• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.362-362
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• 2013

터치패널은 키보드나 마우스와 같은 입력장치를 사용하지 않고, 스크린에 손가락, 펜 등을 접촉하여 입력하는 방식이다. 누구나 쉽게 입력할 수 있는 장점으로 인해 기존에는 현금인출기, 키오스크 등 공공분야에 주로 많이 사용되어 왔으나, 최근의 터치스크린은 휴대폰, 게임기, 네비게이션, 노트북 모니터 등 개인정보기기의 입력장치로 활용분야가 넓어져가고 있다. 기존 터치패널은 유리 기판 위에 ITO박막(투명전도막)을 진공코팅하여 사용하여 왔지만, 최근 터치패널은 경량화를 고려하여 PET 필름 기판 위에 ITO 박막을 진공코팅하여 사용하고 있다. PET 필름의 유연성 때문에 ITO 코팅된 필름을 PC 혹은 강화유리 위에 OCA 물질을 이용하여 다시 고정하여야 한다. 이때 터치패널 제작시 생산공정이 늘어나 생산성이 떨어지고, 터치패녈의 광투과율도 떨어지는 2차적인 문제가 발생한다. 이를 해결코자하는 터치페널 업체의 Needs가 있고, 최근에 이를 해결하기 위하여 강화유리와 플라스틱 기판 위에 ITO 박막을 직접 진공코팅 하는 공정개발이 진행되고 있다. ITO 박막은 진공코팅 중에 열을 가하여 결정화를 이루어야 하는데, 강화유리와 플라스틱은 기판의 열에 약한 특성을 고려하여, 열을 가하지 않고 ITO 박막을 진공 코팅하여야 한다. 이러한 ITO 박막의 진공코팅 공정에는 In-line magnetron sputtering system이 사용된다. 본 연구에서는 In-line magnetron sputtering system을 사용하여 강화유리와 플라스틱 기판 위에 정전용량방식 터치패널용 패턴 인비저블 ITO 투명전도막을 제작하고 그 특성을 조사하였다. ITO 박막의 면저항은 150 Ohm/cm2, 최고 광투과율은 90.56% (@583), 그리고 550 nm에서 광투과율은 90.46%로 ITO 박막 코팅 전후에 투과율 차이가 0.4임을 확인하였다. 정전용량방식의 터치패널에서는 ITO 박막 코팅 전후에 투과율 차이가 1이하의 특성, 즉 패턴 인비저블의 특성을 필요로 하는데, 이는 ITO 박막 패턴후에 패턴이 보이지 않게 하기 위해서이며, 이러한 시장의 Needs를 고려하면 본 연구에서 매우 중요한 연구 성과를 얻었다고 말할 수 있다. 그리고 강화유리와 플라스틱 기판 위에 여러 종류의 ITO 투명전도막을 제작하고, 또한 감성터치에 적용되는 ITO 투명전도막을 제작하여, 그 특성을 조사하여 이를 논하고자한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.118-118
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• 2018

Indium tim Oxide (ITO) 의 idium 공급 제한과 그 고유한 특성상 유연기판에 적용에는 한계가 있어 대체 물질 개발이 활발히 이뤄지는 가운데, 금속나노와이어는 그 중에서도 각광받는 물질 중 하나이다. 금속나노와이어 네트워크는 높은 전기 전도성, 투명성과 같은 많은 이점을 가지며 유연기판에 다양한 방법으로 손쉽게 제조할 수 있다. 이러한 장점에도 불구하고 금속나노와이어는 자체의 고유한 표면 거칠기 및 접착 문제 등으로 인해 그 한계를 가지며, 또한 polynivnylpyrolidone (PVP)의 코팅이 불가피하기 때문에 나노와이어 간의 높은 접촉저항 및 junction 문제는 해결과제로 남아있다. 본 연구에서는 이러한 금속나노와이어의 문제를 극복하기 위해 유도전류에 의해 와전류를 발생시켜 나노와이어 junction 부분에서 짧은 시간동안 국소적으로 용접시킬 수 있는 induction coil system을 구축하였다. 금속나노와이어 전극 기판의 투명도를 유지하며 기판과 나노와이어에 영향을 미치지 않고 electric field를 통해 nano-welding 하는 효과를 기대하였다. 그 결과, 실험에 사용한 은나노와이어와 구리나노와이어는 초기 투과도를 유지하면서 면저항을 각각 약 68 %, 50% 감소하는 효과를 보였다. 또한 표면 이미지 측정을 하여 표면 거칠기도 감소하였음을 확인하였으며, welding됨에 따라 내구성 향상에도 영향을 미쳤음을 bending test 와 adhesion test를 통해 그 특성이 향상되었음을 확인하였다. 본 연구에서 실시한 와전류를 이용한 나노용접 방법은 건식방법이며 열이 직접적으로 발생하지 않기 때문에 모든 종류의 금속 나노와이어에 적용될 것으로 기대하며, 짧은 시간과 저렴한 비용으로 넓은 영역에 적용 가능하다는 장점을 가져 다방면에 활용 가능할 것으로 기대한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.233-233
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• 2013

유기물/무기물 나노복합체를 이용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자는 간단한 공정과 플렉서블 기기 응용 가능성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 다양한 나노입자를 포함한 고분자 박막에 대한 연구는 많이 진행되었지만, 비휘발성 메모리소자에서 CdSe/InP 나노입자를 사용한 나노복합체의 전기적 안정성과 동작 메커니즘에 대한연구는 미흡하다. 본 연구는 CdSe/InP 코어/쉘 나노입자가 poly (N-vinylcarbazole) (PVK) 박막에 분산되어 있는 나노복합체를 이용하여 메모리 소자를 제작하여 전기적 특성과 안정성을 관찰 하였다. 소자 제작을 위해PVK 고분자를 용매인 클로로벤젠에 용해한 후, 헥산에 안정화 되어있는 CdSe/InP 나노입자를 초음파 교반기를 사용하여 고르게 섞었다. Indium-tin-oxide (ITO)가 증착한 유리 기판을 화학물질로 세척한 후 기판 위에 CdSe/InP 나노입자와 절연성 고분자인 PVK가 혼합된 용액을 스핀코팅 방법으로 도포하여 나노입자가 포함된 고분자 박막층을 형성하여 저항 변화층으로 사용하였다. 형성된 박막 위에 마스크를 사용하여 Al 상부전극을 고진공에서 열 증착하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압(I-V) 특성을 측정한 결과 동일전압에서 전도도가 좋은 상태 (ON)와 좋지 않은 상태 (OFF)인 두 개의 상태상 존재한다는 것을 확인하였고, CdSe/InP인 나노입자가 포함된 소자와 포함되지 않은 소자의 전기적 특성을 비교 분석하였다. 두 상태의 안정성을 ON 또는OFF 상태의 스트레스를 측정하여 두 상태의 안정성을 확인하였고, 실험결과를 바탕으로 메모리 소자의 동작 메커니즘을 기술하였다.

• Journal of Energy Engineering
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• v.21 no.3
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• pp.249-253
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• 2012

In this study, The report analysed the characteristics of power drop in solar cell through thermal shock test. The solar cells were tested 500 cycles in $-40^{\circ}C$ lowest temperature and $120^{\circ}C$ highest temperature by thermal shock test on ironbound conditions, that excerpted standard of PV Module(KS C IEC-61215). The result of the efficiency analysis through measure of I-V, efficiency of Cell decreased from 13.9% to 11.0% and decreasing rate was 20.9% after test. The result of the surface analysis through EL, solar cell has damage of gridfinger and ribbon joint. Cell cracks were founded in damage of cells through cross section of solar cells. Also, Fill factors were decreased from 72.3% to 62.0% after thermal shock test and decreasing rate is 11.8%. therefore, Yearly power drop is aggravated with facts that cell crack, damage of surface and power loss of cell by change of I-V characteristic curve with decreasing of parallel resistance.

• Journal of Mushroom
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• v.9 no.4
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• pp.170-179
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• 2011

In coculturing with strains of Trichoderma and oyster mushroom, we could detect the difference in the resistance of oyster mushroom against Trichoderma with the phenomena of barrage reaction, overgrowth and lysis. We selected the isolates ASI 2183, ASI2504 and ASI 2477 as varieties that showed the resistance. The isolates ASI 2240, ASI 2479 and ASI 2181 were the best in their resistance against Trichoderma in the method using culture filtrate. In common, the isolates ASI 2479 and ASI 2240 were selected in both methods. In post-inoculation method, the isolates ASI 2479, ASI 2333 and ASI 2181 were selected and ASI 2302 was susceptible. For the same isolate of Trichoderma, the resistance varied depending on the isolates of oyster mushroom used in the experiments. Because we could detect the interactions between Trichoderma and oyster mushroom, it is possible to detect the level of the resistance that differs in the varieties. However, there were the cases of detecting the level of the resistance in repetitions with the same isolate, which may be caused by the vitality of isolates of Trichoderma and oyster mushroom. It is efficient to test the resistance with the resistant isolate of Pleurotus salmoneostramine and the susceptible isolate of ASI 2302.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.4
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• pp.759-764
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• 2012

Copper Pillar Tin Bump (CPTB) was investigated for high density chip interconnect technology development, which was prepared by electroplating and electro-less plating methods. Copper pillar tin bumps that have $100{\mu}m$ pitch were introduced with fabrication process using a KM-1250 dry film photoresist (DFR), with copper electroplating for Copper Pillar Bump (CPB) formation firstly, and then tin electro-less plating on it for control oxidation. Electric resistivity and mechanical shear strength measurements were introduced to characterize the oxidation effects and bonding process as a function of thermo-compression. Electrical resistivity increased with increasing oxidation thickness, and shear strength had maximum value with $330^{\circ}C$ and 500 N at thermo-compression process. Through the simulation work, it was proved that the CPTB decreased in its size of conduction area as time passes, however it was largely affected by the copper oxidation.

• Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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• 2008.11a
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• pp.745-748
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• 2008

The past structures were just required bearing capacity to service load, serviceability, and resistance to corrosion. However this point of view has changed after 9.11 terrorism, capacities which can bear impact loading by explosion, and heat by fire happening at the same time, become to be important as a basic condition. The blast resistance capacity of structures is very important part against all over the world is intimidated by terrorism everyday in current point of time. The target of this research is a development of segmented composites and layered structures with high blast resistance using cementitious composites, concrete and FRP composites, which has high tensile strength and ductility, to apply in not only existing facilities but also new ones. Through the improvement of blast resistance, casualties and economic loss can be minimized, and it is possible to diminish the structure collapse and delay the time of structure collapse by thermal effect, impact loading, dynamic loading and high strain.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.10a
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• pp.726-729
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• 2010

Copper Pillar Tin Bump (CPTB) was investigated for high density chip interconnect technology development, which was prepared by electroplating and electro-less plating methods. Copper pillar tin bumps that have $100{\mu}m$ pitch were introduced with fabrication process using a KM-1250 dry film photoresist (DFR), with copper electroplating for Copper Pillar Bump (CPB) formation firstly, and then tin electro-less plating on it for control oxidation. Electric resistivity and mechanical shear strength measurements were introduced to characterize the oxidation effects and bonding process as a function of thermo-compression. Electrical resistivity increased with increasing oxidation thickness, and shear strength had maximum value with $330^{\circ}C$ and 500 N thermo-compression process. Through the simulation work, it was proved that when the CPTB decreased in its size, it was largely affected by the copper oxidation.

• Korean Journal of Breeding Science
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• v.43 no.4
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• pp.282-287
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• 2011

Bacterial pustule (BP) is a leaf disease of soybean that is most common in Korea. Inoculation of 8ra, pathogen strain, to resistant and susceptible cultivars for finding the BP resistance gene (rxp) was much tried but the sequence of the exact gene is not found. This research performed in order to confirm the rxp gene near molecular marker by using the resistant and susceptible cultivars. Soybean BP resistance gene which related to region of near molecular marker could select the resistant cultivar. For the near molecular marker of rxp, reference genomics data available at sequenced Phytozome was used for designing molecular markers. The rxp was mapped between Satt372 and Satt486 on chromosome 17. According to previous study, rxp released in find mapping 7.2 Mbp to 7.3 Mbp on chromosome 17. In this study, we developed 3 random markers near from 6.6 Mbp to 7.3 Mbp on chromosome 17 identified to increase the genetic resolution of the rxp gene region using resistant and susceptible cultivars. Particularly, Rxp17-700 marker was mostly coincided resistance and susceptible genotype to rxp. This result suggests that Rxp17-700 marker will be more tightly linked to rxp gene.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.219-220
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• 2011

터치패널은 키보드나 마우스와 같은 입력장치를 사용하지 않고, 스크린에 손가락, 펜 등을 접촉하여 입력하는 방식이다. 누구나 쉽게 입력할 수 있는 장점으로 인해 기존에는 현금인출기, 키오스크 등 공공분야에 주로 많이 사용되어 왔으나, 최근의 터치스크린은 휴대폰, 게임기, 네비게이션, 노트북 모니터 등 개인정보기기의 입력장치로 활용분야가 넓어져가고 있다. 기존 터치패널은 유리 기판 위에 ITO박막(투명전도막)을 진공코팅하여 사용하여 왔지만, 최근 터치패널은 경량화를 고려하여 PET 필름 기판 위에 ITO 박막을 진공코팅하여 사용하고 있다. PET 필름의 유연성 때문에 ITO 코팅된 필름을 PC 혹은 강화유리 위에 OCA 물질을 이용하여 다시 고정하여야 한다. 이때 터치패널 제작시 생산공정이 늘어나 생산성이 떨어지고, 터치패녈의 광투과율도 떨어지는 2차적인 문제가 발생한다. 이를 해결코자하는 터치페널 업체의 Needs가 있고, 최근에 이를 해결하기 위하여 PC, 강화유리 그리고 COP 기판 위에 ITO 박막을 직접 진공코팅하는 공정개발이 진행되고 있다. ITO 박막은 진공코팅 중에 열을 가하여 결정화를 이루어야 하는데, PC, 강화유리 그리고 COP 기판의 열에 약한 특성을 고려하여, 열을 가하지 않고 ITO 박막을 진공 코팅하여야 한다. 이러한 ITO 박막의 진공코팅 공정에는 In-line magnetron sputtering system이 사용된다. 본 연구에서는 In-line magnetron sputtering system을 사용하여 강화유리 기판 위에 정전용량방식 터치패널용 패턴 인비저블 ITO 투명전도막을 제작하고 그 특성을 조사하였다. ITO 박막의 면저항은 230 Ohm/cm2, 최고 광투과율은 90.96% (@541 - 543 nm), 그리고 550 nm에서 광투과율은 90.45%로 ITO 박막 코팅 전후에 투과율 차이가 0.4임을 확인하였다. 정전용량방식의 터치패널에서는 ITO 박막 코팅 전후에 투과율 차이가 1 이하의 특성, 즉 패턴 인비저블의 특성을 필요로 하는데, 이는 ITO 박막 패턴후에 패턴이 보이지 않게 하기 위해서이며, 이러한 시장의 Needs를 고려하면 본 연구에서 매우 중요한 연구 성과를 얻었다고 말할 수 있다.