• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.12
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• pp.15-22
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• 2011

Integrated-optic symmetric/asymmetric Mach-Zehnder interferometers at $1.3{\mu}m$ wavelength were studied as sensing part for electric-field measurement system. The devices were simulated based on the BPM software and fabricated utilizing Ti-diffused $LiNbO_3$ channel optical waveguides and lumped-type electrodes. A half-wave voltage of $V_{\pi}$=6.6V and modulation depth of 100% and 75% for a symmetric structure were measured for 200Hz and 1kHz electrical signal bandwidth, respectively. By the way, almost half-maximum power transmission was observed for asymmetric interferometers with ${\pi}$/2 intrinsic phase difference. Expected experimental measurements were observed for 1kHz electrical signal bandwidth.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.7 no.2
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• pp.105-116
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• 1996

The design and analysis of the transversely fed EMC(electromagnetically coupled) microstrip dipole have been accomplished by using the integral equation and MOM(method of moment)in frequency domain in order to find the current distribution of the dipole. In this study, we proposed the possibilities for design and analysis of EMC micro-strip dipole array antenna by means of calculating the current distribution of each dipole directly using the FDTD(finite difference time domain) method. In this case, we applied the formulation which is the finite difference expression of the Maxwell's integral equation. From the current distribution of each dipole, we calculated the far field electric component and showed that the calculation process and running time was reduced with respect to the method which calculates the radiation field with surface electric and magnetic current density.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.12
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• pp.1340-1350
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• 2009

The design and implementation of planar Active Phased Array Antenna System are described in this paper. This Antenna system operates at X-band with its bandwidth 10 % and dual polarization is realized using dual slot feeding microstrip patch antenna and SPDT(Single Pole Double Through) switch. Array Structure is $16\times16$ triangular lattice structure and each array is composed of TR(Transmit & Receive) module with more than 40 dBm power. Each TR module includes digital attenuator and phase shifter so that antenna beam can be electronically steered over a scan angle$({\pm}60^{\circ})$. Measurement of antenna pattern is conducted using a near field chamber and the results coincide with the expected beam pattern. From these results, it can be convinced that this antenna can be used with control of beam steering and beam shaping.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.25 no.2
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• pp.217-222
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• 2014

This paper discusses about the beam pattern distortion caused by the failures of some antenna modules in the active array antenna and analyses the possibility of improvement through applying the beam pattern compensation method previously studied. The beam pattern distortion which is mostly represented as an increase of the sidelobe level, can be suppressed through re-synthesizing each module's magnitude and phase. This method was applied to the prototype of active array antenna system, and the results of antenna pattern distortion and compensation were analyzed and measured in the Near Field Chamber. Array failures are generally divided into random TR module failures and TRU(TR Unit: combination of TR modules, Beam Computation module, Power supply module) failures. The results of beam pattern compensation were analyzed in each failure and compared to the results of the simulation. The beam pattern compensation results applied to the real active antenna array system showed the similar to the simulation results. Consequently, it was verified the beam pattern could be compensated with the magnitude and phase adjustment of other normal antenna modules.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.10 no.9
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• pp.2246-2252
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• 2009

A new metamaterial antenna with dual resonant modes is presented using an asymmetrical periodic arrangement for orthogonal radiation patterns. The proposed antenna produces two orthogonal modes by the asymmetrical periodic unit-cell arrangement. The orthogonal resonant mode provides perpendicular radiation patterns without changing the antenna polarization at each resonant mode. The fabricated antenna shows good agreements with the theoretical analysis of the electric-field. The experimental results shows the orthogonal radiation patterns along x- and y-axises, and gains are 3.34 and 3.86 dBi at each radiating resonant mode, respectively. Additionally, slotted ground structures are embedded on the back side of the antenna in order to reduce the size and enhance the radiation efficiency of 12 % and 27 %, respectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.48 no.2
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• pp.28-34
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• 2011

In previous reports, we investigated a selective assembly method of fabricating single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) on a silicon-dioxide ($SiO_2$) surface by using only a photolithographic process. In this paper, we have fabricated field effect transistors (FETs) with SWCNT channels by using the technique mentioned above. Also, we have electrically measured gating effects of these FETs under different source-drain voltages ($V_{SD}$). These FETs have been fabricated for sensor applications. Photoresist (PR) patterns have been made on a $SiO_2$-grown silicon (Si) substrate by using a photolithographic process. This PR-patterned substrate have been dipped into a SWCNT solution dispersed in dichlorobenzene (DCB). These PR patterns have been removed by using aceton. As a result, a selectively-assembled SWCNT channels in FET arrays have been obtained between source and drain electrodes. Finally, we have successfully fabricated 4 FET arrays based on SWCNT-channels by using our simple self-assembly technique.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.113-121
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• 2012

OLED는 두 개의 전극 사이에 유기물층을 배열하고 전계를 가하여 주입된 전자와 정공이 유기물 내에서 재결합하여 형성되는 여기자가 기저상태로 떨어지면서 빛을 내는 소자이다. 최근 OSRAM, Philips, LG화학, Panasonic 등의 기업에서 매우 우수한 특성을 보이는 OLED 패널 광원을 발표하고 있어 가까운 장래에 예전에 볼 수 없던 디자인의 OLED 조명이 일반조명 시장에 나올 것으로 예상됨에 따라 표준화 활동도 활발해지고 있다. OLED 조명은 기존 조명과 형태 및 특성이 다르기 때문에 기존 조명의 규격 사항을 그대로 적용할 수 없으며, 새로운 OLED 조명 표준 제정은 필수이다. 또한 국제표준화기구의 인증 마크의 유무는 자사 제품의 우수성과 안전성을 홍보하는 수단이고 해외로 진출하기 위해서는 해외의 주요 인증 획득이 필수적인 요소이므로 올바른 OLED 조명 표준 제정과 시험 방법 정립을 통하여 OLED 조명 제품의 국내외 신뢰를 확보하는 데 노력해야 할 것이다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.361-373
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• 1992

이온이나 플라즈마를 사용해서 박막형성이나 MBE진공증착법에 비해서 분자배열이나 고차구조의 제어 및 그의 다양성에 있어서 LB법에 대한 기대가 크다. 특히 습식법인 점에서 생체기능을 짜넣을 수 있는 분자소자의 개발에는 불가능하다. 역으로 생체분자의 자기조직화나 정보전달기능을 분자 Level로 이해하는 점에서도 LB법은 중요하다고 본다. 또 저차원자성체 전도체 여기자등 물리량에 의한 차원성을 고찰하는 점에서도 LB막의 거동이 주목되고 있다. 또 자발분극된 강유전성의 고분자 즉 Poly등의 박막에 광조사를 하면 광생성된 캐리어가 내부전계에 따라서 이동하고 ~$10^{4}$V 정도의 높은 광기전력을 발생시키는 것도 나타났다. 얻어진 전류는 단지 초전효과를 상회하고 광전류라고 할 수 있다. 쇼트키형 소자의 금속-반도체의 절연막층을 MIS형이라고 하며 특성이 향상된다. SnO$_{2}$/NiPc/Polyethylene막/Al형 광전지가 만들어졌다. 광전변환막이 다양한 목적에 사용되리라 사료되며 지금은 초기 연구단계이나 실용화하는데는 많은 시간이 소요되나 간단한 디바이스 등과 같은 것은 제작이 가능할 것이며 광에너지로 힌한 화학, 전기, 역학 에너지로 변환되는 데는 시간 문제인것 같다. 1년간 일본 동경공업대학 생명이공학부에서 연구한 내용을 정리하여 보았으며 이에 협조하여 주신 문교부 학술진흥재단에 감사드리며 또 등평연구실에 감사드린다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07e
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• pp.1997-2000
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• 1999

본 연구에서 제시하는 기공세라믹(Porous Ceramic)에 의한 누설전류 측정법은 기공 사이즈가 일정한 Open Pore Cell내에서 도전성 물질 및 이온화된 물질이 기공 사이에 침투되었을 때 외부에서 전계를 가하므로 써 이들 이온화 된 물질이 chain처럼 배열되어 전기적 병렬회로를 구성시켜 미세한 누설전류를 흐르게 한다. 이 누설전류법에 의한 도전성분 검출을 여러 환경 배출가스에 대한 모의실험을 실시한 결과 기공세라믹인 센서 자체의 누설전류는 가스 온도 150 ($^{\circ}C$) 이상에서 급격한 변화를 보이고 200($^{\circ}C$)에서 센서 자체의 전류치와 가스를 주입하였을 때의 전류치와는 상당한 격차를 두고 변화됨을 알 수 있었다. 그리고 공장연돌이나 자동차 배기관에서 방출되는 가스 중 HC, CO, NO, $CO_2$, $SO_2$, $N_2$ 등에 대한 센서 특성이 각각 달리 나타남을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.931-933
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• 2000

Bi-2223 테이프의 실제 전력기기 응용측면을 고려할 때 테이프는 외부자계하에 놓이게 된다. 따라서 본 연구에서는 외부자계가 Bi-2223 테이프의 통전손실에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 비교적 작은 자계가 인가된 경우는 전압리드의 배역이 통전손실측정에 영향을 미쳤으나 비교적 큰 자계가 인가된 경우는 전압리드의 배열에 무관하다는 사실과, 전계와 통전손실은 외부사계가 증가함에 따라 각각 증가하였으며 비교적 큰 자계가 인가된 경우에 통선손실은 동저항 손실이 지배적이었으며. 외부자계가 작은 영역에서 통전손실은 동저항 이외의 또 다른 메카니즘에 의한 것으로 사려된다.