• Title/Summary/Keyword: 전기장의 세기

Search Result 163, Processing Time 0.032 seconds

Measurement and Evaluation of VDT Electo-magnetic Wave (VDT 전자파의 측정 및 평가)

  • 박재희;김진호;김철중;조춘수
    • Proceedings of the ESK Conference
    • /
    • 1993.10a
    • /
    • pp.38-45
    • /
    • 1993
  • VDT는 저주파 대역에서 인체에 해롭다고 여겨지는 전자파를 발생시키고 있다. 선진제국에서는 VDT에 서 발생하는 전자파를 규제하기 위해 VDT 전자파 측정방법의 표준화와 안전 규제 등을 실시하고 있다. VDT와 관련한 대표적인 측정기준으로는 스웨덴의 MPR 기준이 있다. 본 연구에서는 MPR 기준에 의거 VDT의 전기장, 자기장 모두에 대해 거리별, 방향별, 높이별 세기를 측정하였다. 또한 VDT 전자파의 상대적 세기를 알아보기 위해 다른 전기제품인 전기담요, 헤어드리이어 등에 대한 비교측정도 수행하였 으며, 보안경의 전자파 차폐효과도 측정하였다. 측정결과, VDT 전기장은 전면에서 세기가 가장 크며, 후면으로 갈수록 작아지는 것으로 나타났으며, 자기장은 ELF 대역은 양측면에서, VLF 대역은 전면에서 그 크기가 가장 큰것으로 나타났다. 전기제품과의 비교에서는 VDT의 전기장, 자기장은 전기담요, 헤어 드리이어 등에 비해 크지 않은 것으로 나타났으며, 보안경은 접지해서 쓸때만 전기장 차폐효과가 큰것 으로 나타났다.

  • PDF

Electric field distribution in pores of n - type porous silicon (n 형 다공성 실리콘의 기공 내에서의 전기장 분포)

  • 정원영;김도현
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.5 no.3
    • /
    • pp.284-290
    • /
    • 1995
  • 다공성 실리콘의 기공은 n형 실리콘의 경우 기판에 수직으로 성장하여 이는 큰 곡률을 가지는 기공 끝 부분에서의높은 전기장에 의한 tunneling 기구로 설명된다. 본연구에서는 불산 수용액에서 전기화학적인 방법으로 다공성 실리콘을 제조할 때 n형 단결정 실리콘 기판과 전해질 용액의 계면에서의 전압 분포를 Poisson식에 의하여 수치적으로 계산하였다. 이 전압 분포로 기공 벽에서의 전기장 세기 및 전류 세기를 구하여 기공이 기판에 수직으로 성장하는 것을 설명하였다. 기공 사이의 거리는 고갈층의 두께에 의하여 결정되며, 고갈층의 두깨를 계산하여 그 원인에 대해서도 고찰하였다.

  • PDF

전자파 챔버에서의 필드 균일성 검증 및 분석

  • Jang, Jae-Ung;Kim, Tae-Yun;Jang, Gyeong-Deok;Mun, Gwi-Won
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
    • /
    • v.37 no.2
    • /
    • pp.135.1-135.1
    • /
    • 2012
  • 위성 및 발사체 등 지상 및 우주에서 운용되는 시스템은 발사 및 궤도 내 운용환경에서의 다양한 전자파환경에 노출되며 이를 모사하는 전자파환경시험을 전자파챔버에서 수행하게 된다. 전자파챔버에서의 전자파환경시험은 크게 방출시험과 내성시험으로 구분된다. 그 중 복사성 내성시험은 안테나를 통해 방출되는 전기장 에너지를 시험 대상 유니트 또는 시스템에 복사함으로서 발생되는 시험품의 정상동작 여부를 판단하는 시험이다. 이 때, 안테나로부터 복사되는 전기장의 세기는 주파수 및 안테나 타입에 따라 상이한 형상을 가지므로 시험품에 복사되는 전기장 에너지 또한 그에 따른 형상을 가지게 된다. 이에 따라 전자파챔버에서 복사성 내성 시험을 수행할 때 주파수 및 안테나 타입에 따른 필드 균일성 패턴을 측정하고 안테나 빔 중심과 그 주변에서 발생되는 전기장 세기를 정량적으로 평가함으로써 시험품에 대한 복사성 내성시험을 수행함에 있어 시험품 영역에 따른 내성특성을 확인할 수 있을 것이다. 본 논문에서는 한국항공우주연구원 전자파챔버에서 사용하는 복사성 내성 시험용 안테나에 대해 시스템 및 유니트 시험영역에서 필드 균일성 시험을 수행함으로서 위성 또는 발사체 시스템 및 유닛에 복사되는 전기장의 분포 특성을 분석하였다.

  • PDF

The analysis of E-field produced by satellite S-band under fairing of launcher (인공위성 S-band가 형성한 발사체 패어링내의 전기장 해석)

  • Kim, Eui-Chan;Lee, Sang-Kon
    • Aerospace Engineering and Technology
    • /
    • v.10 no.2
    • /
    • pp.82-86
    • /
    • 2011
  • This paper presents an RF Electric field assessment at 2.290 [GHz] inside launcher PROTON M/Breeze M long fairings, produced by COMS TM. COMS intentional RE due to TM ON under fairing has been assessed considering PROTON M / BREEZE M fairing characteristics. As fairings of all launchers present similar sizes, a similar E-field level under fairing is expected for the other launchers. As a result, the RE level under faring is compliant with COMS RS limits, but is not compliant with RS requirements of the launcher PROTON M/Breeze M.

InAs/GaAs 양자점 태양전지의 여기광 세기에 따른 Photoreflectance 특성 연구

  • Lee, Seung-Hyeon;Min, Seong-Sik;Son, Chang-Won;Han, Im-Sik;Lee, Sang-Jo;Smith, Ryan P.;Bae, In-Ho;Kim, Jong-Su;Lee, Sang-Jun;No, Sam-Gyu;Kim, Jin-Su;Choe, Hyeon-Gwang;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.426-426
    • /
    • 2012
  • 본 연구에서는 GaAs p-i-n 접합 구조에 InAs 양자점을 삽입한 양자점 태양전지(Quantum Dot Solar Cell; QDSC)의 내부 전기장(internal electric field)을 조사하기 위하여 Photoreflectance (PR) 방법을 이용하였다. QDSC 구조는 GaAs p-i-n 구조의 공핍층 내에 8주기의 InAs 양자점 층을 삽입하였으며 각 양자점 층은 40 nm 두께의 i-GaAs로 분리하였다. InAs/GaAs QDSC는 분자선박막 성장장치(molecular beam epitaxy; MBE)를 이용하여 성장하였다. 이 때 양자점의 형성은 InAs 2.0 ML(monolayer)를 기판온도 $470^{\circ}C$에서 증착하였다. QDSC 구조에서 여기광원의 세기에 따른 전기장의 변화를 조사하였다. 아울러 양자점 층 사이의 i-GaAs 층 내에 6.0 nm의 AlGaAs 퍼텐셜 장벽(potential barrier)을 삽입하여 퍼텐셜 장벽 유무에 따른 전기장 변화를 조사하였다. PR 측정에서 여기광원으로는 633 nm의 He-Ne 레이저를 이용하였으며 여기광의 세기는 $2mW/cm^2$에서 $90mW/cm^2$까지 변화를 주어 여기광세기 의존성실험을 수행하였다. 여기광의 세기가 증가할수록 photovoltaic effect에 의한 내부 전기장의 변화를 관측할 수 있었다. PR 결과로부터 p-i-n 구조의 p-i 영역과 i-n 접합 계면의 junction field를 검출하였다. p-i-n의 i-영역에 양자점을 삽입한 경우 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주파수가 p-i-n 구조와 비교하여 변조됨을 관측하였다. 이러한 FKO 주파수성분은 fast Fourier transform (FFT)을 이용하여 검출하였다. FKO의 주파수 성분들은 고전기장하에서 electron-heavyhole (e-hh)과 electron-lighthole (e-lh) 전이에 의해 나타나는 성분으로 확인되었다.

  • PDF

사상형 fluid maper의 전류로와 사상영역의 특성 및 응용에 대하여

  • 고명삼
    • 전기의세계
    • /
    • v.9
    • /
    • pp.40-45
    • /
    • 1962
  • Laplace 및 Possion의 방정식을 만족하는 전장 및 자장으로 구성된 2차원 및 축대칭 3차원의 potential장을 물의 유동장을 이용한 fluid mapper로 상사해석함에 있어서 세극유로에 있어서의 유체전도율은 매질전도율로 압력은 전위로 유동장의 세기는 전장의 세기로, 유량밀도는 전류밀도로 각각 상사되며 또한 사상형에 있어서는 사상영역외에 존재하는 유선은 등자위선을 의미함을 논문에서 밝혔다. 이 논문에서는 사상형 fluid mapper의 전 유로 및 사상영역에 잇어서의 유체력학적 현상을 이론적으로 규명하여 이를 전기적 등가회로와 상사 해석함으로써 사상형 fluid mapper가 내포하고 있는 제량간의 상호관계를 명백히 하며 몇 가지 대표적인 사례를 들어 사상형 fluid mapper의 응용에 대하여 기술하였다.

  • PDF

Optical Properties of Plasmons in a GaAs/AlxGa1-xAs Multiple Quantum Well Under Electric and Magnetic Fields (전기장과 자기장하의 GaAs/AlxGa1-xAs 다중 양자 우물 내 플라즈몬의 광학적 속성)

  • Ahn, Hyung Soo;Lee, Sang Chil;Kim, Suck Whan
    • New Physics: Sae Mulli
    • /
    • v.68 no.11
    • /
    • pp.1183-1191
    • /
    • 2018
  • The plasmon behaviors in a superlattice of $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the superlattice axis by using a previously published theoretical framework. From the density-density correlation functions by considering the intrasubband and the inter-subband transitions under the random phase approximation, we calculate the dispersion energies of the surface and the bulk states as functions of the composition of the multiple quantum well structure and of the magnetic field strength and the average electric field strength over the quantum well. The Raman intensities for various magnetic field strengths and average electric field strengths over the quantum well are also obtained as a function of the energy of the incoming light for these states.

Effect of High Voltage Pulsed Electric Fields on Extraction of Purple Sweet Potato Pigment (자색 고구마 색소의 추출에 미치는 고전압 펄스 전기장의 영향)

  • Shin, Jung-Kue;Shin, Hae-Hun
    • Food Science and Preservation
    • /
    • v.14 no.2
    • /
    • pp.165-169
    • /
    • 2007
  • High voltage pulsed electric fields (PEF) is a promising technology for the nonthermal extraction of effective components from biological materials. Plant cells were ruptured with PEF at ambient or refrigerated temperature for a short treatment time of second or microsecond. Treatments of coarsely ground purple sweet potato (PSP) with PEF(30 kV/cm, 500 Hz) resulted in maximum extraction yield of 65% as compared with 45-50% for control. An increase in electric field strength (from 10kV/cm to 35kV/cm) and frequency (from 100Hz to 500Hz) resulted in increased amount of extracted pigments, but treatment time is not affected on pigment extraction. Starch granules were not detected and large intracellular spaces were visible between the cells on light and scanning election microscopy of PEF treated PSP. This result suggests that PEF have potential to use on extraction of pigments from plant cells.

신경회로망의 광학적 구현

  • 신상영;이수영;장주석
    • 전기의세계
    • /
    • v.38 no.2
    • /
    • pp.53-65
    • /
    • 1989
  • 공학적인 측면에서 볼때 20세기 초반이 자동차나 비행기와 같은 수송수단의 개발시기였다면 20세기 후반은 컴퓨터시대였다고 할 수 있을 것이다. 전문가들 중에서 다가오는 21세기는 인공지능소자의 개발시대가 될것이라고 전망하는 사람이 많다. 아마도 그리 멀지 않은 때에 사람과 비슷한 인지기능과 지능을 갖는 로봇트가 위성탐사를 위해 제작되어지리라 기대해 봄직하다.

  • PDF

고출력 펨토초 레이저와 플라즈마의 상호작용을 통한 극고속 X선 펄스의 발생

  • Jeong, Sang-Yeong;Hwang, Seok-Won;Lee, Hae-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.08a
    • /
    • pp.38-38
    • /
    • 2010
  • 낮은 세기의 레이저와 정지한 전자가 반응하면 전자는 레이저 전기장 세기에 비례하여 가속되며 레이저의 파장과 같은 파장의 빛을 낸다. 반면, 레이저의 세기가 일정 수준을 넘으면 전자의 속도가 빛의 속도에 가까워지게 되어 가속이 둔화되는 현상이 나타나며, 더 이상 전기장의 세기와 가속도가 비례하지 않게 된다. 이러한 비선형적인 전자의 운동이 레이저 기본 파장의 조화파(harmonic)를 발생시키는데, 이를 상대론적 비선형 톰슨 산란(relativistic nonlinear Thomson scattering, RNTS)이라고 한다. 단일 전자를 가정한 경우 RNTS에 의해 아토초($10^{-18}$ 초) 길이의 X선 펄스가 발생하는 것이 시뮬레이션 연구를 통해 잘 알려졌다. [1] 그러나, 실제 실험에서 적용할 수 있는 것은 단일 전자가 아니라 고체, 플라즈마, 전자 빔 등의 전자 덩어리이다. 전자덩어리를 구성하는 각각의 전자가 아토초 펄스를 발생시더라도 각각의 펄스 간에 결맞음(coherence) 조건이 맞지 않으면 아토초 펄스는 발생되지 않는다. 또한, 강한 세기의 펄스를 얻는데도 결맞음은 중요하다. 이 연구에서는 결맞음 조건으로 얇은 타깃에 대한 거울 반사 조건, 즉 레이저가 얇은 타깃에 입사되며 거울의 반사 조건을 만족하는 위치에 검출기(detector)를 위치시키는 방법을 제안하였다. 박막이 충분히 얇을 경우 각각의 전자에 대하여 레이저가 발사되어 타깃에 맞고 검출되기까지의 시간이 거의 일치하게 된다. 거울 반사 조건에 의한 아토초 펄스 발생은 particle-in-cell 방법을 통한 시뮬레이션으로 검증되었다. 결맞음 조건을 위한 얇은 타깃으로는 박막과 나노선 배열(nanowire array)을 사용하였다. 전자들 간의 쿨롱(Coulomb) 힘은 결맞음이 유지되는 것을 방해하는데, 박막에 비해 나노선 배열이 쿨롱 힘의 영향을 적게 받기 때문에 결맞음이 더 잘 유지된다.

  • PDF