• 제목/요약/키워드: 전압분포

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초음속 유동 내 벤트 혼합기의 형상적 특성에 따른 성능 연구 (A Performance Study of Vent Mixer with Geometric Characteristics in Supersonic Flow)

  • 김채형;정인석
    • 한국항공우주학회지
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    • 제37권1호
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    • pp.69-75
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    • 2009
  • 본 논문은 새로운 개념의 초음속 혼합기인 벤트 혼합기의 형상적 특성에 따른 공력 특성을 연구하였다. 홀의 크기는 2 mm이며 혼합기 벽면에서 2 mm 떨어진 곳에 위치한 모델(case 1)과 혼합기 벽면 뒤쪽에 위치한 모델(case 2)의 경우 같은 전압력 회복율을 보였으며, 홀의 크기를 반으로 줄인 1 mm(case 3) 모델은 cases 1, 2에 비해 낮은 전압력 회복율을 보였다. 재순환 영역의 크기는 cases 1-3은 같지만 전단층 두께는 cases 1, 2가 case 3 보다 두꺼웠다. 재순환 영역 내 압력 손실의 경우 cases 1, 2은 case 3에 비해 낮은 압력 손실과 높은 속도 구배를 보였으며, 이는 재순환 영역 내 공기와 연료의 혼합을 증대시키는 요인이다. 재순환 영역 내로 유입 되는 유동에 의해 형성되는 박리 버블은 연소기의 전압력 회복율과 재순환 영역 내 압력 분포와 순환 유동에 영향을 미친다. 따라서 박리 버블 형성에 영향을 주는 유입 공기 유량이 벤트 혼합기 성능에 주요한 영향을 미치는 것을 알 수 있다.

방사선 펄스의 고안정 계측 및 분석기술 개발 (Development of High Stable Instrumentation and Analytic Techniques for Radioactive Pulses)

  • 길경석;송재용;한주섭;김일권;손원진
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제5권2호
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    • pp.303-308
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    • 2001
  • 본 연구의 목적은 방사선 펄스의 고안정 계측회로 및 분석시스템 개발에 있다. 제안한 시스템은 중성자 및 감마선 검출회로, 프로그래머블 고전압 공급장치 및 DSP로 구성된다. 프로그래머블 고전압 공급장치는 입력전압 5V에서 150V까지 조정할 수 있도록 하였으며 직렬의 전압 안정화 회로를 부가하여 일정한 전압이 유지되도록 함으로써 고전압 공급장치의 전압 변동율은 1.63%이하로 얻을 수 있었다. 방사선 검출회로는 능동성 적분기, 폴-제로 회로, 증폭도 60dB의 3단 증폭회로로 구성되며, 주파순 대역은 37 Hz~300 kHz이다. 또한 파고분포의 계수는 방사선 펄스의 분석에 중요한 자료로 본 연구에서는 A/D 컨버터(12bit 100㎱) 및 고속의 DSP(TMS320C31-60)을 이용하여 PC-기반으로 구현되는 파고분석 시스템을 구성하였다.

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방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성 (Electrical Characteristics on MOS Structure with Irradiation of Radiation)

  • 임규성;고석웅;정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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    • pp.644-647
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    • 2001
  • 이 연구에서는 P-MOS 커패시터에 Co $u^{60}$-${\gamma}$선을 조사한 후 조사선량 및 산화막 두께에 따른 전하의 거동을 고찰하고자 1[MHz]의 고주파 신호에서 정전용량-전압(C-V) 특성 및 유전손실계수-전압(D-V)특성을 측정하였다. C-V 특성에서 플랫밴드 전압과 문턱전압을 구하여 이들 파라메타와 D-V 특성의 피크와의 관련성을 검토하였다. C-V 특성이 P-MOS 커패시터의 정상상태의 전하의 거동 및 계면 상태특성을 해석하기가 편리하고 D-V 특성은 C-V 특성보다 산화막 내부의 공간전하분포와 계면상태의 밑도 등을 더 명확하게 파악할 수 있으며 산화막내 캐리어의 전도철상에 관한 미시적 전하 거동의 고찰에도 편리함이 확인되었다.

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10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석 (Analysis of Tunneling Current for Bottom Gate Voltage of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.163-168
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    • 2015
  • 본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 다중게이트 MOSFET중에 비대칭 이중게이트 MOSFET는 채널전류를 제어할 수 있는 요소가 대칭형의 경우보다 증가하는 장점을 지니고 있다. 그러나 10nm 이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우, 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 차단전류 중에 터널링 전류의 비율을 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 포아송방정식을 이용하여 구한 해석학적 전위분포와 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 하단 게이트 전압에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 상하단 산화막 두께 그리고 채널두께 등에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

교류전류를 이용한 비접촉결함탐상법에 관한 연구 - 주파수 lift-off의 영향 - (A Study on the Non-Contact Detection Technique of Defects Using AC Current - The Influence of Frequency and lift-off -)

  • 김훈;나의균
    • 비파괴검사학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.53-58
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    • 2002
  • 계자코일에 흐르는 교류전류로 전자기장을 유도하고, 결함에 의하여 누설되는 자속을 간극을 갖는 헤드로 측정하여 결함을 검출하는 새로운 비파괴탐상장치를 구성하였다. 이 탑상장치는 비접촉으로 강자성체의 구조물 요소에 존재하는 표면결항을 검출하고, 그 크기를 평가하는데 적용할 수 있다. 본 논문은 강자성체에 도입한 2차원 표면결함에 적용하여 결함의 평가를 실시하였다. 또한 측정주파수와 lift-off가 이들 평가에 미치는 영향을 검토하였다. 결함은 전압 분포에서 최대치로 검출할 수 있고, 이 최대전압의 변화는 결함의 깊이가 증가함에 따라 증가한다. 결함의 최대전압은 주파수와 lift-off 의 영향을 받지만, 작은 깊이의 결함은 깊이와 전압이$(V_0/V_{ave})$의 관계로부터 선형적으로 예측할 수 있다.

FinFET의 게이트산화막 두께에 따른 문턱전압특성 (Gate Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage Characteristics for FinFET)

  • 한지형;정학기;이재형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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    • pp.907-909
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    • 2009
  • 본 연구에서는 FinFET 제작시 단채널효과에 가장 큰 영향을 미치는 게이트산화막두께에 따른 문턱전압의 변화를 관찰하고자한다. 산화막두께의 영향을 분석하기 위하여 분석학적 3차원 포아송방정식을 이용한 전송모델을 사용하였다. 나노구조 FinFET에서 문턱전압에 영향을 미치는 구조적 요소 중 게이트 산화막은 매우 중요한 소자파라미터이다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜분포값을 3차원 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 3차원 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 FinFET의 산화막두께에 따라 문턱전압특성을 분석하였다.

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스위칭에 의한 전동기 써지전압 분포 (The Analysis of Surge distribution for motor by Switching)

  • 김종겸;이은웅;조현길;백두현
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.115-117
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    • 1996
  • The electrical stress, which is generated by switching devices, has been affected by various kinds of factors such as surge impedance, motor capacity, surge wavefront and so forth. In this study, the surge phenomenon delivered into motor winding in switching was analyzed with actual system.

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고광도 방사등의 교류 아아크 모델 (The AC Arc Model of the High-Intensity Discharge Lamps)

  • 지철근;김훈
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제2권3호
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    • pp.47-58
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    • 1988
  • 본 논문에서는 고광도방전등의 전기적 특성을 해석하기 위한 아아크모델을 제시하였다. 방전관내에서 반경방향의 온도분포가 포물선형태로 변화하는 것으로 가정하고 방전관의 단위체적에서의 에너지평형식을 단면적에 대해 적분함으로서 단위길이당의 에너지평형식으로 변환하였다. 이 에너지평형식과 회로방정식, 그리도 오옴의 법칙을 이용하여 아아크의 전류와 전압의 1주기에서의 변화를 계산하여 좋은 결과를 얻었다. 또한 방전관의 축온도와 이에 따른 방사에너지의 값을 계산하는 간단한 방법을 제시하였다.

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유한요소해석을 통한 회전자 도체 형상 변화에 따른 농형 유도전동기의 토크 특성 해석 (Torque-Speed Analysis of Squirrel Cage Induction Motor with Varying Shape of Rotor Bar Using Finite Element Analysis)

  • 이강혁;박일한
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.886-887
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    • 2011
  • 본 논문에서는 농형 유도전동기의 회전자 도체 형상을 변화시켜 토크 특성을 살펴본다. 회전자의 변화에 의한 영향만을 고려하기 위해 고정자룰 간단히 모델링 하고 전압일정조건을 인가했으며 그에 해당하는 토크 식을 유도했다. 회전자 도체는 가장 기본적인 Canned 형상으로부터 시작하여 복잡한 슬롯 형상까지 도입하여 해석하였다. 해석된 결과들을 이용해 각 도체 형상에 의한 자계 분포와 함께 고찰한다.

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특수설비용 단상 정전모터의 제작 및 특성 해석 (Manufacture and Characteristic Analysis of Single Phase Electrostatic Motor for Special Equipment)

  • 김광일
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제11권4호
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    • pp.74-81
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    • 1997
  • I정전 모-터는 일반적으로 분극전하와 전계의 상호작용을 이용한 것으로서 전계내에 축적되는 전계에너지(W=1/2 *ED)의 힘을 기계적 출력으로 도출하여 이용하는 것이다. 본 논문에서는 유한 요소법을 사용하여 단상 정전 모터의 전계와 등전위분포 및 미소한 토오크를 시뮬레이션을 통하여 구하고 해석하였다. 그 결과 이 모터는 특성상 정전, 역전이 가능하고 고전압에서 응용이 가능하므로 특수기의 서어보모터로 쓸 수 있겠고, 설비중 고압으로 인한 위험이 따르는 곳의 안전예고기, 고전압계, 위상 판별기로도 사용이 가능할 것으로 기대된다.

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