• 제목/요약/키워드: 웨이퍼 다이싱

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UV 레이저를 이용한 Si Thin 웨이퍼 다이싱 및 드릴링 머신 (A Study on a Laser Dicing and Drilling Machine for Si Thin-Wafer)

  • 이용현;최경진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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    • pp.478-480
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    • 2004
  • 다이아몬드 톱날을 이용한 얇은 Si 웨이퍼의 기계적인 다이싱은 chipping, crack 등의 문제점을 발생시킨다. 또한 stacked die 나 multi-chip등과 같은 3D-WLP(wafer level package)에서 via를 생성하기 위해 현재 사용되는 화학적 etching은 공정속도가 느리고 제어가 힘들며, 공정이 복잡하다는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 현재 연구되고 있는 분야가 레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 및 드릴링이다. 본 논문에서는 UV 레이저를 이용한 얇은 Si 웨이퍼 다이싱 및 드릴링 시스템에 대해 소개하고, 웨이퍼 다이싱 및 드릴링 실험결과를 바탕으로 적절한 레이저 및 공정 매개변수에 대해 설명한다.

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실리콘 웨이퍼에 2중 다이싱 공정의 도입이 반도체 디바이스의 T.C. 신뢰성에 미치는 영향 (Effect of Dual-Dicing Process Adopted for Silicon Wafer Separation on Thermal-Cycling Reliability of Semiconductor Devices)

  • 이성민
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.1-4
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    • 2009
  • 본 연구에서는 실리콘 웨이퍼에 2중 다이싱 공정의 적용이 리드-온-칩 패키지로 조립되는 반도체 디바이스의 T.C. ($-65^{\circ}C$에서 $150^{\circ}C$까지의 온도변화에 지배되는 신뢰성 실험) 신뢰성에 어떠한 영향을 미치는 지를 보여준다. 기존 싱글 다이싱 공정은 웨이퍼에서 분리된 디바이스의 테두리 부위가 다이싱으로 인해 기계적으로 손상되는 결과를 보였으나, 2중 다이싱 공정은 분리된 디바이스의 테두리 부위가 거의 손상되지 않고 보존되는 것을 확인할 수 있었다. 이는 2중 다이싱의 경우 다이싱 동안 웨이퍼의 전면에 도입된 노치부위가 선택적으로 파손되면서 분리된 디바이스의 테두리 부위를 보호하기 때문으로 해석된다. 온도변화 실험을 통해 2중 다이싱 공정의 도입이 단일 다이싱 공정에 비해 T.C. 신뢰성에서도 대단히 좋은 결과를 보인다는 것을 확인할 수 있었다.

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GAN 웨이퍼의 다이싱 (Dicing of GAN Wafer)

  • 최범식;차영엽
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.484-487
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    • 1997
  • The dicing is a process of gaining chip from a wafer. It is done by some mechanism to lengthwise and crosswise. Here, it is focused on measuring a depth of the wafer hefore a process of the dicing. First of all, it checks a precise outer position for the wafer on table to gain the chip. Second, the xafer should he lined after Imowing how much depth, it is in out of the outer position of the wafer. Here suggests that there are a composition of mechanical system, how to measure a depth out of scriber axis, a result from testing.

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반도체 웨이퍼를 위한 새로운 다이싱 방법 (A New Dicing Method for Semiconductor Wafer)

  • 차영엽;최범식
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제27권8호
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    • pp.1309-1316
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    • 2003
  • The general dicing process cuts a semiconductor wafer to lengthwise and crosswise direction by using a rotating circular diamond blade. But products with inferior quality are produced under the influence of several parameters in dicing process such as blade, wafer, cutting water and cutting conditions. Moreover we can not apply this dicing method to GaN wafer, because the GaN wafer is harder than the other wafer such as SiO2, GaAs, GaAsP, and AlGaAs. In order to overcome this problem, development of a new dicing process and determination of dicing parameters are necessary. This paper describes a new wafer dicing method using fixed diamond scriber and precision servo mechanism and determination of several parameters - scribing depth, scribing force, scriber inclined angle, scribing speed, and factor for scriber replacement - for a new dicing machine using scriber.

웨이퍼 장착을 이용한 다이싱 척의 평탄도 평가 방법에 관한 연구 (A Study on the Flatness Evaluation Method of the Dicing Chuck using Chucked-wafer)

  • 육인수;이호철
    • 한국공작기계학회논문집
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    • 제17권3호
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    • pp.53-58
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    • 2008
  • This study was conducted to evaluate the flatness of the porous type of dicing chuck. Two measurement systems for a vacuum chuck with a porous type of ceramic plate were prepared using a digital indicator and a laser interferometer. 6 inch of silicon and glass wafer were also used. Vacuum pressure from 100mmHg to 700mmHg by 100mmHg was increased. From experiments, chucked-wafer flatness was converged to the dicing chuck flatness itself even though the repeatability of contact method using indicator was unstable. Finally, the chuck flatness was estimated below $2{\mu}m$ with peak-to valley value.

반도체 웨이퍼 다이싱용 나노 복합재료 블레이드의 제작 (Fabrication of Organic-Inorganic Nanocomposite Blade for Dicing Semiconductor Wafer)

  • 장경순;김태우;민경열;이정익;이기성
    • Composites Research
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    • 제20권5호
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    • pp.49-55
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    • 2007
  • 반도체 쿼츠 웨이퍼 다이싱용 블레이드는 마이크로/나노 디바이스와 부품을 제조하기 위해 고정밀도의 가공성을 요구한다. 따라서 균일한 마이크로/나노 선폭의 가공을 위해서는 블레이드의 제작 단계에서 균일한 두께와 밀도를 유지하는 것이 중요하다. 기존의 실리콘웨이퍼 가공을 위해서는 금속의 블레이드가 사용되고 있지만 쿼츠 웨이퍼 가공을 위해서는 고분자 복합재가 사용된다. 이러한 복합재는 가공성, 전기전도성, 그리고 적절한 강도와 연성 및 마모저항성이 있어야 한다. 그러나 기존의 건식성형 공정으로는 균일성을 유지하기 위해 많은 공정과 비용이 소비되고 있다. 본 연구에서는 도전성 나노 세라믹스 분말, 연마재 세라믹스 분말에 열경화성 수지, 전도성 고분자를 혼합한 복합재 분말을 습식성형 공정에 의해 제조, 평가하는 연구를 수행하였다. 먼저 복합재 분말을 액상과 혼합하여 블레이드를 제작하였으며, 액상의 종류, 액상 건조공정의 영향을 고찰하였다. 평가는 마이크로미터 측정기와 현미경을 이용하여 두께를 측정하였다. 두께편차와 기공률, 밀도, 경도, 등의 특성을 비교, 평가하였다. 그 결과 습식성형에 의해 블레이드의 두께편차를 감소시킬 수 있었으며, 경도 등의 특성을 향상시킬 수 있었다.

반도체 웨이퍼 다이싱 공정을 위한 생산시점 정보관리시스템 (A Point of Production System for Semiconductor Wafer Dicing Process)

  • 김인호
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제14권10호
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    • pp.55-61
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    • 2009
  • 본 연구는 웨이퍼 다이싱 공정의 가공정보들을 수집하여 실시간으로 관리하는 생산시점의 정보관리시스템에 대한 연구이다. 개발한 시스템은 POP용 단말기, 라인 컨트롤러 및 네트웍으로 구성된다. LAN은 상위관리시스템을 연결하며, RS485 네트웍은 하위시스템인 라인 컨트롤러와 단말기를 연결한다. 라인 컨트롤러는 POP 단말기와 서버를 연결하기 위해 사용된다. 웨이퍼의 실시간 가공정보는 기계, 제품, 작업자의 정보발생원들로부터 얻고, 이들은 최적절삭조건을 계산하기 위하여 사용된다. 수집된 정보는 절삭속도, 순수의 여부, 처리 중인 블레이드의 누적 절삭량 및 불량 웨이퍼의 수이다. 상위시스템의 생산계획정보는 웨이퍼 가공공정의 관리를 위해서 현장에 전달되며, 생산결과정보는 현장에서 수집하여 서버로 전달되고 필요한 형태로 정보가 가공되어 공정관리용 정보로 사용된다. 개발한 시스템을 반도체 웨이퍼 가공공정에 적용한 결과, 생산진전상태, 각 기계에 대한 작업시간 및 비작업시간의 해석 및 웨이퍼 불량률의 해석이 가능하며, 이들은 다이싱 공정의 품질 및 생산성 향상을 위한 생산공정 관리정보로 활용할 수 있을 것이다.

다이싱가공에 있어서 가공구사행현상에 대한 연구 (A Study on Meandering Phenomenon in Dicing process)

  • 정윤교
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.144-149
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    • 1994
  • 반도체 산업계에 있어서 IC 등을 주류로 하는 마이크로칩의 생산성 및 성능이 현저히 성장하여 많은 경제효과를 가져오고 있다. 이와함께 전자부품에 사용되어지는 취성재료의 종류 및 그양도 점점 증가하는 추세이다. 이러한 취성재료의 절단에는 초극박의 다이야몬드 브레이드가 널리 사용되어지고 있다. 실리콘웨이퍼와 같은 취성재료의 다이싱가공에서 문제가 되고있는것은 칩핑과 사행현상의 발생이다. 사행현상의 원인으로서는 브레이드축면의 비대칭성,절삭날의 둔화,숫돌축과 이송방향의 위치결정오차,후렌지 단면의 흔들림등을 들수 있다. 그러나, 사행의 발생영역과 사행이 계속되는 이유에 대해서는 전혀 검토되어진바 없는것이 현실이다. 본 연구에서는 다이싱가공시의 사행현상에 주목해서 사행현상의 발생영역을 명확하게 함과 동시에 AE 센서를 이용하여 인프로세서로 사행현상의 검출방법을 개발하는 것을 목적으로 한다.

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PC 기반의 다이싱 공정 자동화 시스템 개발

  • 김형태;양해정;송창섭
    • 한국정밀공학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.47-57
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    • 2000
  • In this study, PC-based dicing machine and driving software were constructed for the purpose of automation of wafer cutting process. To automate the machine, hard automation including vision, loading, and software were considered in the development. Auto loading device and vision system were adopted for the increase of productivity, GUI software programmed for the expedient operation. The dicing machine is operated by the control algorithm and some parameters. It is verified that this kind of PC based automation has a great potential compared with the conventional dicing machine when applied to manufacturing some kinds of wafers as a test purpose.

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신호처리를 이용한 웨이퍼 다이싱 상태 모니터링 (Wafer Dicing State Monitoring by Signal Processing)

  • 고경용;차영엽;최범식
    • 한국정밀공학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.70-75
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    • 2000
  • After the patterning and probe process of wafer have been achieved, the dicing process is necessary to separate chips from a wafer. The dicing process cuts a wafer to lengthwise and crosswise direction to make many chips by using narrow circular rotating diamond blade. But inferior goods are made under the influence of complex dicing environment such as blade, wafer, cutting water and cutting conditions. This paper describes a monitoring algorithm using feature extraction in order to find out an instant of vibration signal change when bad dicing appears. The algorithm is composed of two steps: feature extraction and decision. In the feature extraction, two features processed from vibration signal which is acquired by accelerometer attached on blade head are proposed. In the decision. a threshold method is adopted to classify the dicing process into normal and abnormal dicing. Experiment have been performed for GaAs semiconductor wafer. Based upon observation of the experimental results, the proposed scheme shown a good accuracy of classification performance by which the inferior goods decreased from 35.2% to 12.8%.

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