FCAW로 양면 용접이 검토되고, 입열량은 최대 300kJ/cm의 대입열 용접이 요구된다. 이를 위해서는 강재 및 용접재료 모두 300kJ/cm 용접부 성능이 선급 규격을 만족하여야 함은 물론 마지막 조립단계에서 적용되기 때문에 용접재료의 용접작업성도 매우 크게 요구되고 있다. 먼저 대입열 용접금속에서 요구되는 저온 충격인성($vE_{-20^{\circ}C}{\geq}57J$)을 만족하기 위하여는 용접금속의 미세조직 제어가 필요하며, 특히 조대한 입계페라이트 생성을 억제하고 미세한 입내 페라이트를 균일 분포하는 것이 중요하지만, 이를 위해 용접금속의 소입성이 지나치게 높이면 경화조직인 베이나이트 분율이 증가하여 오히려 용접금속 저온 충격인성을 저하시키므로, 적절한 용접금속의 성분 제어가 중요하다. 한편 용접부는 선급에서 요구하는 최소 강도인 570MPa를 만족하기 위하여 용접금속의 소성구속 현상을 활용하여 용접부 인장강도를 확보 할 수 있음을 확인했다. 이를 위해서는 용접금속의 적정한 경화도 확보가 필요하였다. 전술한 바와 같이 대입열 용접금속 저온 충격인성 확보와 용접부 강도 측면을 고려하여 용접금속 최적의 탄소당량 범위를 제시코자 하였다. 한편 용접재료의 용접작업성은 EGW용접의 용적이행 현상은 자유비행이행으로 이루어지고 있으며 특성상 용접중 용적과 용융지 사이에 많은 순간단락 현상을 동반하고 있으며, 슬래그 유동이 불안정하면 아크 꺼짐 현상도 관찰되고 있다. 따라서, 현장용접시 원할한 용접작업성을 확보할 수 있는 평가 기준으로써 아크 전류 및 전압의 변동 정도를 설정하고, 용접재료의 용접작업성 확보 기준을 제시코자 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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