• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.21 no.6
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• pp.543-549
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• 2000

위전도(Electrogastrography, EGG)는 복부에 전극을 부착하여 위에서 발생하는 위 근육의 전기적인 활동성(gastric electrical activity)을 측정하는 방법으로, 비관혈적이며 다른 검사에 비해 측정비용이 적게 든다. 그러나 위전도 신호는 주파수가 매우 낮으며(0.2~10cpm) 진폭이 매우 작기(10~100 $\mu$V) 때문에 측정에 어려움이 있으며, 분석이 어려워 아직까지 위전도 신호해석에 대한 이론이 정립되어 있지않다. 본 연구에서는 running spectrum 분석을 이용한 4채널 위전도 시스템을 개발하여 위에서 발생하는 활동전위를 측정하였다. 본 연구에서 개발한 4채널 위전도 시스템의 4개 채널 중 가장 3 cpm 백분율이 높은 베스트 채널과, 상용화된 1채널 시스템인 Digitrapper EGG와 같은 전극부착 위치인 채널 1의 3 cpm 백분율을 비교하였다. 베스트 채널과 채널 1의 식전 평균 3 cpm 백분율은 각각 89.5%와 83.2%이었으며 통계적으로 유의하였다(p〈0.001). 식후에는 평균 3 cpm 백분율이 각각 90.4%와 76.5%이었으며 통계적으로 유의하였다(p〈0.001). 결론적으로 1채널위전도 측정기로서는 각 개인의 다양한 위의 위치를 커버할 수 없으며 그에 따른 오진을 초래할 수도 있으므로 1채널 위전도 측정기보다 4채널 위전도 측정기가 더 우수하다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.829-831
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.765-768
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.835-837
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• 2012

In this paper, we have been analyzed conduction path by device parameter of double gate(DG) structure that have top gate and bottom gate. The Possion equation is used to analytical. The change of conduction path have been investigated for various channel lengths, channel thickness and gate oxide thickness using this model, given that these parameters are very important in design of DGMOSFET. The optimum channel doping concentration is determined as the deviation of conduction path is considered according to channel doping concentration.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.759-762
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• 2014

비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET는 단채널 효과를 감소시킬 수 있는 새로운 구조의 트랜지스터이다. 본 연구에서는 비대칭 DGMOSFET의 전도중심에 따른 차단전류를 분석하고자 한다. 전도중심은 채널 내 캐리어의 이동이 발생하는 상단게이트에서의 평균거리로써 상하단 게이트 산화막 두께를 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에서 산화막 두께에 따라 변화하는 요소이며 상단 게이트 전압에 따른 차단전류에 영향을 미치고 있다. 전도중심을 구하고 이를 이용하여 상단 게이트 전압에 따른 차단전류를 계산함으로써 전도중심이 차단전류에 미치는 영향을 산화막 두께 및 채널길이 등을 파라미터로 분석할 것이다. 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수 형태의 해석학적 전위분포를 유도하였다. 결과적으로 전도중심의 위치에 따라 차단전류는 크게 변화하였으며 이에 따라 문턱전압 및 문턱전압이하 스윙이 변화하는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.8
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• pp.1925-1930
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• 2014

This paper has analyzed the relation of conduction path and subthreshold swing for doping profile in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. Since the channel size of asymmetric DGMOSFET is greatly small and number of impurity is few, the high doping channel is analyzed. The analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. The conduction path and subthreshold swing are derived from this analytical potential distribution, and those are investigated for variables of doping profile, projected range and standard projected deviation, according to the change of channel length and thickness. As a result, subthreshold swing is reduced when conduction path is approaching to top gate, and that is increased with a decrease of channel length and a increase of channel thickness due to short channel effects.

• Journal of Veterinary Clinics
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• v.21 no.2
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• pp.219-228
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• 2004

Heart diseases related to conduction system can be occurred by primary defects in conduction system and by secondary to morphological heart diseases or drug toxicities. Multiple molecular defects responsible for arrhythmogenesis, including mutations in ion channels, cytoplasmic ion-channel-interacting proteins, gap-junction proteins, transcription factors and a kinase subunit, were found to be associated with the aetiology of primary cardiac conduction defects, especially inherited form. Despite a big progress in unveiling human arrhythmogenesis, conduction defects in dog has not been well studied except sudden death syndrome in German shepherd. In this review, molecular genetics in cardiac arrhythmogenesis, inherited human diseases associated with conduction defects and similar diseases in dogs will be discussed.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.12 no.3
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• pp.541-546
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• 2008

In this paper, conduction phenomena have been considered for nano structure double gate MOSFET, using the analytical model. The Possion equation is used to analytical model. The conduction mechanisms to have an influence on current conduction are thermionic emission and tunneling current, and subthreshold swings of this paper are compared with those of two dimensional simulation to verify this model. The deviation of current path and the influence of current path on subthreshold swing have been considered according to the dimensional parameters of double gate MOSFET, i.e. gate length, gate oxide thickness, channel thickness. The optimum channel doping concentration is determined as the deviation of conduction path is considered according doping concentration.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.4
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• pp.805-811
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• 2012

In this paper, movement of conduction path has been analyzed for electron distribution in the channel of double gate(DG) MOSFET. The analytical potential distribution model of Poisson equation, validated in previous researches, has been used to analyze transport characteristics. DGMOSFETs have the adventage to be able to reduce short channel effects due to improvement for controllability of current by two gate voltages. Since short channel effects have been occurred in subthreshold region including threshold region, the analysis of transport characteristics in subthreshold region is very important. Also transport characteristics have been influenced on the deviation of electron distribution and conduction path. In this study, the influence of electron distribution on conduction path has been analyzed according to intensity and distribution of doping and channel dimension.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.861-864
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• 2006

In this paper conduction phenomena have been considered for nano structure double gate MOSFET, using the analytical model. The Possion equation is used to obtain the analytical model. The conduction mechanisms to have an influence on current conduction are thermionic emission and tunneling current, and subthreshold swings of this paper is compared with those of two dimensional simulation to verify this model. The deviation of current path and the influence of current path on subthreshold swing have been considered according to the dimensional parameters of double gate MOSFET, i.e. gate length, gateoxide thickness, channel thickness. The optimum channel doping concentration is determined as the deviation of conduction path is considered according to channel doping concentration.