본 논문은 인체에 의해 발생하는 정전기 방전과도전압 파형의 특성에 관한 것으로 정전기 방전전압의 피크 크기와 초기상승부분의 특성에 대한 통계를 분석하기 위해서 여러 가지 실험조건에서 정전기 방전전압을 측정하였다. 정전기 방전전압의 측정에는 주파수대역이 DC∼400[MHz]인 전압측정계를 사용하였으며, 정전기 방전전압의 파형은 전류 파형과 거의 동일하였다. 또한 본 연구에서 제안한 등가회로를 적용한 시뮬레이션결과는 측정결과와 거의 일치하였다. 정전기 방전전압 파형은 접촉 물체의 재질과 접근속도에 크게 영향을 받으며, 빠른 접근일 때가 느린 접근일 때보다 초기상승시간이 짧은 파형으로 나타났다. 손에 의한 정전기 방전전압의 상승시간은 10∼30[ns]로 비교적 길었으나, 크기는 작았다. 반면에 절연손잡이를 갖는 드라이버를 통한 정전기 방전전압 파형은 1[ns]이하의 매우 짧은 상승시간과 매우 큰 피크값을 나타내었다. 본 연구결과는 저전압 소전류인 전자기기의 정전기 장해에 대한 대책의 마련에 응용될 것이다.
내부지름이 2.0 mm 이하인 PTFE와 PE 튜브에 진공장치를 이용하여 튜브 내부의 압력을 감압하여 진공상태를 형성하였다. 진공기밀 후에 반응성 가스를 인입하여 튜브 외부에 장착된 전극을 통하여 고전압의 AC 전압을 인가하여 튜브 내부에 선택적으로 유전체 장벽 방전을 유도하였다. 본 연구에서는 유전율이 3.0 이하로 낮은 PTFE와 PE 튜브에 유전체 장벽방전이 유도될 때 나타나는 전압과 전류의 파형을 분석하여 방전의 개시와 방전의 형태를 조사하였다. 주파수 40 kHz인 AC 전원(PEII, Advanced Energy)과 Loadmatch 모듈을 이용하여 4 kV 이하의 전압을 인가하여 플라즈마 방전 유도하였다. 튜브에 인가고전압 프로브와 전류 프로브를 이용하여 오실로스코프를 I-V 분석을 실시하였고, 실험 결과 대기압 방전에서 유도되는 유전체 장벽방전의 I-V 특성과 달리 방전의 형태가 유전체장벽방전과 글로우방전이 혼합된 형태로 나타났다. 또한 유전체 장벽방전을 통해 튜브 내부에 형성되는 플라즈마에 대한 분석으로 OES 광분석을 실시하여, 방전 시간과 전압 변화에 따른 고분자 표면으로부터 방출되는 활성종에 대한 분석을 실시하였다.
현 전력 시스템 및 전기 전자 시스템의 대용량 단락 설비의 대형화에 따른 부수적인 시스템 구성을 초전도체 화이버를 이용하여 전력 손실과 빠른 차 단 시간을 가지는 차단기가 절대적으로 요구되고 있으며, 본 연구는 초전도 선재가 시스템에 코일로 구성하였을 때 자체에서 흐를수 있는 전류의 양을 검출하여 수치화하여 일반적인 전류계로써의 특징과 오실로스코프의 나타난 파형으로 시스템 자체에서 발생하는 이상 현상을 검색하여 시스템의 여러가 지 현상을 파악하고 또한 폐회로를 구성하여 계기의 부하로 인한 사고를 방 지하기 위하여 내부에 환 코일을 장착하여 단선되는 것을 방지하고 일정 전 류 이상이 되면 초전도체 화이버 자체가 trigger코일로 작동하여 전체 시스 템을 보호하고 전류제한장치의 개발 초기에 적용 가능한 평가 모델을 설계 구현하였다.
Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.
본 연구에서는 VHDL로 설계한 제어기를 이용하여 3상 다이오드 정류기의 입력파형 개선을 수행하였다. 일반적인 부하측에 흐르는 전류는 매 순간 3상 중에서 가장 높은 상에서 가장 낮은 상으로 흐르게 되므로 나머지 한 상의 전류가 불연속적으로 흐르게 된다. 이때 다이오드로 도통되지 않는 상의 전류는 부가한 스위치를 통하여 흐르게 되어 전류의 연속성을 얻을 수 있다. 이러한 동작을 위해 제안된 제어기는 입력신호에 맞추어 적절한 PWM 신호를 스위치에 인가함으로서 정류기의 역률 개선 및 고조파 저감의 효과를 얻을 수 있었다. FPGA제어기는 기존의 DSP를 이용한 제어기에 비해 작은 소비전력을 사용하며 제작기간을 줄일 수 있고 소형화시킬 수 있는 장점을 가짐을 확인하였다.
본 논문은 스위치드 릴럭턴스 전동기의 자기포화 비선형 상태를 고려하여 일정 토오크 발생을 위한 전류형태 구현에 관한 방법을 기술한다. 본 연구에서는 인덕턴스 증가영역에서의 전류 검출방법 및 비선형 인덕턴스 프로파일 모델링을 위한 근사화 기법이 채택되었다. 그리고 제안된 시스템에서 부하조건에 관계없이 일정토오크 발생을 위한 전류파형을 생성하기 위하여 단일스위칭 각도 제어 및 전압제어 방법이 사용되었다. 마지막으로 3HP 6/4 스위치드 릴럭턴스 전동기를 사용하여 본 연구의 타당성을 실험적으로 입증하였다.
3D package의 SiP에서 구리의 via filling은 매우 중요한 사항으로 package밀도가 높아짐에 따라 via의 크기가 줄어들며 전기도금법을 이용한 via filling이 연구되어왔다. Via filling시 via 내부에 결함이 발생하기 쉬운데 전해액 내에 억제제, 가속제등 첨가제를 첨가하고 펄스-역펄스(PRC)의 전류파형을 인가하여 결함이 없는 via의 filling이 가능하다. 본 연구에서는 건식 식각 방법 중 하나인 DRIE법을 이용하여 깊이 $100{\sim}190\;{\mu}m$, 직경이 각각 $50{\mu}m,\;20{\mu}m$인 2가지 형태의 via을 형성하였다. DRIE로 via가 형성된 Si wafer위에 IMP System으로 Cu의 Si으로 확산을 막기 위한 Ta층과 전해도금의 씨앗층인 Cu층을 형성하였다. Via시편은 직류, 펄스-역펄스의 전류 파형과 억제제, 가속제, 억제제의 첨가제를 모두 사용하여 filling을 시도하였고, 공정 후 via의 단면을 경면 가공하여 SEM으로 관찰하였다.
전기화재의 주요 원인 중 하나인 트래킹은 서서히 진전하는 특징을 가지기 때문에 진전단계를 분석함으로서 화재가능성을 예측할 수 있다. 본 논문은 부하가 연결된 모의 전기설비에서 트래킹에 의한 전기화재 가능성을 예측하고자 시도하였다. 부하는 무유도 저항을 사용하였고, 트래킹은 모의 전기설비의 일부인 비닐캡타이어 타원형코드에 전해액을 적하하여 발생시켰다. 트래킹에 의한 전기화재 가능성을 예측하기 위해 모의 전기설비의 전체 전류파형을 검출하였다. 전류파형으로부터 트래킹 진전을 분석하기 위해 시간-에너지 변환과 확률분포를 이용하였고, 이를 신경망에 입력함으로써 전기설비 내에서 전기화재의 발생가능성을 4단계로 예측할 수 있게 하였다.
계통연계형 태양광발전시스템에서는 계통과 태양광시스템을 연계하기 위해 PWM 인버터가 이용된다. 인버터 시스템을 연속전류모드로 운전하면 맥동이 발생하게 되고, 직류전류의 맥동발생은 교류전류파형의 왜형을 가져온다. 본 연구에서는 직류입력전류의 맥동을 감소시키기 위하여 불연속모드 승강압초퍼로 인버터를 운전한다. 직류 전류에 포함된 고조파성분을 리플성분과 직류성분으로 분리하여 해석하고, 맥동이 없는 일정한 직류전류를 태양 전지로부터 인버터로 공급한다. 제안하는 인버터시스템은 단위 역률로 부하와 계통에 교류전류를 공급한다.
본 연구는 산업계에서 많이 사용되고 잇는 3상 브리지 다이오드 정류기에서 입력측에 발생하는 고조파 문제를 개선하고자 한다. 다이오드 방식은 제어기가 필요치 않기 때문에 간단하고 높은 신뢰성을 갖지만 입력단 전류의 불연속성으로 인하여 전류파형의 왜곡이 생긴다. 본 연구에서는 기존의 3상 브리지 다이오드 정류기에 부가적으로 부착 가능한 3개의 스위치를 제안하여 매순간 3상의 전류 중에서 다이오드 정류기로 흐르지 못한 한 상의 전류를 제안한 스위치를 통하여 흐르게 하여 전류가 연속적으로 흐르게 하였다. 연속적인 전류의 흐름은 고조파 성분을 감소시키며 역률 또한 개선시키는 것을 모의 실험과 실험을 통하여 입증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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