Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2022.10a
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- Pages.118-120
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- 2022
Investigation of threshold voltage change due to the influence of work-function variation of monolithic 3D Inverter with High-K Gate Oxide
고유전율 게이트 산화막을 가진 적층형 3차원 인버터의 일함수 변화 영향에 의한 문턱전압 변화 조사
- Lee, Geun Jae (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- Published : 2022.10.03
Abstract
This paper investigated the change of threshold voltage according to the influence of work-function variation (WFV) of metal gate in the device structure of monolithic 3-dimension inverter (M3DINV). In addition, in order to investigate the change in threshold voltage according to the electrical coupling of the NMOS stacked on the PMOS, the gate voltages of PMOS were applied as 0 and 1 V and then the electrical coupling was investigated. The average change in threshold voltage was measured to be 0.1684 V, and they standard deviation was 0.00079 V.
본 논문은 M3D(Monolithic 3-Dimension) Inverter의 소자 구조에서 메탈 게이트의 WFV(Work-function Variation)의 영향에 따른 임계전압의 변화에 대하여 조사했다. 또한 PMOS 위에 NMOS가 적층된 인버터의 전기적 상호작용에 따른 임계전압의 변화를 조사하기 위해 PMOS에 0과 1 V의 전압을 인가하여 전기적 상호작용을 조사하였다. 사용된 메탈 게이트의 평균 일함수에 대한 임계전압의 변화량은 0.1684 V로 측정되었고, 표준편차는 0.00079 V가 조사 되었다.