• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 2004.11a
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• pp.407-412
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• 2004

본 연구에서는 PMN-PT bimorph actuator를 이용하여 초소형 광디스크 드라이브용 광픽업 구동기를 제작하였다. 최근에 휴대용 기기에서의 고용량 정보 저장기기에 대한 필요성이 대두됨에 따라 착탈식이 가능한 수 기가급 초소형 광디스크 드라이브가 개발중에 있다. PMN-PT는 약 1.5kV/cm 이하의 전기장에서는 PZT같은 압전 소자와 마찬가지로 입력 전압에 대한 변형률이 선형성을 나타내는데, 사용된 PMN-PT는 PZT의 약 3배 가까운 압전 상수값을 나타내었다. 보 끝단에 외부 힘이 작용할 때 PMN-PT bimorph 구동기가 낼 수 있는 수직 방향의 힘과 변위에 대해서 일반적인 적층 형태로 이론적인 해석을 수행 하였다. 그리고 이 bimorph로 구동될 Cymbal 형태의 변위 확대 기구의 변위에 대한 이론적인 모델을 제시하고, 이를 이용하여 2개의 bimorph로 2축을 동시에 구동하는 픽업 구동기를 제작하였다. 3개의 제작된 prototype으로 실험을 수행하여 예상 변위량과 잘 일치함을 보였다. 또한, 상용 해석 프로그램인 Matlab과 Ansys를 이용하여 Cymbal 확대 기구의 여러 파라미터에 따른 구동 성능의 민감도를 확인해 보았다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.4
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• pp.1229-1232
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• 2010

In this study, in order to develop multilayer piezoelectric transformer for high electromechanical coupling factor and mechanical quality factor. and to show the general approach to the design of inverters utilizing PT as a circuit element. The description of the piezoelectric effect is not present here and can be easily found in numerous publications as well as complex equations and formulae. What is the most important to understand is that "they are different" -one cannot just change an electromagnetic transformer (EMT) for a piezoelectric one. Several examples of PT-based circuitry will help to start and use multilayer piezoelectric transformer advantages most effectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2022.10a
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• pp.118-120
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• 2022

This paper investigated the change of threshold voltage according to the influence of work-function variation (WFV) of metal gate in the device structure of monolithic 3-dimension inverter (M3DINV). In addition, in order to investigate the change in threshold voltage according to the electrical coupling of the NMOS stacked on the PMOS, the gate voltages of PMOS were applied as 0 and 1 V and then the electrical coupling was investigated. The average change in threshold voltage was measured to be 0.1684 V, and they standard deviation was 0.00079 V.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.209-209
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• 2010

단위면적 당 메모리 집적도를 높이기 위해 플래시 기억소자의 크기를 줄일 때, 절연층 두께 감소에 의한 누설 전류의 발생, 단채널 효과 및 협폭 효과와 같은 문제 때문에 소자 크기의 축소가 한계에 도달하고 있다. 이러한 문제점들을 개선하기 위해 본 연구에서는 FinFET구조위에 Oxide-Nitride-Oxide (ONO) 층을 적층하여 2-비트 특성을 갖는 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 소자의 작동전압을 크게 줄일 수 있으며 소자의 크기가 작아질 때 일어나는 단채널 효과의 문제점을 해결할 수 있는 FinFET 구조를 가진 기억소자에서 제어게이트를 제어게이트1과 제어게이트2로 나누어 독립적으로 쓰기 및 소거 동작하도록 하였다. 2-비트 동작을 위해 제어 게이트1의 게이트 절연막의 두께를 제어게이트2의 게이트 절연막의 두께보다 더 얇게 함으로써 두 제어게이트 사이의 coupling ratio를 다르게 하였다. 제어게이트1의 트랩층의 두께를 제어게이트2의 트랩층의 두께보다 크게 하여 제어게이트1의 트랩층에 더 많은 양의 전하가 포획될 수 있도록 하였다. 제안한 기억소자가 2-비트 동작하는 것을 확인 하기위하여 2차원 시뮬레이션툴인 MEDICI를 사용하여 제시한 FinFET 구조를 가진 기억소자의 전기적 특성을 시뮬레이션하였다. 시뮬레이션을 통해 얻은 2-비트에 대한 각 상태에서 각 전하 포획 층에 포획된 전하량의 비교를 통해서 coupling ratio 차이와 전하 포획층의 두께 차이로 인해 포획되는 전하량이 달라졌다. 각 상태에서 제어게이트에 읽기 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 얻었으며, 각 상태에서의 문턱전압들이 잘 구분됨을 확인함으로써 제안한 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리 소자가 셀 당 2-비트 동작됨을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.209-209
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• 2008

$BaTiO_3$는 대표적인 강유전체 재료로서 적층형 세라믹 콘덴서 (MLCC), PTC thermistor, resonator 등 다양한 분야에서 사용되고 있다. $BaTiO_3$ 기본조성으로 하는 PTC 써미스터는 온도가 올라감에 따라 저황이 높아지는 특성을 가지고 있으며, 이러한 PTCR 특성은 작동되는 큐리온도에 따라 그 적용이 달라진다. PTCR 소자는 소결온도, 소결분위기, 불순물, 첨가제 등의 제조공정상의 인자들과 기공률, 결정립 크기 등이 복합적으로 작용해 PTCR 특성에 영향을 미치기 때문에 제조하기에 무척 까다로운 소자로 알려져 있다. 하지만 우수한 특성을 지닌 PTCR 소자를 제조하기 위하여 새로운 조성개발이 이루어지고 있으며, 전기적 특성 개선, 재현성 확보, 제조원가 절감 등의 측면에서 새로운 공정개발이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 Sm을 첨가한 $BaTiO_3$계 재료의 PTCR 특성에 미치는 Ti/Ba ratio 등의 변화에 따른 영향을 조사하고 공기 중과 환원분위기 중에서 소결된 시편의 차이점과 재산화 처리에 따른 PTC 특성에 미치는 영향을 R-T 측정으로 고찰하였다. 본 조성은 환원 분위기에서 소결할 경우 그 미세구조는 Ti/Ba ratio비가 높을 때 grain size가 커져 상온 비저항을 낮출 수 있었다. Sm 첨가로 상온 비저항값은 낮출 수 있었으나 공기 중에서 재산화 처리하더라도 jumping ratio$(R_{max}/R_{25^{\circ}C})$는 Ti/Ba ratio와 거의 무관한 것으로 분석되었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.6
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• pp.626-631
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• 1996

현재 선진국에서는 전자기기에서 복사되는 전자파 및 이에 노출되었을 때의 내성에 대해서 동시에 규제하고 있다. 따라서 전자기기에서 사용하는 신호의 주파수가 점점 높아지고 회로가 집적화되므로 회로설계에 포함되지 않는 기생 소자의 영향도 연구되어져야 한다. 그러므로 이러한 조건을 모두 고려하여 초고주파 회로를 완전하게 설계제작할 수 있다면 이는 이상적인 기술이라 할 수 있을 것이다. 이것을 이루려면 많은 시간 동안의 연구와 분석을 통해 최종 생산물이 되기까지 대단한 노력이 요구된다. 본문에서는 초고주파 인쇄 회로 기판을 설계할 때 고려해야 할 점, 즉, 유전율 및 유전체의 두께, 소자 실장, 접지면 부착 및 회로의 패키지화에 관해서 소개하고자 한다.

• Fire Science and Engineering
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• v.19 no.2 s.58
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• pp.75-80
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• 2005

This dissertation is about the development of PTC(Positive Temperature Coefficient) thermistor by composition method. A multilayer-type PTC samples were fabricated under optimal conditions after setting the experimental composition equation as $(0.90Ba+0.05Sr+0.05Ca)TiO_3+0.01TiO_3+0.01SiO_2+0.0008MnO_2+0.0018Nb_2O_5$ and their testing results were analyzed. The fabrication method of SMD(Surface Mounted Device) multilayer -type sample based on the composition ratio has the advantages in lowering its resistivity at room temperature, considerably, and increasing maximum current level, as needed. Although there is a disadvantage of peak resistivity drop by the multilayer, causing the increasement of thermal capacity. and thereby, increasing the switching delay time, a high applying voltage can increase the peak resistivity and shorten the switching delay time. The voltage-current characteristic showed that the more multilayers increased the initial maximum current and the transition voltage that increased the resistivity abruptly according to the curie point. The element it could be applied with the sensor for the fire detector.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.210-210
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• 2013

그래핀은 뛰어난 기계적, 화학적, 광학적, 전기적 특성을 가지고 있는 2차원 물질로, 대면적 합성법과 전사 공정을 통해 다양한 기판에서의 사용이 가능해지면서 차세대 전자 소자로 활용하기위한 활발한 연구가 이루어지고 있다. 디스플레이, 태양전지의 전극과 전계 효과 트랜지스터의 채널로 적용한 연구에서 우수한 결과들을 보이고 있다. 특히, 금속/금속 산화물 전극은 염료 감응형 태양전지와 유기 발광 다이오드 구조에서 화학적으로 불안정할 뿐 아니라 일함수가 고정되어 쇼트키 접촉이 형성되면 저항을 낮추기 어렵지만, 그래핀은 금속/금속 산화물 전극보다 화학적으로 안정하고 일함수의 조절이 가능해 옴 접촉 형성에 용이하다. 그래핀의 일함수를 조절하는 연구는 크게 공유결합과 비공유 결합을 이용한 방법이 시도된다. 공유 결합을 이용한 방법은 합성과정에서 그래핀의 구조에 내재된 결함 혹은 새로운 결함을 형성하여 다른 원소를 첨가하는 방법이다. 이러한 방법은 그래핀의 결함 영역에서 작용하기 때문에 그래핀 전자 구조의 높은 수준 조절을 위해선 그래핀 구조의 파괴가 동반된다. 반면, 비공유 결합을 이용한 방법은 전하 이동 도핑 효과를 이용해 그래핀의 전자 구조를 제어하는 방법으로, 금속/금속산화물/기능기와 그래핀의 적층으로 복합 구조를 형성하는 방법이다. 금속/금속 산화물과의 복합구조는 안정적인 p-형 도핑이 보고되었지만, n-형 도핑은 대기중의 수분, 산소 그리고 기판과의 상호작용에 의해 대기중에서 불안정해 추가적인 피막공정이 요구된다. 기능기를 이용한 적층 구조는 그래핀과 기판사이의 상호작용 혹은 그래핀 전자 구조를 다양한 기능기를 이용해 제어하는 것으로, 이극성을 가진 자기정렬 단일층(self-assembled monolayers)이 대표적인 방법이다. 공간기(spacer)의 길이나 말단기(end group)의 종류로 p-형과 n-형의 도핑 수준을 제어할 수 있지만, 흡착기(chemisorbing groups)의 반응성이 기판의 화학적, 물리적 표면상태에 의존하기때문에 기판 선택이 제약되며 전처리 공정이 요구될 수 있는 한계가 있다. 본 연구에서는 다양한 기판에 적용가능한 용액 공정을 이용해 그래핀과 고분자를 적층하였고, 안정적이고 효과적으로 일함수를 낮추는 구조를 확인하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.43 no.3
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• pp.315-320
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• 1999

Novel electroluminescent materials, polymer material, PU-BCN and low molar mass material, D-BCN with the same chromophores were designed and synthesized. A molecular structure of chromophore was composed of bisstyrylbenzene derivative with cyano groups as electron injection and transport and phenylamine groups as hole injection and transport. Device structures with PU-BCN and D-BCN as an emission layer were fa-bricated, which were a single-layer device(SL), Indium-tin oxide(ITO)/emission layer/MgAg, and two kinds of double-layer devices which were composed of ITO/emission layer/oxadiazole derivative/MgAg as a DL-E device and ITO/triphenylamine derivative/emission layer/MgAg as a DL-H device. The two emission materials, PU-BCN and D-BCN with the same emission-chromophore were evaluated as having excellent performance of charge injection and transport and revealed almost the same emission characteristics in high current density. EL emission maximum peaks of two material were detected at about 640 nm wavelength of red emission region.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.10
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• pp.17-22
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• 1999

In this paper, the results of the studies about a new proposal where the ONON(oxide-nitride-oxide-nitride) layer instead of the conventional ONO(oxide-nitride-oxide) layer is used as the IPD(inter-poly-dielectrics) layer to improve the data retention problem in the Flash EEPROM cell, have been discussed. For these studies, the stacked-gate Flash EEPROM cell with an about 10nm thick gate oxide and on ONO or ONON IPD layer have been fabricated. The measurement results have shown that the data retention characteristics of the devices with the ONO IPD layer are significantly degraded with an activation energy of 0.78 eV. which is much lower than the minimum value (1.0 eV) required for the Flash EEPROM cell. This is believed to be due to the partial or whole etching of the top oxide of the IPD layer during the cleaning process performed just prior to the dry oxidation process to grow the gate oxide of the peripheral MOSFET devices. Whereas the data retention characteristics of the devices with the ONON IPD layer have been found to be much (more than 50%) improved with an activation energy of 1.10 eV. This must be because the thin nitride layer on the top oxide layer in the ONON IPD layer protected the top oxide layer from being etched during the cleaning process.