• 한국안광학회지
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• 제12권4호
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• pp.43-54
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• 2007

계속 착용렌즈(continuous wear lens)로 개발된 실리콘 하이드로겔렌즈가 최근에는 매일 착용렌즈로 사용되고 있다. 본 연구에서는 소프트 콘택트렌즈를 성공적으로 수년 동안 착용한 성인을 대상으로 매일 착용렌즈로 개발된 $O_2OPTIX$ 실리콘 하이드로겔렌즈를 바꿔 착용시킨 후 나타나는 임상 증상의 변화를 비교 분석하였다. $O_2OPTIX$ 실리콘 하이드로겔렌즈로 바꿔 착용한 소프트 콘택트렌즈 착용자 65명 중 62명(평균 착용기간: $30.7{\pm}19.9$개월)이 마지막까지 연구에 참여하였으며 렌즈 착용 기간 중 연구 대상자에서 나타나는 자각적 증상과 타각적 증상을 CCLRU 기준에 따라 평가하였다. 단일커브의 O2OPTIX 실리콘 하이드로겔렌즈를 피팅한 결과 피팅 성공률은 98%로 나타났고 착용하던 소프트 콘택트렌즈보다 추가 교정도수가 필요한 경우는 33.9%로 나타났다. 대부분의 착용자는 전에 착용하던 소프트 콘택트렌즈보다 건조감과 충혈, 피곤함이 모두 줄었다고 응답했으며 자각적증상과 타각적증상 중 건조감, 피곤함, 가려움증, 구결막 충혈 및 윤부 충혈은 모두 감소했으며(p<0.0001) 특히 소프트 콘택트렌즈 착용 중 증상을 많이 느꼈던 착용자에서 증상이 더 많이 개선되었다. 그러나 각막 염색 증상은 많은 착용자에서 관찰되었고 정도도 심해졌다(p<0.0001). 소프트 콘택트렌즈 착용자가 실리콘 하이드로겔렌즈로 바꿔 착용하면 건조감과충혈 및 피곤함의 증상이 해결될 수 있을 것으로 사료되며 특히 소프트 콘택트렌즈를 착용하는 동안 증상을 심하게 느낀 사람에서 더 효과적일 것으로 생각된다. 소프트 콘택트렌즈 착용자가 실리콘 하이드로겔렌즈로 바꿔 착용하는 경우 각막염색이 발생될 수 있으므로 지속적인 관찰이 요망되며 최대교정시력을 제공하기 위해서는 피팅 후 반드시 덧댐굴절검사(over-refraction)가 필요할 것으로 생각된다.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제40권3호
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• pp.461-468
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• 2017

본 연구는 진단용 X선 에너지 영역에서 고순도의 납 0.5mm 와 실리콘(Si)과 이산화티탄($TiO_2$)을 이용한 X선 융합차폐체의 선량을 측정하고 차폐율을 비교 측정하였다. 실험을 위하여 실리콘(Si)과 이산화티탄($TiO_2$)을 혼합하여 1 mm 두께의 패드형 차폐체를 제작하고, 차폐체의 두께를 1mm 씩 증가시키며 X선을 조사하여 0 mR이 될 때까지 선량을 측정하였다. KS A 4025의 권고에 따라 X선 조사조건은 각각 60 kVp 20 mAs, 100 kVp 20 mAs로 하였으며, 두 개의 관전압 조건에서 차폐체가 없을 경우의 조사선량을 기준으로 차폐체가 있을 경우의 선량과 비교하여 차폐율을 구하였다. 두께 0.5 mm 납판 차폐체의 차폐율은 60 kVp에서 95.92%, 100 kVp에서 85.26%로 측정되었고, 실리콘(Si)과 이산화티탄($TiO_2$)패드 차폐체를 적용하였을 경우 60 kVp, 20 mAs 조건에서 두께가 11 mm 이상일 때 10회 조사 평균선량은 1.77 mR, 차폐율은 납판 0.5 mm 차폐체와 등가의 차폐율을 나타내었으며, 13 mm에서 측정선량이 0 mR이 되었다. 100 kVp, 20 mAs 조건에서는 17 mm 두께에서 납 0.5 mm 차폐체와 등가 이상의 차폐율이 관찰 되었고 23 mm 두께에서 100% 의 차폐율을 관찰할 수 있었다. 본 연구 결과를 통해 실리콘-이산화티탄 화합물은 실리콘의 물성이 그대로 존재하면서 금속화합물과 융합할 수 있다는 결과를 얻었으며, 이후 방사선 흡수가 더 뛰어난 금속화합물등과 혼합할 경우 납의 위해성을 포함하지 않으며, 재료와 가공성에서 경제적이며, 실리콘의 강점을 살려 탄성과 유연성이 뛰어난 저선량용 방사선 차폐재의 제작 가능성을 확인해 볼 수 있었다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제46권3호
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• pp.414-419
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• 1999

실리콘 액은 미용 및 성형수술에 널리 사용되어지고 실리콘에 의한 불법적인 의료행위가 증가함에 따라 국소적 부작용 뿐만 아니라 폐 색전증에 의한 급성 호흡곤란 증후군등의 치명적인 폐침범의 부작용을 일으킨다는 보고가 있으나 국내보고는 아직 없었다. 본 증례에서는 건강한 39세 젊은 여자 환자가 질벽에 실리콘액을 주사한 후에 발생한 폐 색전증을 동반한 급성 호흡곤란 증후군 1예을 경험하였기에 문헌고찰과 함께 보고하는 바이다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권4호
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• pp.246-248
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• 2000

Closed-form expressions for the temperature dependent breakdown voltage and the on-resistance of the Si power MOSFETs were derived by employing effective temperature dependent ionization coefficient for electrons and holes. The breakdown voltage increases by 20% and the on-resistance increases 2 times when the temperature increases from 300 K to 423 K. The analytic results normalized to the values at 300 K show good agreement with the experimental data of Motorola within 3.5% and 7% for the breakdown voltage and the on-resistance, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.562-562
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• 2013

산소 플라즈마는 음이온을 발생시키는 음전성 플라즈마로서 감광제 세정이나 금속, 폴리실리콘 등의 식각을 위해 할로겐 가스와 혼합하여 반도체나 디스플레이 공정에 광범위하게 사용되고 있다. 산소 플라즈마는 아르곤 플라즈마와 그 특성이 상이하고, 다량의 음이온이 국부적으로 만들어지므로 음이온의 공간분포 진단이 중요하다. 본 연구에서는 평판형 부유형 탐침에 고조화파 분석법을 적용하여 양이온의 밀도를 구하고, 직류 차단 커패시터를 제거하여 접지전위에서 전자 전류 측정을 통하여 위치에 따른 전자의 상대적인 공간 분포를 얻었다. 이러한 방법으로 측정된 양이온과 전자의 공간 분포로부터 음이온의 공간 분포를 구할 수 있었다. 가스 압력, 산소 첨가량, 인가 전력 등 여러 조건에서 측정된 음이온의 분포는 이론적인 경향성과 유사함을 확인할 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권3호
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• pp.277-283
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• 1996

The temperature dependent characteristics of hydrogenerated amorphous silcon thin film transistor (a-Si:H TFT) with a bottom gate of N-Type <100> Si wafer were investigated. Drain current on the hysteresis characteristic curve showed an exponential variation. Hysteresis area of TFT increased with the gate voltage increased and decreased with the small gate voltage. According to the variation of gate voltages, drain current of TFT increased by temperature increase, and hysteresis characteristics mainly depended on the temperature increase. The hysteresis current showed negative characteristics curve over 383K. The hysteresis occurance area and the differences of forward and reverse sweep were increased at the higher temperature. Hysteresis current of I$_{d}$(on/off) ratio decreased at the lower temperature and increased at the higher temperature.e.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권10호
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• pp.35-41
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• 1992

Ultra-thin silicon nitride films were fabricated with ECR(Electron cyclotron Resonance) nitrogen plasma at room temperature. Film thickness was about 50$\AA$ after nitridation for 1min at microwave power of 1000W, RF power of 500W, and NS12T pressure of ${\times}10^{-3}$ torr. 50$\AA$ fo nitride film was grown within 1 min and no appreciable growth occured thereafter. Dielectric breakdown strength and leakage current density in Al/SiN/Si structure were measured to be about 7-11 MV/cm and ${\times}10^{-10}~5{\times}10^{-10}A/cm^{2}$, respectively. Observed linear relationship in 1n(J/E)-vs-E$^{1/2}$ and no polarity-dependence of the leakage current indicated that the Poole-Frenkel emission is mainly responsible for the conduction in this nitrided silicon films.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권10호
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• pp.41-50
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• 1993

This paper describes the fabrication process and electrical characteristics of PSA (Polysilicon Self-Align) bipolar transistors with a thin base width of 1100.angs.. To realize this shallow junction depth, one-step rapid thermal annealing(RTA) technology has been applied instead of conventional furnace annealing process. It has been shown that the series resistances and parasitic capacitances are significantly reduced in the device with emitter area of 1${\times}4{\mu}m^{2}$. The switching speed of 2.4ns/gate was obtained by measuring the minimum propagation delay time in the I$^{2}$L ring oscillator with 31 stages.

• 유변학
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• 제5권1호
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• pp.85-92
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• 1993

수지이동 성형공정에서 수지가 섬유직조망에 함침될 때의 투과계수와 수지의 표면 장력으로 인하여 유동진전면에서 발생하는 모세관압을 실험적으로 측정하였다. 두 종류의 섬유조직망에 대해서 가공율이 증가함에 따라투과계수는 증가한다. 수지, 섬유 그리고 공기 가 서로 다른 세 개의 상을 구성함으로써 수지의 표면장력의 영향을 받는 비정상상태의 투 과계수가 수지의 섬유직조망에 포화된 정상상태에서 측정된 투과계수보다 본 실험에서 수행 된 모든 기공을 범위에서 크다는 것을 보여주었다. 수지 유동진전면에서 발생되는 모세관압 은 기공율이 감소함에 따라 증가하였고 섬유직 조망의 기공율이 0.469인 경우에는 금형입구 에서의 수지주입압력의 25%에 해당되는 모세관압이 발생되는 것으로 나타났다. 따라서 모 세관압을 가공조건으로 고려해다 한다는 것을 제시할수 있었다. 또한 본연구에서 사용된 임 의 배향 섬유직조망에 대해 실리콘 오일과 유리섬유 계면의 동적접촉각 측정을 통하여 섬유 배향 및 기공의 분포를 나타내는 형상인자의 값을 구함으로써 실제 RTM 공정에서 발생되 는 모세관압을 예측할 수 dLT는 기초자료를 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.131-135
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• 1989

Hot electron simulation of silicon using Monte Carlo method was carried out to investigate impact ionization characteristics near the drain of MOSFET's at 77 and 300K. We successfully characterized drift velocity and impact ionization at 77 and 300K employing a simplified energy band structure and phonon scattering mechanisms. Woods' soft energy threshold model was introduced to the Monte Carlo simulation of impact ionization, and good agreement with reported experimental results was resulted by employing threshold energy of 1.7 eV. It is suggested that the choice of the critical angle between specular reflection and diffusive scattering of surface roughness scattering may be important in determining the impact ionization charateristics of Monte Carlo simulation near the drain of MOSFET's.