• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1124-1125
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• 2015

밴드-갭이 큰 반도체는 실리콘에 비하여 다양한 전기 물성 장점을 가져 고주파수 증폭 소자나 차세대 전력 반도체 소자로 각광을 받고 있다. 다양한 와이드 밴드-갭 반도체 중 AlGaN/GaN 이종접합 반도체는 채널의 높은 전도성과 높은 임계 전계로 인하여 우수한 전기적 특성을 가진다. 최근 발전된 수치해석 시뮬레이션을 이용하여 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (high-electron-mobility transistor, HEMT)의 설계연구를 진행하였다. AlGaN 장벽층의 두께가 증가할수록 채널의 전자 면 농도가 증가하도록 설계하였다. 또한 게이트 필드 플레이트 설계를 통하여 AlGaN/GaN HEMT의 역방향 전계 피크를 1개에서 2개로 증가시켜 항복전압을 368 V에서 최대 822 V로 개선하였다. 수렴문제를 개선한 수치해석 시뮬레이션은 RF power AlGaN/GaN HEMT의 설계에 유용하다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
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• pp.475-476
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• 2019

L형 터널링 전계 효과 트랜지스터 (LTFET)는 종래의 터널링 전계 효과 트랜지스터 (TFET)보다 우수한 소자로 고려된다. 그러나, 실험적으로 입증 된 LTFET은 트랩 상태의 존재로 인한 트랩-보조-터널링 (Trap-Assisted-Tunneling; TAT)에 기인한 열악한 임계 이하 기울기(SS) 특성을 나타내었다. 본 논문에서는 실험적으로 시연 된 LTFET의 저전압 바이어스에 TAT 메커니즘을 밴드 다이어그램과 TAT 재조합률 (GTAT)을 사용하여 조사한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권3호
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• pp.679-685
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• 2004

전기영동전착법은 제작장치와 공정이 간단하고 두께제어 및 다양한 형태의 초전도 막과 선재 제작이 가능한 경제적 효율성과 기술적 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 전착공정 개발을 통한 분말의 치밀성 및 배향성 향상을 위한 최적화 방안과, 건조 및 열처리 과정에서의 크랙 및 기공현상과 같은 문제점을 극복할 수 있는 균일한 표면의 확보에 관한 연구를 수행하였으며 전기영동전착 초전도 후 막 테이프 제조를 위한 공정의 최적화 방안에 대하여 연구하였다. YBCO 초전도 후막의 균일한 표면과 초전도특성 향상을 위한 공정개선방법으로는 수직방향 교류전계 인가 방식을 적용한 시스템을 최초로 개발하여 전기영동전착 공정에 적용하였다. 본 연구에서 제안한 수직방향 교류전계 인가 방식은 경제적 효율성을 위하여 60 Hz의 25∼120 V/cm의 상용전원을 사용하였으며, 제작된 후막은 기공과 크랙현상이 제거된 균일한 후막으로 여기서 얻어진 대표적인 특성 값들은 임계온도(Tc,zero) 90 K, 임계전류밀도 3419 A/$\textrm{cm}^2$의 값을 얻었다. 직류 전착전계만을 사용하여 제작된 후막의 임계전류밀값인 2354 A/$\textrm{cm}^2$에 비하여 45% 이상 향상된 특성을 확보하였다.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제2권9호
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• pp.1147-1154
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• 2001

본 논문에서는 현재 운용되고 있는 NTSC TV송신시스템을 근거로 곧 설치되어 운용될 예정인 8-VSB DTV 전송시스템의 재원을 설계한다. 먼저 아날로그 NTSC와 디지털 8-VSB DTV의 지상파 방송의 경우 최적의 수신전계를 유지할 수 있는 조건을 검토한다. 또한 Longley-Rice의 전계강도 산출법을 이용해서 수신을 위한 최소한의 전계강도의 임계값을 산출한다. 8-VSB DTV전송은 NTSC 6MHz대역에서 HDTV가 가능하도록 19.39Mbps의 데이터를 고속으로 전송하는데 그 목표를 두고 있으므로, 무엇보다 송ㆍ수신점 사이의 전계강도의 최적화가 중요한 문제이다. 따라서 8-VSB DTV전송은 NTSC 서비스 커버리지에 비하여 확장되거나 효율적이어야만 한다. 끝으로 NTSC TV가 8-VSB DTV와 동일한 서비스 커버리지를 유지하기 위하여 NTSC VHF에서 DTV UHF로 전환 시 필요한 송신출력과 NTSC UHF에서 DTV UHF로의 전환 시 필요한 송신출력을 산출한다.

• KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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• 제5권4호
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• pp.249-256
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• 2019

국내에 향후 건설 예정인 도체귀로형 HVDC ±500 kV Double Bipole 가공송전선로의 최적선로 형상을 설계하고 송전선로에서 발생되는 전기환경장해를 검증하기 위해 실증시험장을 구축하여 1년간 전기환경장해 평가시험을 수행하였다. 또한, HVDC Double Bipole 실선로에서 인체의 지표면 전계인지도 평가시험을 통해 HVDC 실규모 실증선로 직하에서 인체가 직류 전계를 감지하는 임계값을 조사하여 HVDC ±500 kV Double Bipole 가공송전선로의 직류전계 설계기준안의 타당성을 검증하였다. HVDC ±500 kV Double Bipole 시험선로의 극형상은 전기환경장해와 운영관점에서 동일한 극성을 대각으로 배치하였으며, 국내 가공송전선로의 전기환경장해의 사회적인 수용성을 고려하여 선로에서 코로나방전이 거의 발생되지 않도록 소도체 방식은 6 도체를 선정하였다. 도체귀로형 HVDC ±500 kV Double Bipole 가공송전선로 방식인 Cardinal×6B를 적용한 실증시험결과, 선로 도체에서 코로나 방전이 거의 발생되지 않았으며, 따라서 지표면 전계와 이온전류밀도는 모두 국내 가공송전선로 설계 기준값을 만족하였다. 또한 선로직하에서 피조사자들에 대한 전계 인지도 평가결과, 피조사자들의 70%는 23 kV/m에 노출되어도 직류전계를 인지하지 못하는 결과를 나타냈다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.630-639
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• 2008

본 논문에서는 전파 잡음에 노출된 무선 랜의 데이터 전송 속도 저하(低下)가 일어나는 원인과 주파수 이격(離隔)에 따른 간섭 정도가 달라지는 이유를 설명하였고, 또한 현저한 전송 속도 저하를 일으키는 간섭파의 전계 강도 수치를 측정하였다. 연구에 사용된 두 대의 무선 랜 및 한 대의 AP(Access Point)가 무선 통신망을 형성하였다. 사용된 전파 간섭의 종류는 동일 채널 간섭 및 인접 채널 간섭이었고, 각 경우에 대한 전계 강도 임계 수치를 도출하였다. 두 경우의 전파 간섭에 대한 전계 강도 임계 수치를 조사한 결과, 그 값은 54 dBuV/m @3 m이었고, 이 수치는 현행 국내 기준치인 30.9 dBuV/m @3 m보다 높은 값이었다. 이는 802.11b 무선 랜에 관한 한은, 국내의 소출력 무선기기 규정치는 23.1 dB 만큼 과도하게 설정되었음을 의미하는 것이다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제3권1호
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• pp.20-27
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• 1992

$\lambda$/2 다이폴 안테나 3개판 x,y,z축상에 서로 직교되도록 배열하여 각 소자의 수신 출력을 합성하므로써 등방성 패턴 안테나가 실현되었다. 각 소자는 H20MHz-895MHz익 서례 주파수 대역에서 임피먼스 정합플 양호하게 하고, 소자간의 상호 결합 효과를 최소로하기 위하여 슬리브 형태의 $\lambda$/2 다이폴 안테나를 사용하였다. 설계된 등방성 패턴 얀테나로 부터 복사된 충 전계의 세기는 원방계에서 각 촉상의 다이폴에 의해 발생 되는 Magnetic Vector Potential을 이용하여 계산하였다. 계산결과, 총 전계의 세기는 원점으포 부터의 거리에는 반비례하였고, 패턴상수 차이는 2.1dB이하이었다. 또한, x,y,z 축상에 배열된 안테나에서 수산된 합성전계의 편차는 2.8dB이하로 이론적 계산치와 O.7dB 정도의 차이가 있었다.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.27-32
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• 2014

본 논문에서는, 초고집적 CMOS 회로를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조 보다 개선된 성질을 갖는 새로운 구조를 제안하고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이다. 특성 분석은 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포, 열전자 스트레스의 산화막 모양, 전위와 전계 플럭스, 열 손상의 유전 전계와 소자에서 전류-전압 특성을 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 전류와 시간의 인가 스트레스 조건이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이었다. 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계, 전자농도 분포가 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스에 의한 산화막의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 소자의 전류-전압 특성 결과 분석도 양호한 특성으로 나타났다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.127-132
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• 2012

본 논문에서는, 초고집적 MOSFET를 위한 향상된 얕은 트랜치 접합 격리에서 높은 임계전압을 위한 활성영역 부분의 제안된 구조의 가장자리 효과를 시뮬레이션 하였다. 얕은 접합 격리는 트랜지스터와 트랜지스터 사이에서 전기적 격리를 하기 때문에 쌍보형-모스 기술에서 중요한 공정 요소이다. 시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조에서 전기적 특성의 영향은 전위차, 전계와 포화 임계 전압에서 높게 나타났다.

• 전기학회논문지
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• 제58권3호
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• pp.502-508
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• 2009

The method to determine the operating current of HTS magnets needs to be different from that of LTS magnets. This paper presented estimation of the critical current of pancake windings. The pancake windings can be excited by a single power source or by multiple power sources. Critical currents were determined by using field dependent E-J relation. For the better estimation of the critical current, a new method to define the magnetic field of the HTS wire has been proposed. Calculated critical currents of pancake windings were compared with measured ones of the HTS BSCCO magnet consisting of 10 pancake windings. According to the test results, the estimated critical currents of pancake windings agreed well with that of measured ones. Effects of the single and multiple power source excitation on the critical currents have been also examined.