• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권1호
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• pp.15-20
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• 2004

산화막위에 증착된 금속박막과 산화막과의 계면효과를 조사하였다. 산화막으로는 현재 반도체소자제조공정에 많이 사용되고 있는 BPSG 산화막과 PETEOS 산화막을 사용하였다. 이 두 종류의 산화막위에 적층구조의 금속박막을 형성한 후, 금속박막의 열처리에 의한 계면의 영향을 SEM (scanning electron microscopy), TEM (transmission electron microscopy), AES (auger electron spectroscopy)를 사용하여 조사하였다. BPSG 산화막위에 증착된 금속박막을 $650^{\circ}C$ 이상에서 RTP anneal을 한 경우, BPSG 산화막과 금속박막의 계면결합상태가 좋지 않았고, BPSG 산화막과 금속박막의 계면에 phosphorus가 축적된 영역을 확인하였다. 반면에 PETEOS 산화막위에 증착된 금속박막의 경우, RTP anneal 온도에 관계없이 계면결합상태는 좋았다. 본 연구에서 BPSG 산화막위에 금속박막을 증착할 경우 RTP anneal 온도는 $650^{\circ}C$ 보다 작게 하여야 함을 알 수 있었다.

• 청정기술
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• 제19권4호
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• pp.453-458
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• 2013

배기가스 중에서 비산재는 수은을 산화하거나 흡착하는 능력을 지닌다. 비산재의 수은 산화 및 흡착 효율은 비산재가 가지는 특성에 따라 변하여 일정하지 않다. 본 연구는 비산재 성분과 수은의 반응특성을 이해하기 위하여 비산재 성분물질이 원소수은과 산화수은에 대해 가지는 산화 및 흡착 능력을 평가하였다. 그리고 비산재 시료의 조성에 맞게 합성한 비산재를 시험하였고, 석탄화력발전소에서 수령한 비산재 시료의 결과와 비교하였다. 원소수은에 대해서는 미세탄소분말, 산화구리, 산화철이 높은 산화 또는 흡착효율을 보였고, 염화수은에 대해서는 미세탄소분말, 산화칼슘, 산화구리, 산화마그네슘이 높은 효율을 보였다. 그리고 합성비산재는 비산재 시료와 유사한 수은 산화 및 흡착 효율을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.151-151
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• 1999

금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$ 및 $\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제21권5호
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• pp.581-588
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• 2009

전기로 슬래그는 철강 생산 공정에서 발생되는 산업 부산물로서 그 발생량이 꾸준히 증가하고 있어 효율적인 재활용 방안이 요구되고 있다. 전기로 슬래그는 f-CaO 및 f-MgO에 기인한 팽창성이 우려되어 대부분이 노반재로 사용되었지만, 현재는 체적안정성을 확보한 전기로 산화 슬래그를 콘크리트용 골재로 사용하는 것이 가능하게 되었다. 이 연구에서는 콘크리트용 전기로 산화 슬래그 골재를 사용한 RC 보의 부착 특성에 관하여 고찰하기 위해 부착 파괴를 유도한 Ichinose식 단순보형 실험을 실시하였다. 실험 결과, 전기로 산화 슬래그 골재를 사용한 실험체는 천연골재를 사용한 경우보다 동등 이상의 부착 성능을 발휘하는 것으로 나타났다. 특히, 전기로 산화 슬래그 굵은골재를 사용한 실험체는 콘크리트 압축강도의 영향을 고려하여도 천연골재보다 1.5배 이상의 높은 부착 강도를 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.106-112
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• 1990

다공질 실리콘을 열산화할 때 산화의 온도 의존성과 IR흡수 스펙트럼을 조사하여 다공질 실리콘외 산화특성을 조사하였다. PSL(porous silicon layer)을 $700^{\circ}C$에서 1시간, $1100^{\circ}C$에서 1시간으로 2단계 습식산화시켜 bulk 실리콘의 열산화막과 같은 성질의 수십 ${\mu}m$두께의 OPSL(oxidized porous silicon layer)을 짧은 시간에 형성시킬 수 있으며, 식각율과 항복전계는 산화온도와 산화 분위기에 크게 의존하는 것으로 나타났다. 이때 PSL의 산화율은 약 390nm/s이고, 항복전계는 1.0MV/cm~2.0MV/cm의 분포를 갖는다. 웨이퍼 휨을 측정하여 고온 열산화시 발생하는 산화막의 stress를 조사하였다. $1000^{\circ}C$ 이상의 고온에서 건식산화할 경우 발생하는 stress는 ${10^2}dyne/{cm^2}~{10^10}dyne/{cm^2}$로 측정되었다.

• 전기화학회지
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• 제13권3호
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• pp.163-168
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• 2010

본 연구에서는 양극 산화를 통해 얻어지는 다공성 니오븀 산화물 제조에 양이온 계면활성제인 Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide (CTAB)와 음이온 계면활성제인 Sodium Dodecyl Sulfate (SDS)의 영향을 비교 관찰하였다. SDS가 전해질에 첨가되어 제조된 다공성 니오븀 산화 막은 표면에 장시간 용출이 발생하지 않았고, 계면활성제가 첨가되지 않고 제조된 다공성 니오븀 산화막의 두께와 비교 하였을 때 두께가 두 배 이상 증가된 값을 얻을 수 있었다. 하지만 CTAB가 전해질에 첨가되어 제조된 다공성 니오븀 산화물의 표면에는 용출이 일어났다. 이러한 차이점을 양성으로 대전된 니오븀산화물과 음이온/또는 양이온 계면활성제 사이의 상호작용에 근거하여 설명하였다.

• 공업화학
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• 제30권2호
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• pp.151-154
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• 2019

코디어라이트 허니컴 표면에 알루미나 워시코트 지지체를 형성시키고 비교적 단순한 건식 코팅 공정으로 산화철 촉매를 코팅함으로써 실제 환경에 효과적으로 적용이 가능한 모노리스 구조 촉매를 제조하였다. 허니컴 통로 벽 구석으로 형성된 워시코트 알루미나 미세 기공으로 균일하게 코팅된 산화철 촉매를 확인하였으며, 일산화탄소 산화 반응에 적용하기 위하여 산화철 촉매의 열처리 효과를 검증하였다. $350^{\circ}C$ 부근에서 열처리한 산화철 촉매가 가장 우수한 촉매 성능을 발휘하였고, $200^{\circ}C$ 이상의 온도 영역에서 100% 전환율을 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제8권3호
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• pp.265-273
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• 1999

본 논문에서는 MEMS 공정에 많이 사용되는 tetraethoxysilane (TEOS) 산화막, low temperature oxide (LTO), 7 wt%, 10 wt% phosphosilicate glass (PSG)의 잔류응력을 Euler beam과 bent-beam strain sensor를 제작하여 측정하였다. 이러한 산화막 잔류응력 측정 구조물을 만들기 위해 다결정실리콘을 희생층으로 사용하였으며 $XeF_2$를 이용하여 희생층 식각을 하였다. 먼저 각 산화막의 증착 당시 잔류응력을 측정한 후 $500^{\circ}C$에서 $800^{\circ}C$까지 질소분위기에서 1 시간 동안 열처리하였다. 또 표면미세가공에서 가장 많이 사용되는 $585^{\circ}C$, $625^{\circ}C$ 다결정실리콘 증착 조건에서 열처리하여 산화막의 잔류응력 변화를 측정하였다. 측정 결과 TEOS와 LTO, 7 wt% PSG는 $600^{\circ}C$ 이하에서 압축잔류응력이 줄어들다가 그 이상에서 다시 커지는 반면에 phosphorus 농도가 높은 10 wt% PSG의 경우는 $500^{\circ}C$이상에서 압축잔류응력이 증가하는 것을 확인하였다. 또 7 wt% PSG가 $585^{\circ}C$ 다결정실리콘 증착 시 가장 작은 잔류응력을 나타내었다.

• 한국어병학회지
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• 제3권2호
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• pp.69-77
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• 1990

시판(市販)되는 배합사료(配合飼料)를 장기간(長期間) 보관(保管)하거나 직사광선(直射光線)을 쪼이면 산화(酸化)되어 과산화물질(過酸化物質)을 많이 함유(含有)하게 되는데, 이와 같이 산화(酸化)된 pellet을 틸라피아에 먹이면 내장(內臟)에 ceroid가 침착(沈着)되므로 대사장해(代謝障害)를 일으켜 어류(魚類)의 성장(成長)이 나빠지고 체색(體色)이 검어지면서 서서히 폐사(斃死)한다. 본(本) 논문(論文)은 산화사료(酸化飼料)를 먹임으로 인하여 양식(養殖) 틸라피아에서 발생(發生)하는 ceroid증(症)의 예방(豫防) 효과(效果)를 밝히기 위(爲)하여 비타민 C와 E를 첨가(添加)한 산화사료(酸化飼料)와 비첨가사료(非添加飼料)를 투여(投與)한 다음 그 결과(結果)를 병리조직학적(病理組織學的)으로 관찰(觀察)할 것이다. 실험(實驗)에는 1990년(年) 9월(月)부터 동년(同年) 11월(月) 27일(日)까지 67일가(日間) 실험실(實驗室)에서 체중(體重)이 100g인 80마리의 실험어(實驗魚)를 사용(使用)하였으며, 각각 농도(濃度)를 다르게 비타민 C, E를 산화사료(酸化飼料)에 첨가하여 사육(飼育)했다. 각(各) 장기(臟器)의 병리조직학적(病理組織學的) 차이(差異)를 알기 위(爲)해 장기별(臟器別)로 조직(組織) 표본(標本)을 제작(製作)하여 관찰(觀察)해 본 결과(結果), 비타민 C와 E를 각각 1.0mg/g diet, 2.01U/g diet 이상(以上) 첨가(添加)한 산화사료(酸化飼料) 투여(投與) 실험구(實驗區)는 비타민 비첨가(非添加) 산화사료(酸化飼料) 투여(投與) 실험구(實驗區)에 비(比)하여 간장(肝臟), 비장(脾臟), 신장(腎臟) 등(等)의 내장(內臟)에 심착(沈着)된 ceroid의 양(量)이 현저(顯著)하게 적은 것으로 나타났을 뿐만 아니라 macrophage의 출현율(出現率)도 적었다. 이상(以上)의 결과(結果)로부터, 틸라피아의 사육시(飼育時) 먹이로 주는 pellet은 산화(酸化) 정도(程度)에 따라서 비타민 C와 E의 양(量)을 적절(適切)히 혼합첨가(混合添加)하여 투여(投與)하면 산화사료(酸化飼料)의 섭취(攝取)로 인한 ceroid증(症)의 예방(豫防) 효과(效果)가 있을 것으로 생각된다.

• 한국축산식품학회지
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• 제28권5호
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• pp.660-666
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• 2008

본 연구에서는 식용유지로 사용되는 돈지, 대두유 및 고추씨유를 $100^{\circ}C$에서 3일간 저장하면서 열안정성을 비교하고, 캡사이신의 첨가가 대두유 및 돈지의 산화안정성 효과에 대하여 실험하였다. 그 결과 돈지>대두유>고추씨유의 순서로 고추씨유가 가장 열에 안정적임을 밝혔다. 가장 열에 안정한 고추씨유를 돈지와 대두유에 혼합했을 때의 저장기간에 따른 산화 정도를 비교하였는데, 돈지에서는 고추씨유 30% 이상에서 산화가 억제되지만, 대두유에서는 그보다 많은 60% 이상이 혼합되어야 산화가 억제되었다. 또한 고추씨유의 주요 성분인 캡사이신을 고추씨유에 함유된 양만큼을 대두유와 돈지에 각각 첨가하여 열처리 했을 때 산화안정성에 미치는 영향도 검토하였다. 그 결과 1,200 ppm과 2,400 ppm의 캡사이신, 또는 0.3% 알파-토코페롤을 대두유에 첨가하였을 때 캡사이신은 대두유의 산화에 아무런 영향을 미치지 못하였고 알파-토코페를은 오히려 산화를 촉진시켰다. 하지만 돈지에 동량의 캡사이신이 첨가되었을 때에는 산화를 효과적으로 억제하였다. 이러한 결과로부터 고추씨유 또는 캡사이신은 돈지를 소재로 하는 튀김유나 분말유지의 가공에 이용하면 매우 좋은 산화억제 효과를 얻을 것으로 사료된다.