Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.02a
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- Pages.426-426
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- 2012
InAs/GaAs 양자점 태양전지의 여기광 세기에 따른 Photoreflectance 특성 연구
- Lee, Seung-Hyeon ;
- Min, Seong-Sik ;
- Son, Chang-Won ;
- Han, Im-Sik ;
- Lee, Sang-Jo ;
- Smith, Ryan P. ;
- Bae, In-Ho ;
- Kim, Jong-Su ;
- Lee, Sang-Jun ;
- No, Sam-Gyu ;
- Kim, Jin-Su ;
- Choe, Hyeon-Gwang ;
- Im, Jae-Yeong
- 이승현 (영남대학교) ;
- 민성식 (영남대학교) ;
- 손창원 (영남대학교) ;
- 한임식 (영남대학교) ;
- 이상조 (영남대학교) ;
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- 배인호 (영남대학교) ;
- 김종수 (영남대학교) ;
- 이상준 (한국표준과학연구원) ;
- 노삼규 (한국표준과학연구원) ;
- 김진수 (전북대학교) ;
- 최현광 (인제대학교) ;
- 임재영 (인제대학교)
- Published : 2012.02.08
Abstract
본 연구에서는 GaAs p-i-n 접합 구조에 InAs 양자점을 삽입한 양자점 태양전지(Quantum Dot Solar Cell; QDSC)의 내부 전기장(internal electric field)을 조사하기 위하여 Photoreflectance (PR) 방법을 이용하였다. QDSC 구조는 GaAs p-i-n 구조의 공핍층 내에 8주기의 InAs 양자점 층을 삽입하였으며 각 양자점 층은 40 nm 두께의 i-GaAs로 분리하였다. InAs/GaAs QDSC는 분자선박막 성장장치(molecular beam epitaxy; MBE)를 이용하여 성장하였다. 이 때 양자점의 형성은 InAs 2.0 ML(monolayer)를 기판온도