최근 반도체 칩의 소형화 및 고집적화에 따라 미세 피치에 의한 범프 브리지 (bump bridge) 현상이 문제점으로 주목받고 있다. 이에 따라 범프 브리지 현상을 최소화할 수 있는 Cu pillar bump가 미세 피치에 대응하기 위해 반도체 패키지 산업에서 널리 적용되고 있다. 고온의 환경에 노출될 경우, 접합부 계면에 형성되는 금속간화합물(Intermetallic compound, IMC)의 두께가 증가함과 동시에 일부 IMC/Cu 및 IMC 계면 내부에 Kirkendall void가 형성되어 성장하게 된다. IMC의 과도한 성장과 Kirkendall void의 형성 및 성장은 접합부에 대한 기계적 신뢰성을 약화시키기 때문에 이를 제어하는 것이 중요하다. 따라서, 본 연구에서는 CS(Cu+ Sn-1.8Ag Solder) 구조 Cu pillar bump의 등온 시효 처리에 따른 접합부 특성 평가가 수행되었으며 그 결과가 보고되었다.
태양전지의 전극형성은 전지의 가격과 성능 그리고 시스댐의 신뢰성을 결정하는데 매우 중요한 변수이다. 기폰의 스크련 프린팅 기술은 전면전극에 냐쁜 영향을 미치는 여러가지 제약들을 가지고 었다. 전극함몰형 태양전지는 기존의 전극에서 발생하는 문제점을 극복하고 저가격 대량생산을 위해서 고안된 것이다. 본 논문에서는 무전해 도금방법을 사용하여 함몰형 전지의 전극을 형성하는 공정을 최적화함으로써 값싸고 재현성있게 전지를 제조할 수 있었다. 무전해 도금용액으로는 상엽적으로 사용되는 니켈, 구리, 은 용액을 사용하었으며, 전지의 효울 을 최고 18.8 %까지 얻었다. 이때 전지의 개방전압은 651 mV, 단락전류밀도는 37.1 mA/$\textrm{cm}^2$, 충실도는 77.8 % 었으며 배치에서 90 % 이상의 전지가 18 % 이상의 효율을 나타내었다.
갈수록 성장하고 있는 LNG 산업에 있어서 안전관리는 필수적인 요소로 자리잡아가고 있다. 이에 따라 기존의 LNG 저장/수송 시설에 대한 안전 관리를 보다 발전시킬 수 있는 것이 필요하며 최근 발전된 IT 산업은 LNG 저장/수송 시설에 대한 통합 안전관리 시스템을 가능케 했다. 위험성 평가/분석 기술, 폭발, 누출 및 확산 모델 구축 기술, 실시간 모니터링 및 이상 진단 기술, Data reconciliation을 통한 공정 정보 신뢰성 향상 기술 등을 집약하며 웹 환경을 통하여 구축될 통합 안전관리 시스템은 LNG 산업의 안전성 향상과 향후 기술 수출에 큰 기여를 할 것이다.
Cu/Ni/Sn-Ag 미세범프 접합 공정후 Ni/Sn-Ag접합계면에 잔류한 비전도성 필름(non-conductive film, NCF) trap 형성이 전기적 신뢰성에 미치는 영향을 분석하기 위해 온도 $150^{\circ}C$, 전류밀도 $1.5{\times}10^5A/cm^2$ 조건에서 electromigration (EM) 신뢰성 실험을 진행하였다. EM 신뢰성 실험 결과, NCF trap이 거의 없는 Cu/Ni/Sn-Ag 미세범프가 NCF trap이 형성된 미세범프 보다 약 8배 긴 EM 수명을 보여주고 있다. 저항 변화 및 손상계면에 대한 미세구조 분석결과, Ni/Sn-Ag접합계면에 공정 이슈에 의해 형성된 NCF trap이 Ni-Sn 금속간화합물/Sn-Ag솔더계면에 보이드를 유발하여 EM 원자 확산을 방해하기 때문에 빠른 보이드 성장에 의한 전기적 손상이 일찍 발생하는 것으로 판단된다.
3차원 적층 패키지를 위한 Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu 미세 범프의 열처리에 따른 금속간 화합물 성장 거동을 분석하기 위하여 in-situ SEM에서 $135^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $170^{\circ}C$의 온도에서 실시간 열처리 실험을 진행하였다. 실험 결과 금속간 화합물의 성장 거동은 열처리시간이 경과함에 따라 시간의 제곱근에 직선 형태로 증가하였고, 확산에 의한 성장이 지배적인 것을 확인 할 수 있었다. Ni/Au 층의 존재로 인해 Au의 확산으로 복잡한 구조의 금속간 화합물이 생성 된 것을 확인할 수 있다. 활성화 에너지는 $Cu_3Sn$의 경우 0.69eV, $(Cu,Ni,Au)_6Sn_5$경우 0.84 eV로 Ni이 포함된 금속간 화합물이 더 높은 것을 확인 하였으며, 확산 방지층 역할을 하는 Ni층에 의해 금속간 화합물 성장이 억제됨에 따라 신뢰성이 향상 될 것으로 사료된다.
본 연구는 소셜관광정보플랫폼이 이용자의 경험가치 및 e-충성도에 어떠한 영향을 미치는지에 대한 연구를 진행하여 향후 관광업계의 소셜관광정보플랫폼 운영에 있어 어떠한 전략으로 실무적 적용이 가능한 지속성장이 가능한지에 대한 방안 및 시사점의 제시에 목적을 두고 실증분석을 실시한 결과는 다음과 같다. 첫째, 소셜관광정보플랫폼의 하위요인인 상호작용성, 정보신뢰성 및 유용성은 경험가치에 유의한 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설은 모두 지지되었다. 둘째, 소셜관광정보플랫폼의 하위요인 상호보완성, 신뢰성 및 유용성은 e-충성도에 유의한 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설은 모두 지지되지 않았다. 셋째, 경험가치는 e-충성도에 유의한 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설은 지지되었다. 따라서 관광기업은 이러한 소셜관광정보플랫폼의 특성을 바탕으로 이용자의 상호작용성과 정보신뢰성 및 유용성을 고려하여 기존의 플랫폼을 바탕으로 보완을 통하여 경험가치를 향상시켜야 하며, 소셜관광정보플랫폼에 대한 e-충성도를 높이기 위해서는 소셜관광정보플랫폼의 눈에 보이는 외관도 중요하지만 소셜관광정보플랫폼 이용자들이 필요로 하는 정보를 명확하고 신속하게 제공해야 한다. 또한, 이용자가 소셜관광정보플랫폼을 이용하면서 흥미, 즐거움, 재미 등을 통하여 소셜관광정보플랫폼을 이용하는 시간이 즐거울 수 있도록 자신만의 킬러콘텐츠를 구성하여 소셜관광정보플랫폼에 대한 경험가치를 만족시킨다면 e-충성도가 향상될 것이라 사료된다.
인쇄회로기판 솔더 상부 및 하부 접합부의 서로 다른 표면처리 조건에 따른 Sn-3.0Ag-0.5Cu (SAC305) 접합부의 열처리 및 전류 인가에 따른 금속간 화합물 성장거동을 비교하기 위하여 in-situ 미세구조분석 및 electromigration (EM) 수명평가를 실시하였다. 솔더 접합 직후, 상부 접합부의 electroless nickel immersion gold (ENIG) 표면처리에서는 $(Cu,Ni)_6Sn_5$, 하부 접합부의 organic solderability preservative (OSP) 표면처리에서는$ Cu_6Sn_5$, $Cu_3Sn$ 금속간 화합물이 접합 계면에서 생성되었다. EM 수명평가 결과 온도 $130^{\circ}C$, 전류밀도 $5.0{\times}10^3A/cm^2$ 하에서 평균파괴시간이 약 78.7 hrs으로 도출되었고, 하부 OSP 표면처리에서 전자가 솔더로 빠져나가는 부분에서 Cu의 소모에 의한 단락이 주 손상기구로 확인되었다. In-situ 주사전자현미경을 통해 계면 미세구조 분석 결과 상부 접합부 ENIG 표면처리에서 전자의 방향에 따른 미세구조의 큰 차이가 없고 뚜렷한 손상이 관찰되지 않았으나, 하부 접합부 OSP 표면처리의 경우 전자가 솔더로 유입되는 부분에서 빠른 Cu 소모로 인한 보이드 성장이 관찰되었다. 따라서, SAC305무연솔더 접합부에서 ENIG 표면처리가 OSP 표면처리보다 보다 우수한 EM확산방지막 역할을 하여 금속간 화합물 성장을 억제하고 보다 우수한 EM 신뢰성을 보이는 것으로 판단된다.
분자 단위의 폭발물질을 탐지하기 위하여, 고감도 응답성 센서의 개발이 요구되고 있다. 2차원 반도체는 얇은 적층형 구조를 가져 전하 캐리어가 축적될 수 있어, 전하 캐리어의 급격한 신호 변조 특성을 기대할 수 있다. WSe2 반도체 소재의 TNT(Trinitrotoluene) 폭발물질에 대한 탐지 효용성을 연구하기 위해, CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용해 WSe2 박막을 합성하여 FET(Field Effect Transistors)을 제작하였다. 라만 분석과 FT-IR(Fourier-transform infrared) 분광 결과는 TNT 분자의 흡착과 WSe2 결정질의 구조적 전이 분석 정보를 나타내었다. 또한, WSe2 표면의 TNT 분자 흡착 전후의 전기적 특성을 비교하였다. TNT 도포 전, WSe2 FET에 백 게이트 바이어스로 -50 V를 인가함에 따라 0.02 μA의 최대 전류 값이 관측되었고, 0.6%(w/v) TNT 용액을 도포하였을 때 Drain 전류는 p-type 거동을 보이면서 0.41 μA의 최대 전류 값을 기록하였다. 이후 On/Of f Ratio 및 캐리어 이동도, 히스테리시스를 추가적으로 평가하였다. 본 연구에서는 WSe2의 TNT 분자에 대한 고감도와 신속한 응답성을 통해 폭발물질 탐지 센서 소재로서의 가능성을 제시하였다.
전자소자내의 방열특성은 제품의 신뢰성을 결정하는 우주 중요한 인자중의 하나이다. 본 연구에서는 Al과 graphite 분말을 기계적 합금법(mechanical alloying)을 이용하여 Al/graphite 복합체 분말을 합성하고, 합성된 분말을 열처리한 시편에 대한 물리적 특성을 분석하였다. 열처리가 완료된 Al/graphite 샘플에서 열처리 온도 및 시간이 증가할수록 $Al_4C_3$ 이차상의 비율이 증가함을 확인하였다. 또한 Al/graphite 샘플의 열전도도는 순수 Al 분말 샘플에 비해 현저히 낮았으나, 열처리 온도와 시간에 비례하여 증가하는 것을 확인하였다.
본 연구에서는 DRAM 제조 집적공정의 금속배선으로 사용하는 구리의 자기 열처리(self-annealing) 후 박막 특성 변화에 대한 연구를 진행하였다. 구리를 증착하고 상온에서 시간이 경과하면 구리가 성장하여 결정체 크기 변화가 생기는데 이를 자기 열처리라고 부른다. 구리 금속의 증착은 전기 도금법(electroplating)을 사용하였다. 구리 도금액으로 유기 첨가물이 다른 두 가지 시료인 기준 도금액과 평가 도금액 두 용액에 대해 평가 하였다. 자기 열처리 시간이 경과함에 따라 시간에 대해 면 저항 값의 변화가 없는 영역과 이후 급격하게 떨어지는 구간으로 나누어지고 최종적으로 포화면 저항 값을 보인다. 최종적인 면 저항 값은 초기 값 대비 20% 개선 효과를 보인다. 평가 전해액의 자기 열처리 효과가 기준 용액 대비 더 빠른 시간 안에 이루어졌는데 이는 유기 첨가물의 차이 때문이다. 개선의 효과 분석으로 TEM 장비를 이용하여 결정체 변화를 관찰하였고 자기 열처리 공정에 의해 효과적인 결정체 성장이 이루어졌음을 발견했다. 또한 단면 TEM 측정 결과 자기 열처리 된 시료는 전류 방향으로의 결정체 경계면 숫자가 줄어드는 bamboo 구조를 보인다. 열적 열하 특성(thermal excursion characteristics) 측정 결과 고온 열처리 대비 자기 열처리 시료가 hillock 특성이 보이지 않고 이는 박막의 신뢰성 특성을 향상 시킨다. Electron backscattered diffraction (EBSD) 측정 결과 결정체가 $2{\mu}m$까지 성장한 결정체를 관찰하였고 스트레스에 의한 void를 억제하는데 유리한 (100) 면 비중이 증가하는 방향으로 결정체 성장이 이루어짐을 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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