본 논문에서는 양극을 Ni, Au, Ag 등으로 하여 소자를 만들어 본 후에 가장 효율이 좋은 금속으로 양극을 정하고 유기물 층의 두께에 따른 마이크로 캐비티에 의한 스펙트럼의 이동효과를 시뮬레이션을 통해 살펴보았다. 소자의 기본 구조는 전면 발광 방식으로 양극/NPB/Alq3/LiF/Al이다. 음극을 LiF/Al과 Mg/Ag로 구조로 제작한 후에 기본 구조와 결과를 비교하였다. 실험결과를 시뮬레이션 결과와 비교 검토하였다.
In this study, cathodic protection experiment was carried out by Al-alloy sacrificial anode in marine environments which have specific resistance($\rho$) if 25~7000$\Omega$.cm and investigated protection potential, current density and loss rate of Al-alloy sacrificial anode. The main results resistance($\rho$) of 400$\Omega$.cm, the cathodic protection potential appears high about-720 mV(SCE). But below specific resistance($\rho$) of 300$\Omega$.cm, the cathodic protection potential appears low about-770 mV(SCE) and simultaneously, cathode is protected sufficiently. 2) The loss rate of Al-Alloy sacrificial anode became large with decreasing specific resistance and increasing the ratio(A sub(c)/A sub(a) of bared surface area of anode and cathode. 3) The loss rate of Al-alloy sacrificial anode(w) to the mean current density of anode(i) is as follows. w=ai+b (a, b : experimental constants)
2205 duplex stainless steels have been used for the construction of the marine environment, because of their excellent corrosion resistance and high strength. However, the resistance to hydrogen embrittlement (HE) may be less than that of 316L austenitic stainless steel. The reason why 316L stainless steels have better resistance to HE is associated with crystal structure (FCC, face centered cubic) and the higher stacking faults energy than 2205 duplex stainless steels. Furthermore 2205 stainless steels with or without tungsten were also examined in terms of HE. 2205 stainless steels containing tungsten is less resistible to HE. It is because dislocation tangle was formed in 2205 duplex stainless steels. Slow strain-rate tensile test (SSRT) was conducted to measure the resistance to HE under the cathodic applied potential. Hydrogen embrittlement index (HEI) was used to evaluate HE resistance through the quantitative calculation.
LCD Backlight 구동 응용을 위한 새로운 인버터 회로 Topology인 Dual Active Clamp Forward (ACF) Inverter를 제안한다. 제안된 회로는 LCD의 광원 역할을 하는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL) 구동을 위한 회로로서, 넓은 입력 범위 및 부하 범위에서도 영 전압 스위칭 동작을 보장하며, 출력 AC 전류의 대칭성을 보장한다. 더욱이 기존 Symmetric Phase Shift Full Bridge방식은 특허 우선순위가 있는 방법으로써, Dual ACF Inverter를 사용할 경우 특허 Royalty 부담을 줄일 수 있다. 본 논문에서는 제안된 회로의 동작원리에 대한 타당성을 이론적 분석 및 모의실험을 통하여 검증한다.
액정 디스플레이의 백라이트에 사용되는 냉음극 방전램프(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp) 구동을 위해 압전 변압기(Piezoelectric Transformer)를 사용하였으며, 최적 파라미터를 선정하여 실험을 통해 검증하였다. 적용한 압전 인버터로는 푸시-풀(Push-Pull)회로와 하프-브리지(Half-Bridge) 회로이며, 휘도 제어기법으로는 각각 아날로그(Analog) 방식과 버스트(Burst) 방식을 사용하였다. 푸시-풀 인버터의 경우 아날로그 제어방식으로 제어전압 2.5-4.5V에서 출력전류 1-6mA로 휘도 0-100% 특성을 보였다. 입출력 효율로 90.3%를 얻었으며, 하프브리지 인버터에 적용한 버스트 제어방식에서는 듀티비 5-50%에서 1-6mA의 제어 성능을 보였으며, 인버터의 입출력 효율은 82.1%를 얻었다.
TSV기술은 실리콘 칩에 관통 홀(through silicon via)을 형성하고, 비아 내부에 전도성 금속으로 채워 수직으로 쌓아 올려 칩의 집적도를 향상시키는 3차원 패키징 기술로서, 와이어 본딩(wire bonding)방식으로 접속하는 기존의 방식에 비해 배선의 거리를 크게 단축시킬 수 있다. 이를 통해 빠른 처리 속도, 낮은 소비전력, 높은 소자밀도를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 웨이퍼 레벨에서의 TSV 충전 경향을 조사하기 위하여, 실리콘의 칩 레벨에서부터 4" 웨이퍼까지 전해 도금법을 이용하여 Cu를 충전하였다. Cu 충전을 위한 도금액은 CuSO4 5H2O, H2SO4 와 소량의 첨가제로 구성하였다. 양극은 Pt를 사용하였으며, 음극은 $0.5{\times}0.5 cm^2{\sim}5{\times}5cm^2$ 실리콘 칩과 4" 실리콘 wafer를 사용하였다. 실험 결과, $0.5{\times}0.5cm^2$ 실리콘 칩을 이용하여 양극과 음극과의 거리에 따라 충전률을 비교하여 전극간 거리가 4 cm일 때 충전률이 가장 양호하였다. $5{\times}5cm^2$ 실리콘 칩의 경우, 전류 공급위치로부터 0~0.5 cm 거리에 위치한 TSV의 경우 100%의 Cu충전률을 보였고, 4.5~5 cm 거리에 위치한 TSV의 경우 충전률이 약 95%로 비아의 입구 부분이 완전히 충전되지 않는 경향을 보였다. 전극에서 멀리 떨어져있는 TSV에서 Cu 충전률이 감소하였으며, 안정된 충전을 위하여 전류를 인가하는 시간을 2 hrs에서 2.5 hrs로 증가시켜 4" 웨이퍼에서 양호한 TSV 충전을 할 수 있었다.
50 kW급 출력의 전자빔을 발생시킬 수 있는 축선 방식 전자총 (axial electron beam gun)과 전원장치를 제작하였다. 전자총은 전자빔 발생장치와 전자빔 궤적제어장치로 이루어졌다. 전자빔 발생장치는 필라멘트와 음극(cathode), 양극(anode)으로 구성되었고 전자빔의 최대전류는 2A, 가속전압은 평균 25kV이다. 전자빔 궤적제어장치는 전자빔의 크기를 조절하는 초점 (focusing) 코일과 전자빔의 방향을 조절하는 편향(deflection) 코일 및 주사 (scanning) 코일로 구성되었다. 전자총과 별개로 진공용기 내부에 Helmholtz 코일을 설치하여 시료의 표면에 입사되는 전자빔의 입사각도를 최적화시켰다. 각 부분의 동작 특성을 측정한 결과와 제작된 전자총으로 고융점 원소인 지르코늄 (zirconium, Zr)과 가돌리늄(gadolinium, Gd) 금속을 증발시킨 결과를 정리하였다.
플라즈마 질화 기술은 기존의 침탄 혹은 고주파 표면 경화 기술 대비 낮은 온도에서 열처리 공정이 진행됨에 따라 열 변형을 최소화 시킬 수 있으며, 후 가공을 간소화 시킬 수 있다는 장점으로 인해 자동차 부품 및 기타 응용 산업 분야에 있어 큰 관심을 받고 있다. 그러나 공정 진행에 장시간이 소요되고 복잡한 형상 및 홀 가공에 의한 기능부, 특히 내경부에 대한 균일 질화 처리가 어려워 실제 응용분야 확장에 큰 제약이 따르고 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 일반 글로우 방전 대비 플라즈마 밀도가 10배 이상 높은 공공 음극 방전(Hollow Cathode Discharge, 이하 HCD) 현상을 이용하여 고속 고균일 질화공정을 개발하고자 하였으며, 상용화 적용을 위한 연구를 함께 진행하였다. 사용된 시료로는 실제 자동차 부품으로 사용되는 SCM415 소재의 ring gear와 slip yoke pipe를 사용하였으며, HCD 형성을 위해 특화된 플라즈마 질화장비를 활용, 공정 압력 및 인가 전력 등을 변수로 실험을 진행 하였다. 그 결과 질화 처리 속도에 있어 기존 글로우 방전 플라즈마 질화 대비 1/4 이하 수준으로 그 소요 시간을 단축시킬 수 있었으며, 다량 장입된 시료의 내경 기능부에 있어서도 높은 균일도를 갖는 질화표면이 형성됨을 확인할 수 있었다. 또한 기능부 표면에 형성된 HCD 현상을 열원으로 사용함으로써 외부가열 장치를 사용하지 않으면서도 기존의 hot wall 방식보다 높은 질화 균일도 구현이 가능하였으며, 소요 자원 및 전력 사용 측면에 있어서도 공정 시간 단축 및 외부 가열 공정 제거에 의한 높은 수준의 에너지 절약이 가능하였다.
Corrosion properties of Al-0.3Ga-0.3Sn, Al-0.3Mn-0.3Ga, and Al-0.3Mn-0.3Sn alloys were examined to develop an anode material for Al-air battery with alkaline aqueous or ethanol electrolyte. The results of potentiodynamic polarization tests showed that the electrode potential of the Al alloys were lower than the pure Al, implying the cell voltage can be increased by using one of these alloys for an anode in 4 M KOH aqueous solution. The corrosion rate appeared to be increased by alloying Ga but to be reduced by Sn and Mn in the aqueous solution. The ethanol solution is expected to improve the cell performance in that the electrode potential and the corrosion rate of Al were lower in ethanol solution than in aqueous solution. However the Al-(Ga, Sn, Mn) alloys are not favorable in ethanol solution because of the high potential and corrosion rate.
LCD는 광변조기능을 가지는 수광 소자로서 발광원인 백라이트를 필요로 하는데 일반적으로 냉음극 방전램프(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 사용된다. 기존의 권선형 변압기를 이용한 인버터를 구성하여 멀티램프를 구동하고 있지만 이는 코어나 권선 손실에 의한 효율 저하와 부피나 중량의 증가, 그리고 과열에 의한 화재의 위험성을 가지고 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위해 본 논문에서는 압전 변압기를 이용한 멀티램프 구동용 인버터를 설계 지침에 따라 구성하였다. 인버터 하나로 압전 변압기를 병렬로 연결하는 방식을 이용하였고, 또한 전류 부담이 적은 외관 전극 형광 램프(EEFL: External Electrode Fluorescent Lamp)를 이용한 멀티램프 구동 방법이 압전 인버터에 적용 가능한지를 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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