• 전자공학회논문지B
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• 제33B권1호
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• pp.195-200
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• 1996

본 논문에서는 임의의 고조파를 선택적으로 제거하고자 할 때 실시간으로 제어가 가능한 PWM 인버터를 구현하였다. 직교함수인 왈쉬함수의 이론을 토대로하여 고조파를 선택적으로 제거할 수 있는 점호각 계산 방법을 채택하였다. 또한 점호각을 실시간으로 계산하여 단상 및 3상 인버터 회로에 적용할 수 있는 논리회로를 설계하였다. 설계된 논리회로의 출력파형을 입력으로 하는 시뮬레이션 회로를 이용하여 구현한 PWM 인버터의 정상상태 특성동작을 확인하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.155-161
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• 2005

사무용 빌딩의 비선형 전자부하에 기인한 전압 및 전류파형의 왜곡은 중성선의 과열, 변압기 손실, 누전차단기 오동작 등을 야기 시킨다. 본 논문에서는 사무용 빌딩에서의 전압 및 전류 고조파의 크기, 전압 및 전류 파고율(Crest Factor : CF), 전압 및 전류 불평형 등을 비교함으로써 파형왜곡 특성을 분석하였다. 분석 결과, 고조파에 의한 상 및 중성선에서의 심각한 파형 왜곡 문제와 삼상에서의 단상 부하의 부적절한 분배로 인한 전류 불평형이 심한 빌딩이 조사되었다. 본 연구 결과는 사무용 빌딩에서 합리적이고 경제적인 부하운용을 위해 사용될 수 있을 것이다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.55-63
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• 2002

최근 국제화 시대에 부응하여 유럽, 미국 등 선진 각국에서는 각국 규격의 통일화 작업을 진행하고 있으며, 시대적으로 우리나라도 적극적으로 대응하지 않으면 경제적인 불이익이 예상된다. 따라서 본 논문에서는 이와 같은 흐름에 대응의 일환으로 사무용 기기에 대한 전기품질 시험을 수행하고 분석하고자 PC, PC 모니터, 프린터 및 팩스 4종의 사무용 기기에 대한 고조파와 플리커 발생 실태를 시험하였다. 시험한 결과 프린터와 PC 모니터는 안정적이었지만 Desktop PC와 FAX에서 2004년 1월까지 유효한 EN 규격에 제시된 제한치 이상의 고조파와 플리커 현상이 나타났으며, 이에 대한 대응책을 제시하였다.

• 전력전자학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.15-21
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• 2008

공장전기설비에서 개인용 컴퓨터, 정류기, 전기로와 시험장치 등의 비선형 부하 사용 증가에 따른 고조파 발생으로 누전차단기가 오동작하거나 불필요 동작을 하고 있다. 따라서 공장전기설비의 안전관리자를 대상으로 누전차단기의 오동작 상태에 대한 조사를 실시하였다. 또한 누전차단기가 오동작하거나 불필요 동작을 하고 있다는 수용가에서 전압, 전류, 고조파와 불평형 등 전력품질을 측정하고 분석하였다. 본 연구결과는 왜형된 전류파형으로 누전차단기의 트립특성 시험과 누전차단기 오동작 원인분석시 자료로 활용하고자 한다.

• 전력전자학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.268-274
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• 1999

일반적으로 컨버터 장치로서 사용되고 있는 전력용 반도체 소자인 SCR이나 diode를 사용할 때 역률과 고조파의 문제를 야기 시킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 자기소호형 소자인 IGBT등을 사용하여 입력측 선전류를 입력 전원전압과 동상인 정현파 전류로 유지함으로써 역률과 고조파에 대한 문제를 해결 하였다. 본 논문에서는 컨버터 출력측 직류전압 제어기에 부하전류 전향보상기(feedforward compensator)를 부가하여 출력측에 다이오드 정류기가 부가된 단상 전압형 인버터를 부하로 사용하여 보상기 부가에 따른 과도상태특성을 개선하였으며 전압형 PWM 컨버터 제어에 의한 특성을 시뮬레이션 및 실험 결과를 통하여 확인 하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.286-291
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• 2013

본 논문에서는 고조파 공진 억제 특성을 갖는 원형 섹터 안테나와 임피던스 직접 정합 방법을 이용하여 소형화된 rectenna 시스템을 설계하였다. 원형 섹터 안테나의 고조파 억제 특성을 이용하여 정류 회로의 대역 통과 여파기 기능을 수행하였으며, 임피던스 직접 정합 방법에 의해 다이오드 정합 회로를 생략하는 설계가 이루어졌다. 따라서 제안된 시스템의 정류 회로는 대역 통과 여파기와 정합 회로 없이 구현되었으며, 정밀한 동축 급전 공정을 사용하여 시스템의 성능 열화 없이 급전 위치를 변화하며, 안테나 뒷면에 집적하였다. 최적의 정합 특성으로 2.5 GHz 대역에서 설계된 rectenna 시스템은 실험 결과, 52 % 이상의 변환 효율과 1.5 V 이상의 우수한 변환 전압 특성을 나타내었다.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제33권2호
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• pp.63-67
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• 1991

뽕나무(품종:신광뽕) 고조삽목에 있어서 삽수를 NAA 농도를 달리하여 2주간 유합촉진한 후 온실에 삽목한 경우 농도에 따른 발아 및 발근생장에 미치는 영향을 알기 위하여 시험한 결과는 다음과 같다. 1. 삽수동아의 발아생장은 NAA 농도가 높아짐에 EK라 삽목후 10일까지는 억제되어 지연되었다. 그러나 유합촉진 2주후에는 150ppmrn를 제외하고는 93% 이상 대부분 발아되었다. 2. NAA 농도별 발근은 삽목 15일 후 높은 농도에서 비교적 높은 발근율을 나타내었으며 이후 어느 농도에서나 증가하여 35일 후에는 매우 높은 농도(150ppm)에서 낙해발생으로 인한 다소 낮은 발근율을 제외하고는 그 이상 농도에서 100%의 발근율을 나타내었다. 3. 평균 뿌리길이는 농도가 높아짐에 따라 적었으나 주당 뿌리수, 뿌리길이 및 무게는 50ppmrn가 가장 많았다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권11호
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• pp.1155-1163
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• 2005

본 논문에서는 필터의 손실이나 크기의 증가 없이 저지 대역을 현저히 화장시킬 수 있는 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 저역 통과 필터는 기존에 발표된 변형된 일반화된 체비셰프(MU: Modified Generalized Chebyshev)저역 통과 필터와 외형상 소자의 구성이 유사하지만 필터의 소자값이 서로 완전히 다르다. 기존의 MGC 필터는 두 번째 감쇠극만을 고조파 제거(또는 억제)에 사용했지만, 반면에 제안한 필터는 두 번째 감쇠극뿐만 아니라 첫 번째 감쇠극의 3차 고조파를 적절히 이용함으로서 저지 대역 특성이 기존의 MGC 필터보다 우수하다. 제안한 이론에 따라 저역 통과 필터를 제작하였고, 제작된 필터의 측정으로부터 제안된 필터는 저지 대역폭이 전형적인 GC(Generalized Chevbyshev)필터에 비해 4배 이상, 기존의 MGC 필터보다 1.7배 이상의 넓은 범위에 이름을 확인할 수 있다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.94-102
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• 2008

대전 관내에서 송전계통 및 배전계통의 고장발생이 없었음에도 불구하고 고압 수용가의 2차측에서 플리커(형광등 깜박거림), 엘리베이터 정지 등의 문제가 수차례 발생하였다. 순간 전압변동의 원인을 해당 변전소 캐패시터 소손, 캐패시터 투입과 OLTC 조작으로 인한 전압변동, 고조파 공진 등을 원인으로 추정하고 같은 전압변동 원인 분석을 실시하였다. 분석 개소는 정전이 발생된 변전소 모선 전압과 전류, 캐패시터 뱅크의 전압과 전류, 덕진과 항공 D/L의 전류, 세종아파트의 MOF와 엘리베이터 전용의 변압기 2차측의 전압과 전류이다. 분석결과 변전소의 캐패시터 뱅크의 콘덴서, 리액터, 방전코일의 조사 결과 열화 및 소손이 없었으며, 4차 고조파에 공진이 되도록 설정된 것도 측정을 통해 이상 없음을 확인하였다. 사고재현을 위해 이전과 동일하게 변전소 캐패시터 조작을 수행했으나 엘리베이터가 중단되는 현상이 재현되지 않았지만 고압측의 콘덴서를 투입하였을 때 수용가측의 저압변압기 2차측에서 15[%] 이상 전압이 확대됨을 확인하였다. 다양한 분석과 시뮬레이션 결과 공진에 의해 전압이 확대되었음을 규명하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.1064-1073
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• 2013

본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{\times}10.16{\times}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770~870 MHz에서 80 % 이상, 1,805~1,880 MHz에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT 전력 증폭기 중 최고의 효율과 출력 전력 특성이다.