• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.1
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• pp.127-132
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• 2012

In this paper, the edge effects of proposed structure in active region for high voltage in shallow trench isolation for very large integrated MOSFET were simulated. Shallow trench isolation (STI) is a key process component in CMOS technologies because it provides electrical isolation between transistors and transistors. As a simulation results, shallow trench structure were intended to be electric functions of passive, as device dimensions shrink, the electrical characteristics influence of proposed STI structures on the transistor applications become stronger the potential difference electric field and saturation threshold voltage.

• Journal of the Korea Society for Simulation
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• v.22 no.4
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• pp.93-98
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• 2013

In this paper, the proposed shallow trench isolation structures for high threshold voltage for very large scale and ultra high voltage integrated circuits MOSFET were simulated. Physically based models of hot-carrier stress and dielectric enhanced field of thermal damage have been incorporated into a TCAD tool with the aim of investigating the electrical degradation in integrated devices over an extended range of stress biases and ambient temperatures. As a simulation results, shallow trench structure were intended to be electric functions of passive, as device dimensions shrink, the electrical characteristics influence of proposed STI structures on the transistor applications become stronger the potential difference electric field and saturation threshold voltage.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.463-464
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• 2015

이산 웨이블릿 변환(DWT;discrete wavelet transform)의 다해상도 분석(MRA;multi resolution analysis)을 효율적으로 수행하기 위해서는 적절한 모함수(mother wavelet)의 선택이 필수적이다. 본 논문에서는, 노이즈가 포함된 충방전 전압의 디노이징(denoising)을 구현할 때, 모함수에 따른 디노이징 성능을 비교 및 분석한다. 고정된 MRA 레벨에서 6개의 모함수를 비교하되, 각 모함수에서 최대 SNR(signal-to-noise ratio)을 가지는 타입을 대푯값으로 정하여 모함수에 따른 디노이징 성능을 비교한다. 이를 위해, 하드 임계화(hard-thresholding) 및 소프트 임계화(soft-thresholding) 기법을 적용한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2022.05a
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• pp.481-482
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• 2022

In this paper, effect of random dopant fluctuation (RDF) of the top-transistor in a monolithic 3D inverter composed of MOSFET transistors is investigated with 3D TCAD simulation when the gate voltage of the bottom-transistor is changed. The sampling for investigating RDF effect was conducted through the kinetic monte carlo method, and the RDF effect on the threshold voltage variation in the top-transistor was investigated, and the electrical coupling between top-transistors and bottom-transistors was investigated.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.561-564
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• 2003

본 연구는 고온 초전도 자속 흐름 트랜지스터의 채널 식각 두께에 따른 임계 특성의 자동 측정을 위해 나노옴/마이크로 볼트 미터 와 전원공급기 등 측정에 필요한 장비들을 GPIB 인터페이스 보드를 통해 PC와 연결하여 측정 장치를 구축후 직접 제작한 측정 프로그램을 통해 자동으로 시편에 전류, 전압을 가한후 임계 특성값을 효율적인 방법으로 측정하고 측정 결과값들을 시간순서 및 측정 대상에 따라 데이터 베이스화 하는 방법에 대하여 소개한다. 부수적으로 임계 특성의 정확한 측정을 위해 실험에 변수가 되는 요소들을 찾아내고 실험 데이터값들로부터 오차를 발견, 오차의 원인이 되는 식각 방법 및 실험 환경등의 부가적인 요소들을 고려하여 개선된 측정 장치를 구축하는데 경제적, 시간적인 효율성 측면에 대해 언급했다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.937-938
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• 2007

임계온도가 높아 외부교란에 대하여 대단히 안정한 장점을 지닌 고온초전도체를 이용하여 600 kJ급의 SMES (Superconducting Magnetic Energy Storage)용 마그네트를 개발하고 있으며, 이의 설계 제작에 선행하여 선정된 4-ply도체에 대한 N-value 및 임계전류 특성을 상이한 외부자장의 크기 및 방향에 대하여 조사하였다. 그 주요 결과를 요약하면 4-ply도체의 측정된 N-value는 이의 정의에 사용된 전계영역의 범위에 따라 매우 상이하며, 또한 경사자장 ($\theta=30^{\circ}$)에 대하여 측정된 임계전류는 4-ply도체 면에 수직한 자장성분으로부터 계산된 임계전류와 비교적 잘 일치함을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.188-192
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• 1996

재결정 Zircaloy-2의 요드에 의한 응력부식균열의 전파속도를 직류전압강하측정법 (DCPD, Direct Current Potential Drop)을 이용하여 측정하고 임계응력집중계수( $K_{ISCC}$)를 구하였다. 임계요드농도 이상인 0.01 MPa의 요드농도에서, $K_{ISCC}$는 300 $^{\circ}C$의 경우 약 15 MPa√m, 350 $^{\circ}C$의 경우 약 12 MPa√m의 응력계수였으며, plateau 구역에서의 균열속도는 $10^{-4}$~ $10^{-3}$ mm/sec 영역이었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07a
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• pp.3-5
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• 2003

본 논문은 DVR과 DSTATCOM 같은 수 MVA급 용량의 CPD (Custom Power Device)를 평가하기 위한 Sag 및 Swell 전압 발생 장치에 사용될 두 가지 형태의 새로운 회로 방식에 관한 것이다. 제안된 Sag 및 Swell 전압 발생 장치는 계통선로에 직렬로 연결된 직렬 변압기를 통해 다양한 형태로 전압을 발생 시킬 수 있으며, 전격회로는 Solid-State Switched Tap Changer와 AC-Chopper 두 가지 방식을 이용하고 있다. 본 논문에서는 제안된 각각의 방식에 대한 고조파 분석을 하였고, 또한 시뮬레이션을 통해서 제안된 Sag 및 Swell 전압 발생장치를 통해서 원하는 형태의 전압을 얻을 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.449-450
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• 2013

본 논문에서는 이산 웨이블릿 변환(DWT;discrete wavelet transform)을 이용한 에너지 저장시스템(ESS;energy storage system)의 고장 검출 방법을 제안한다. ESS에 순간적인 고장 발생시 전압의 급격한 변화가 발생할 수 있으며 이는 다해상도 분석(MRA;multi-resolution analysis)을 이용한 시간-주파수 분석을 통해 분해된 저주파 전압 성분(approximation;$A_n$)과 고주파 전압 성분(detail;$D_n$)중 현저한 성분의 변화가 관찰되는 고주파 전압 성분을 선택한다. 이를 검증하기 위하여 모든 고주파 전압 성분의 절대값을 적용한 뒤 최대값 정보를 추출한다. 이 때, 추출된 각 성분의 최대값과 최대값의 평균을 비교하되 여러 사전실험을 통해 정해진 특정 임계값 대비 큰 값을 나타낼 때 고장이 발생하였음을 판단한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.189-190
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• 2015

본 논문은 계통연계형 인버터의 DC-Link단 전압 변동에 따른 3상 인터리브드 양방향 DC-DC 컨버터의 배터리 전류 리플 분석에 관한 것이다. 배터리 전류 리플 저감을 위하여 인터리브드 방식을 사용하였으나 전압 변동에 따라 전류 리플이 변하므로 전류 리플을 최소화 하는 방법을 찾고자 한다. 전 부하구간에서 전류 임계모드로 동작시켜 시스템의 효율을 높였으며, 배터리 전압과 DC-Link단 전압 변동에 따라 주파수와 듀티를 가변시켜 출력전력을 제어하였다. 시뮬레이션을 통하여 전류 리플 해석 결과를 보였다.