• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제6권5호
• /
• pp.461-469
• /
• 1993

본 논문에서는 대기상태에서 불평등 전계를 형성하는 봉대봉 전극사이에 절연판 장벽을 삽입하였을 때 절연특성이 개선되는 장벽효과를 실험적으로 연구하였다. 본 실험에서 전극사이에 각각 절연 장벽을 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락정압을 측정하고 또 여러 종류의 장벽 재료에 대해 장벽의 높이와 두께를 변화 시켰을 때의 섬락전압을 측정함으로써 장벽효과를 연구 검토하였다. 실험결과, 절연체 장벽을 각각 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락전압의 비는 1.3-2.0 정도임을 확인하였고 또한 장벽의 높이가 전극간 거리와 같아질 때까지는 섬락전압이 상승하였으나 그 이상일 때에는 변화하지 않음을 알 수 있었다. 또 장벽이 두꺼울수록, 장벽 재료의 유전율이 작아질수록 섬락정압이 상승하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
• /
• pp.821-823
• /
• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널 MOSFET에서 드레인전압에 의하여 소스측 전위장벽이 낮아지는 효과를 정량화하여 표현한다. 소스 측 전위장벽이 낮아지면 결국 문턱전압에 영향을 미치므로 드레인전압에 따른 문턱전압의 변화를 관찰할 것이다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있는 특징이 있다. 그러므로 본 연구에서는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께변화에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상을 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하여 분석하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 큰 변화를 나타냈다. 또한 도핑농도에 따라 드레인유도장벽감소 현상이 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 경영과정보연구
• /
• 제34권3호
• /
• pp.215-230
• /
• 2015

모험스포츠 산업은 점점 더 성장하고 있으며 이론적 관심도 꾸준히 성장하고 있다(김영재 2001; 한상덕 2004; Clifford and Clifford 1967; Rohnke 1989). 모험스포츠는 극복스포츠라고도 불릴만큼(McIntosh 1963), 장벽과 밀접하게 관련되지만, 기존 연구는 주로 모험스포츠 참여자의 성향(김영재 2001; 박동규 2008)이나 몰입에 영향을 주는 요인(김건철 1999; 문태영, 박승환 2003; 이상덕, 전민주 2004)에 초점을 맞추고 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 기존연구의 결핍을 보완하고자 모험스포츠의 장벽-장비상의 장벽, 시간상의 장벽, 장소상의 장벽, 지식 기술상의 장벽-이 몰입경험에 주는 영향과 감각추구성향과 반항성향의 조절영향을 가정하였다. 이러한 가정들을 검증하기 위해 모험스포츠 참여자들을 대상으로 171부의 데이터를 수집하였고, 조절회귀분석을 이용하여 검증하였다. 연구결과, 장비상의 장벽을 제외한 시간상의 장벽, 장소상의 장벽, 지식 기술상의 장벽이 몰입경험에 영향을 주는 것으로 나타났으며, 감각추구성향은 시간상의 장벽과 장소상의 장벽의 영향을 조절하며, 반항성향은 지식 기술상의 장벽이 몰입경험에 주는 영향을 조절하는 것으로 나타났다. 이러한 연구결과는 모험스포츠에 있어 장벽의 중요한 역할과 성향에 따른 차이를 보여줌으로써 기존 연구의 결핍을 보완하고, 장벽에 관한 연구를 확장하고 있다.

• 벤처다이제스트
• /
• 통권35호
• /
• pp.4-5
• /
• 2003

다음이 지향하는 세상은‘사람과 사람, 사람과 사회의 커뮤니케이션’이라는 문구에 담겨 있다. 다음은 지금까지 기술의 장벽, 편견의 장벽, 미래의 장벽을 허무는 디지털 문화의 전초기지에 서 있어왔다. 다음과 이재웅 대표는 앞으로도 장벽 없는 세상을 만들어가는 첨단의 자리에 서 있기를 주저하지 않을 것이다.

• 한국언론정보학보
• /
• 제49권
• /
• pp.99-121
• /
• 2010

본 연구는 Q방법론을 통해서 과학전문기자들의 다양한 과학보도 장벽들을 살펴보고 이를 유형화하였으며 유형간의 유사성과 차이점에 대해서 분석하였다. 연구결과, 언론인들의 과학보도 장벽 유형은 총 4가지의 유형으로 분류되었다. 유형 I(N = 8)은 과학보도행태의 장벽 유형, 유형 II(N = 3)는 제도적 조직적 장벽유형, 유형 III (N= 5)은 상황적 장벽 유형, 유형 IV(N = 3)는 과학지식의 장벽 유형이었다. 유형 I은 현재 언론계에서 행해지고 있는 잘못된 과학보도행태에 장벽을 느끼는 유형으로써 과학보도에 있어서 특종경쟁이나 속보경쟁, 선정적, 긍정적, 진보적 프레임이 과학기사의 정확성을 해치는 주요 원인으로 생각한다. 유형 II에서는 과학보도의 질 향상은 개인적 차원보다는 조직적 차원에서 먼저 행해져야하고 보도 시스템이 제도적으로 조직적으로 변화되어야 한다고 주장한다. 유형 III은 과학적 연구결과의 오류가능성이라는 과학의 상황적 장벽과 이를 극복하기 위한 시간이나 기회가 없음에 장벽을 느끼는 유형이다. 유형 IV는 언론인들이 과학분야에 대한 전문성이 부족함을 느끼는 과학지식 장벽 유형으로 파악되었다.

• 경영과정보연구
• /
• 제36권2호
• /
• pp.223-237
• /
• 2017

전환장벽은 고객의 이탈을 막는다는 점에서 주로 긍정적인 측면이 강조되었으나, 최근에는 기업이 설정한 전환장벽이 장기적으로 해로울 수 있음이 논의되기 시작하였다(Jones et al. 2000; 정윤희, 2012). 전환장벽의 부정적 영향에 관한 기존연구에서는 전환장벽이 소비자의 전환의 자유를 방해한다는 점에서 부정적 심리반응을 이끌 수 있음은 보여주었으나, 당장 기업에 줄 수 있는 부정적인 영향에 대한 논의는 부족하였다. 따라서 본 연구에서는 전환장벽으로 인해 전환을 못하는 상황에 서비스 실패상황에 관한 연구를 적용하여 소비자들의 전환장벽에 대한 부정적 감정과 불평행동에 대한 연구를 진행하고자 하였다. 전환을 어렵게 하는 전환장벽의 귀인(내적 혹은 외적)에 따라 후회와 원망을 경험하게 되고 이는 수용, 불평행동, 부정적 구전으로 이어질 것으로 가정하였다. 구조방정식 모형을 이용해 가설 검증한 결과, 내적귀인은 후회에 긍정적 영향을 주고, 외적귀인은 원망에 긍정적 영향을 주는 것으로 나타났다. 그리고 후회는 수용과 불평행동에 영향을 주고, 원망은 불평행동과 부정적 구전에 긍정적 영향을 미침을 확인하였다. 이러한 결과는 전환장벽이 고객들의 부정적 감정과 불평행동을 이끌어 기업에 즉각적 피해를 줄 수 있음을 보여줌으로써 기존연구를 확장하고 있으며, 전환장벽에 대한 신중한 실무적 활용을 시사한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.254-254
• /
• 2010

기존의 부유게이트를 이용한 플래시 메모리는 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있기 때문에 이를 해결하기 위한 비휘발성 메모리 소자로 CTF가 큰 관심을 받고 있다. CTF 메모리 소자는 기존의 플래쉬 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 최근 터널 장벽의 두께와 종류를 변화시킨 소자의 전기적 특성을 향상하기 위한 연구들은 많이 있었지만, 터널 장벽의 적층구조 변화에 대한 연구는 비교적 적다. 본 연구에서는 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성 변화에 대해 관찰하였다. 기존의 단일 산화막 (silicon oxide; O) 대신 산화막과 higk-k 물질인 질화막 (silicon nitride; N)을 조합하여 ON, NON, ONO로 터널 장벽의 여러 가지 적층 구조를 가진 소자를 설계하여 각 소자의 프로그램 동작 특성을 조사하였다. CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 거리와 시간에 따른 연속방정식, Shockley-Read-Hall 유사 트랩 포획 방정식 및 푸아송 방정식을 유한차분법을 사용하여 수치해석으로 분석하였다. WKB 근사를 이용하여 인가된 전계의 크기에 따라 터널링 현상에 의해 트랩층으로 주입하는 전자의 양을 계산하였다. 또한, 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 트랩층의 전도대역과 트랩층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하였다. 계산 결과에서 터널 장벽의 적층구조 변화가 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성에 미치는 영향을 알 수 있었다. 소자의 프로그램 동작 특성을 분석함으로써 CTF 메모리 소자에 적합한 터널 장벽의 구조를 알 수 있었다. 기존의 단일 산화막보다 얇아진 산화막의 두께와 낮은 질화막의 에너지 장벽 높이로 전자의 터널링 현상이 더 쉽게 일어나기 때문에 ON 구조로 터널 장벽을 적층한 CTF 메모리 소자의 프로그램 속도가 가장 빠르게 나타났다. 이러한 결과는 터널 장벽의 구조적 변화가 전자의 터널 효과에 미치는 영향을 이해하고 프로그램 동작 속도가 빠른 CTF 메모리 소자의 최적화에 도움을 줄 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
• /
• pp.839-841
• /
• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
• /
• pp.858-860
• /
• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 단채널 효과 때문에 채널길이가 짧아지면 도핑농도에 따른 영향이 증가하였다. 도핑농도에 대한 드레인유도장벽감소 현상의 변화는 상하단 산화막 두께에 따라 큰 변화를 보였으며 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
• /
• 제2회(2013년)
• /
• pp.217-220
• /
• 2013

기존 플래시 메모리의 물리적 한계를 극복하여 저전압, 저전력 비휘발성 메모리 소자를 얻기 위해서는 터널링 장벽 제어가 필수적이며, 저유전체와 고유전체를 적층한 VARIOT 구조는 터널링 장벽 제어에 매우 효과적이다. 우리는 비평형 그린함수 방법을 이용하여 전자 수송을 계산함으로써, VARIOT 구조가 기존의 단일 유전층 구조에 비해 비휘발성 메모리 관점에서 얼마나 향상되었는지를 분석하고, 터널링 장벽 제어에 있어 고유전체가 가져야 할 가장 유리한 조건을 찾아내었다. 또한 유효질량이 에너지 장벽(유전층)의 전계 민감도와 거의 무관함을 보임으로서 시뮬레이션 결과가 합리적임을 증명하였다.