• Title/Summary/Keyword: 이산화규소

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Combustion Characteristics of Spruce Wood by Pressure Impregnation with Waterglass and Carbon Dioxide (물유리와 이산화탄소로 가압함침한 가문비 나무의 연소특성)

  • Park, Hyung-Ju;Lee, Se-Myeoung
    • Fire Science and Engineering
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    • v.26 no.4
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    • pp.18-23
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    • 2012
  • After produce the extracted wood to silicic acid gel, sodium carbonate and silicon dioxide with application of the making method for carbon dioxide, ignition time, ignition temperature, mass loss rate and critical heat flux are measured according to external radiation source (20, 25, 35 and 50 $kW/m^2$). From the results, pressure impregnation wood to use with water glass and carbon dioxide has fire retardant performance at heat flux (less than 20 $kW/m^2$) of Pre-Flashover fires. If we find out the excellent maxing ratio through continuously study, it might be decided to be able to be utilized as fire-retardant wood.

Fabrication and Characterization of Bangpungtongseong-San Extract-loaded Particles for Tablet Dosage Form (생약 추출물 함유 정제 제조를 위한 이산화규소 함유 분말의 제조 및 평가)

  • Park, Jinwoo;Jin, Sung Giu
    • Journal of Powder Materials
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    • v.28 no.3
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    • pp.227-232
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    • 2021
  • The purpose of this study is to optimize the powder formulation and manufacturing conditions for the solidification of an extract of the herb Bangpungtongseong-san (BPTS). To develop BPTS-loaded particles for the tablet dosage form, various BPTS-loaded particles composed of BPTS, dextrin, microcrystalline cellulose (MCC), silicon dioxide, ethanol, and water are prepared using spray-drying and high shear granulation (high-speed mixing). Their physical properties are evaluated using scanning electron microscopy and measurements of the angle of repose, Hausner ratio, Carr's index, hardness, and disintegration time. The optimal BPTS-loaded particles exhibit improved flowability and compressibility. In particular, the BPTS-loaded particles containing silicon dioxide show significantly improved flowability and compressibility (the angle of repose, Hausner ratio, and Carr's index are 35.27 ± 0.58°, 1.18 ± 0.06, and 15.67 ± 1.68%, respectively), hardness (18.97 ± 1.00 KP), and disintegration time (17.60 ± 1.50 min) compared to those without silicon dioxide. Therefore, this study suggests that particles prepared by high-speed mixing can be used to greatly improve the flowability and compressibility of BPTS using MCC and silicon dioxide.

Development of ZnS/SiO2 Double Overlayers for the Enhanced Photovoltaic Properties of Quantum Dot-Sensitized Solar Cells (양자점 감응 태양전지의 광전 특성 향상을 위한 ZnS/SiO2 이중 오버레이어 개발)

  • SONG, INCHEUL;JUNG, SUNG-MOK;SEO, JOO-WON;KIM, JAE-YUP
    • Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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    • v.32 no.6
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    • pp.656-662
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    • 2021
  • For the high efficiencies of quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs), it is important to control the severe electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte. In this work, we optimize the surface passivation process of ZnS/SiO2 double overlayers for the enhanced photovoltaic performances of QDSCs. The overlayers of zinc sulfide (ZnS) and SiO2 are coated on the surface of QD-sensitized photoanode by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method, and sol-gel reaction, respectively. In particular, for the sol-gel reaction of SiO2, the influences of temperature of precursor solution are investigated. By application of SiO2 overlayers on the ZnS-coated photoanode, the conversion efficiency of QDSCs is increased from 5.04% to 7.35%. The impedance analysis reveals that the electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte is obviously reduced by the SiO2 overlayers.

Smelting and Refining of Silicon (실리콘의 제련과 정제)

  • Sohn, Ho-Sang
    • Resources Recycling
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    • v.31 no.1
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    • pp.3-11
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    • 2022
  • Silicon is the most abundant metal element in the Earth's crust. Metallurgical-grade silicon (MG-Si) is an important metal that has wide industrial applications, such as a deoxidizer in the steelmaking industry, alloying elements in the aluminum industry, the preparation of organosilanes, and the production of electronic-grade silicon, which is used in the electronics industry as well as solar cells. MG-Si is produced industrially by the reduction smelting of silicon dioxide with carbon in the form of coal, coke, or wood chips in electric arc furnaces. MG-Si is purified by chemical treatments, such as the Siemens process. Most single-crystal silicon is produced using the Czochralski method. These smelting and refining methods will be helpful for the development of new recycling processes using secondary silicon resources.

Atomic Layer Deposition of Silicon Oxide Thin Film on $TiO_2$ nanopowders (원자층증착법에 의한 $TiO_2$ 나노파우더 표면의 실리콘 산화물 박막 증착)

  • Kim, Hee-Gyu;Kim, Hyung-Jong;Kang, In-Gu;Kim, Doe-Hyoung;Choi, Byung-Ho;Jung, Sang-Jin;Kim, Min-Wan
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.381-381
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    • 2009
  • 염료감응형 태양전지의 효율 향상을 위한 다양한 방법들 중 $TiO_2$ 나노 파우더의 표면 개질 및 페이스트의 분산성 향상을 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 기존 나노 파우더의 표면 개질법으로는 액상 공정인 졸겔법이 있으나 표면 처리 공정에서의 응집현상은 아직 해결해야 할 과제 중 하나이다. 이에 본 연구에서는 진공증착방법인 ALD법을 이용하여 염료감응형 태양전지용 $TiO_2$ 나노 파우더의 $SiO_2$ 산화물 표면처리를 통한 분산특성을 파악하였다. 기존 ALD법의 경우 reactor의 온도가 $300{\sim}500^{\circ}C$ 정도의 고온에서 공정이 이루어졌지만 본 실험에서는 2차 아민계촉매(pyridine)을 사용하여 reactor의 온도를 $30^{\circ}C$정도의 저온공정에서 $SiO_2$ 산화물을 코팅을 하였다. MO source로는 액체상태의 TEOS$(Si(OC_2H_5)_4)$를, 반응가스로는 $H_2O$를 사용하였고, 불활성 기체인 Ar 가스는 purge 가스로 각각 사용 하였다. ALD 공정에 의해 표면처리 된 $TiO_2$ 나노 파우더의 분산특성은 각 공정 cycle에 따라 FESEM을 통하여 입자의 형상 및 분산성을 확인하였으며 입도 분석기를 통하여 부피의 변화 및 분산 특성을 확인하였다. 공정 cycle 이 증가함에 따라 입자간의 응집현상이 개선되는 것을 확인 할 수 있었으며, 100cycles에서 응집현상이 가장 많이 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 표면 처리된 $SiO_2$ 산화막은 XRD를 통한 결정 분석 및 EDX를 통한 정성 분석을 통하여 확인하였다.

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Thermal Durability of Neon Transformer with Diluent Mixing Ratio (증량제 혼합비율에 따른 네온변압기의 열내구성 평가)

  • Hong, In Kwon;Jeon, Gil Song;Lee, Seung Bum
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.26 no.4
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    • pp.452-457
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    • 2015
  • The physical properties, such as the heat resistance and thermal durability of the temperature difference fatigue resistance should be excellent when preparing an epoxy type resin for a neon transformer housing. In this study, 50 wt% of $SiO_2$ and silica were selected as a reinforcement and diluent filler for epoxy type resins, respectively. Thermal conductivity and thermal stability were measured as the mixing ratio varied upon the particle sizes. The optimal amount of the mixed silica was 50 wt%. Thermal stability was improved with increasing the amount of larger silica particles. The optimal mixing ratio of differently sized silica particles was 28/3 : 14/18 : 8/10 mesh = 1 : 1 : 1. From these results, it is thought that neon transformer is producible which has excellent thermal durability.

Thickness Measurement of Nanogate Oxide Films by Spectroscopic Ellipsometry (SE를 사용한 나노게이트 산화막의 두께측정)

  • 조현모;조용재;이윤우;이인원;김현종;김상열
    • Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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    • 2002.11a
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    • pp.40-41
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    • 2002
  • 차세대 반도체 및 나노소자 산업에 대한 국제적 기술은 고밀도 직접화의 추세에 따라서 .게이트 산화막의 두께가 급속히 작아지는 추세이다. 지금까지 이산화규소(A1₂O₃)가 게이트 산화막으로 주로 사용되어 왔으나 점차 SiON 혹은 high k 박막으로 바뀌고 있다. 본 연구에서는 차세대 반도체 소자에 사용될 게이트 산화막 물질인 SiON 박막과 Al₂O₃박막에 대한 SE(Spectroscopic Ellipsometry)분석 모델을 확립하였고, SE 측정결과를 TEM, MEIS, XRR의 결과들과 비교하였다. SiON 박막의 굴절률 값은 Si₃N₄와 SiO₂가 물리적으로 혼합되어 있다고 가정하여 Bruggeman effective medium approximation을 사용하여 구하였다. 동일한 시료를 절단하여 TEM, MEIS, 그리고 XRR에 의하여 SiON 박막의 두께를 측정하였으며, 그 결과 SE와 XRR에 의해 얻어진 박막두께가 TEM과 MEIS의 결과 값보다 약 0.5 nm 크게 주어짐을 알 수 있었다(Table 1 참조). 본 연구결과는 비파괴적이며 비접촉식 측정방법인 SE가 2~4nm 두께의 초미세 SiON 박막의 두께와 N 농도의 상대적 값을 빠르고 쉽게 구할 수 있는 유용한 측정방법 임을 보여주었다. 기존의 게이트 산화물인 SiO₂를 대체할 후보 물질들 중의 하나인 A1₂O₃의 유전함수를 구하기 위하여 8 inch, p-type 실리콘 기판 위에 성장된 5 nm, 10 nm, 및 20 nm 두께의 A1₂O₃ 박막의 유전함수와 두께를 측정하였다. 이 시료들에 대한 SE data는 vacuum-UV spectroscopic ellipsometer를 사용하여 세 개의 입사각에서 0.75 eV에서 8.75 eV까지 0.05 eV 간격으로 측정되었다. A1₂O₃ 박막의 유전함수와 두께를 얻기 위하여 공기층/A1₂O₃ 박막/Si 기판으로 구성된 3상계 모델을 사용하였다. Si 기판에 대한 복소 유전함수는 문헌상의 값(1)을 사용하였고, A1₂O₃ 박막의 유전함수는 5개의 미지상수를 갖는 Tauc- Lorentz(TL) 분산함수(2)를 사용하였다. A1₂O₃ 박막의 경우 두께가 증가함에 따라서 굴절률이 커짐을 알 수 있었다.

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Removal of Polymer residue on Graphene by Plasma treatment

  • Yun, Hye-Ju;Jeong, Dae-Seong;Lee, Geon-Hui;Sim, Ji-Ni;Lee, Jeong-O;Park, Jong-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.375.2-375.2
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    • 2016
  • 그래핀(Graphene)은 원자 한 층 두께의 얇은 특성에 기인하여 우수한 투과도(~97.3%)를 나타내며, 높은 전자 이동도($200,000cm^2V^{-1}s^{-1}$)로 인하여 전기 전도도가 우수한 2차원 전자소재이다. 또한 유연하고 우수한 기계적 물성을 가지고 있어 실제로 다양한 소자에서 활용되고 있다. 그래핀을 이용하여 다양한 소자로 응용하기 위한 과정 중 하나인 포토리소그래피 공정(Photolithography process)은 원하는 패턴을 만들기 위해 제작하고자 하는 기판 위에 포토레지스트(Photoresist)를 코팅하는 과정을 거치게 된다. 하지만 이러한 과정은 소자 제작에 있어서 포토레지스트 잔여물을 남기게 된다. 그래핀 위에 남은 포토레지스트 잔여물은 그래핀의 우수한 전기적 특성을 저하시켜 소자특성에 불이익을 주게 된다. 본 연구에서는 수소 플라즈마를 이용하여 그래핀 위에 남은 중합체(Polymer) 잔여물을 제거한다. 사용한 그래핀은 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition)을 이용하여 성장시켰으며, PMMA(Poly(methyl methacrylate))를 이용하여 이산화규소(silicon dioxide) 기판에 전사하였다. 그래핀의 손상 없이 중합체 잔여물을 제거하기 위해 플라즈마 처리시간을 15초부터 1분까지 늘려가며 연구를 진행하였으며, 플라즈마 처리 시간에 따른 중합체 잔여물의 제거 정도와 그래핀의 보존 여부를 확인하기 위해 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 원자간력현미경(Atomic force microscopy)을 사용하였다. 본 연구 결과를 통해 간단한 플라즈마 처리로 보다 나은 특성의 그래핀 소자를 얻게 됨으로써, 향상된 특성을 가진 그래핀 소자로 산업적 응용 가능성을 높일 수 있을 것이라 생각된다.

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Growth of SiO2 nanowire by Vapor Phase Evaporation (기상휘발법에 의한 이산화규소 나노와이어의 성장)

  • Rho Dae-Ho;Kim Jae-Soo;Byun Dong-Jin;Lee Jae-Hoon;Yang Jae-Woong;Kim Na-Ri;Cho Sung-Il
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.14 no.7
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    • pp.482-488
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    • 2004
  • $SiO_2$ nanowires were synthesized using the vapor evaporation method. Grown nanowires had a different shapes by kind of substrates. Diameters and lengths of the nanowires increased with increasing growth temperature and time. Mean diameters and lengths of $SiO_2$ nanowire were different by kind of substrates. These variations were attributed to nanowire densities on the substrates. The kind of substrates affected microstructure and PL properties of grown nanowires. In case of $Al_{2}O_3$ and quartz substrates, additional $O_2$ were supported during growth stages, and made a nucleation site. Therefore relative narrow nanowire was grown on $Al_{2}O_3$ and quartz substrates. Optical property were measured by photoluminescence spectroscopy. Relatively broad peak was obtained and mean peak positioned at 450 and 420nm. however in case of quartz substrates, mean peak positioned at 370nm. These peak shift was contributed to the size and substrate effects.

Fabrication and property of silica nanospheres via rice-husk (왕겨를 통한 실리카 나노스페어의 제작과 특성)

  • Im, Yu-Bin;Kwk, Do-Hwan;Wahab, Rizwan;Lee, Hyun-Choel;Kim, Young-Soon;Yang, O-Bong;Shin, Hyung-Shik
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.619-619
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    • 2009
  • Recently, silica nanostructures are widely used in various applicationary areas such as chemical sensors, biosensors, nano-fillers, markers, catalysts, and as a substrate for quantum dots etc, because of their excellent physical, chemical and optical properties. Additionally, these days, semiconductor silica and silicon with high purity is a key challenge because of their metallurgical grade silicon (MG-Si) exhibit purity of about 99% produced by an arc discharge method with high cast. Tremendous efforts are being paid towards this direction to reduce the cast of high purity silicon for generation of photovoltaic power as a solar cell. In this direction, which contains a small amount of impurities, which can be further purified by acid leaching process. In this regard, initially the low cast rice-husk was cultivated from local rice field and washed well with high purity distilled water and were treated with acid leaching process (1:10 HCl and $H_2O$) to remove the atmospheric dirt and impurity. The acid treated rice-husk was again washed with distilled water and dried in an oven at $60^{\circ}C$. The dried rice-husk was further annealed at different temperatures (620 and $900^{\circ}C$) for the formation of silica nanospheres. The confirmation of silica was observed by the X-ray diffraction pattern and X-ray photoelectron spectroscopy. The morphology of obtained nanostructures were analyzed via Field-emission scanning electron microscope(FE-SEM) and Transmission electron microscopy(TEM) and it reveals that the size of each nanosphares is about 50-60nm. Using the Inductively coupled plasma mass spectrometry(ICP-MS), Silica was analyzed for the amount of impurities.

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