• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2003.05a
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• pp.9-9
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• 2003

최근에 Fe-CU, Fe-Si 등과 같이 자성금속과 비자성금속화합물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 기계적 합금법으로 제작한 Co/sub 5/C/sub 95/ 나노미립상 합금의 구조와 자기적 성질을 조사하였다. 그림(1)은 EXAFS 스펙트럼의 푸리에변환이다. 이로부터 합금화시간에 따라 Co-Co 결합은 점차적으로 작아지며 Co-C 결합이 진행됨에 알수 있다. 그림(2)은 합금화시간에 따른 포화자화값과 보자력의 크기이다. 포화자화는 합금화 시간에 따라 연속적으로 작아졌으며 보자력은 커지다가 작아지는 경향을 보였다. 포화자화가 작아지는 것은 Co-C 결합이 생기면서 Co의 쌍을 이루지 않은 전자가 C의 전자와 쌍을 이루면서 상쇄되기 때문인 것으로 보인다. 보자력의 거동은 Co 미립자가 다자구영역으로부터 단자구영역으로 전환되기 때문인 것으로 해석될수 있다. Co 미립자는 C의 캡슐형에 싸여있으며 60시간과 100시간에서 Co 미립자의 크기는 X-ray 회절선의 넓어짐으로부터 Scherrerr 공식을 이용하여 계산한 결과 18nm 와 15nm 정도가 됨을 알 수 있었다. 연구를 통하여 Co/sub 5/C/sub 95/ 나노미립상합금을 기계적합금법으로 만들 수 있음을 알 수 있었다. 이론적인 계산에 의하면 초상자성 Co 입자의 크기는 8.2nm 정도가 되었으며 본 실험에서 최종 입자의 크기는 15nm까지 작아졌다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.5 no.4
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• pp.367-370
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• 2004

We fabricated SiGe BiCMOS devices, which are important for ultra high speed RF IC chips, by employing $0.35\mu{m}$ CMOS process. To meet with the requirement of low noise level with linear base leakage current at low VBE region, we try to minimize polysilicon/ silicon interface traps by optimizing capping silicon thickness and EDR(emitter drive-in RTA) temperature. We employed $200\AA$and $300\AA$-thick capping silicon, and varied the EDR process condition at temperature of $900-1000^\circ{C}$, and time of 0-30 sec at a given capping silicon thickness. We investigated current gain behavior at each process condition. We suggest that optimum EDR process condition would be $975^\circ{C}$-30 sec with $300\AA$-thick capping silicon for proposed $0.35\mu{m}$-SiGe HBT devices.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.15 no.2
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• pp.335-340
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• 1998

We obtained UV light curves of 44i Bootis, a W UMa type star from the IUE low dispersion spectra. In order to investigate variations of the emission lines from chromospheric activity and transition region, UV line intensity has been measured for CI, CII, ClV, SiIV, HeII lines. Through plotting the line intensity with the orbital phase, we found that emission lines showed maximum at $0^p.2;and;0^p.8$ of the light curves, indicating the chromospheric activity of contact binary, 44i Bootis. We found that the light curves of UV emission lines is strongly modulated by the variation of chromospheric activities of 44i Bootis.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.18 no.4 s.46
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• pp.237-248
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• 2005

Results from in-situ high temperature X-ray diffraction measurements show that $Mg_{2}SiO_{4}{-}$spinel converts back to olivine phase only when heated in vacuum, and that at some high temperature, the olivine phase grows with time at the expense of the spinel phase strongly suggesting a 'nucleation and growth' type transition. In order to obtain the activation energy of spinel-olivine back transformation, kinetics measurements were performed on $Mg_{2}SiO_{4}{-}$spinel in vacuum at high temperatures between 1023 and 1116 K. Activation energy was determined using 'time to a given fraction method'. By employing the Avrami equation, it was found that n values generally increase with increasing temperature in a wide range implying that the nucleation and growth mechanism is probably temperature-dependent. It is likely that in spinel, at a relatively lower transformation temperature, after nucleation sites saturated, the growth of the new phase starts on the surface and gradually moves inwards. At high temperatures, however, after nucleation sites saturated, the growth starts both on the surface as well as at the interior.

• Applied Microscopy
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• v.34 no.2
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• pp.95-102
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• 2004

The TEM samples prepared by ion milling have the advantage that thin area can be obtained from almost any materials. However, it has the disadvantage that the amount of thin area can often be quite limited. For the cross-sectioned samples and grossly heterogeneous materials, the thickness of less than $0.1{\mu}m$ can be achieved by mechanical grinding and polishing (tripod polisher) and then the TEM samples may be ion-milled for final thinning or cleaning. These approaches were described in this paper. Examples of TEM observations were taken from cross-section samples of thin films on silicon and sapphire, from diffusion layers between $Mo_5Si_3\;and\;Mo_2B$, and from rapidly solidified 304 stainless steel powders embedded in electroplated copper.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.344-353
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• 1991

무정형 SiC 박막을 수평형 CVD반응기로부터 SiH$_{4}$ 및 H$_{2}$를 반응기체로 하여 실리콘 웨이퍼위에 증착시켜 제조하였다. 박막 성장 속도는 상압에서 650.deg.C와 850.deg.C범위에서 측정되었다. 반응기체의 유량은 1000sccm으로 고정하였으며 SiH$_{4}$와 CH$_{4}$의 유량을 변화시켰다. 증착 반응속도식으로 표면 반응이 율속단계인 Eley-Rideal 모델과 SiH$_{4}$와 CH$_{4}$의 종도에 m차로 비례하는 두가지 속도식을 가정하였다. 증착시간에 따른 SiC 박막두께의 측정으로부터 얻은 증착 반응 속도로부터 회귀 분석법에 의하여 두가지 반응속도식의 반응속도 상수를 구하였다. 얻어진 반응속도식에 의해서 계산된 값과 실험치를 비교한 결과 0.15차의 반응속도식이 Eley-Rideal반응기구보다 약산 더 잘 맞음을 알 수 있으나 두 모델 다 약간씩 실험결과와 차이가 나고 있다. 이것은 본 실험의 증착 조건의 율속단계가 확산 단계와 표면 반응 단계의 전이영역 즉 본 실험의 증착조건에서 확산속도와 표면 반응속도가 비슷하기 때문으로 생각된다. 또한 Eley-Rideal 반응기구에서 부터 얻어진 SiH$_{4}$ 및 CH$_{4}$의 흡착평형상수 $K_{s}$ 와 $K_{c}$ 값을 비교하면 1000K이하에서는 $K_{s}$ 가 $K_{c}$ 보다 큰 값을 가지는데 이것은 Gibbs 자유에너지 최소화 방법에서 구한 결과와 일치하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.340-341
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• 2013

양자점(Quantum dots; QDs)은 단전자 트랜지스터, 레이저, 발광다이오드, 적외선 검출기와 같은 고효율 광전소자 응용을 위해 활발한 연구가 진행되고 있다. II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 기존의 CdTe/ZnTe 양자점을 성장하기 위해 ZnTe와 격자부정합이 적은 GaAs 기판을 이용한 연구가 주를 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)과 원자층 교대 성장법(Atomic Layer Epitaxy; ALE)을 이용하여 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스(PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 시분해 광루미네센스 측정 결과 CdTe/ZnTe 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 열적 활성화 에너지와 운반자 동역학에 대해 이해 할 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.19 no.4
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• pp.25-33
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• 2018

In this paper, we propose an iterative self-interference (SI) channel estimation method for in-band full-duplex cellular systems that employ orthogonal frequency division multiple access (OFDMA) on downlink (DL) and single-carrier frequency division multiple access (SC-FDMA) on uplink (UL), as in Long Term Evolution (LTE) systems. The proposed method first acquires coarse estimates of SI channels using DL signals and UL pilots, which are known to the base stations, and then refines the estimates by consecutively exploiting averaging in the frequency domain and channel truncation in the time domain. In addition, the method enhances the estimates further by iteratively executing this estimation procedure, and does not require any radio resources dedicated to SI channel estimation. Simulation results demonstrate that by significantly improving the SI channel estimation performance without requiring exact knowledge of the SI channel length, the proposed method achieves UL channel estimation performance and signal-to-interference-plus-noise ratio (SINR) performance very close to those in perfect SI cancellation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.213-213
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• 2013

화합물 반도체 양자점(Quantum dots; QDs)은 높은 효율의 광전자 소자에 적용할 수 있기 때문에 이분야에 대한 연구가 활발히 진행되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 현재 대부분의 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점 구조는 기판과 완충층 (buffer layer) 사이의 작은 격자 부정합(lattice mismatch) 때문에 GaAs 기판을 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)을 이용하여 Si 기판위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스 (PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 시분해 광루미네센스 측정 결과 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 또한 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성에 대해 이해 할 수 있었다.

• Journal of IKEEE
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• v.25 no.1
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• pp.15-24
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• 2021

In this paper, 1700 V EPDT (Extended P+ shielding floating gate Double Trench) MOSFET structure, which has a smaller switching time and loss than CDT (Conventional Double Trench) MOSFET, is proposed. The proposed EPDT MOSFET structure extended the P+ shielding area of the source trench in the CDT MOSFET structure and divided the gate into N+ and floating P- polysilicon gate. By comparing the two structures through Sentaurus TCAD simulation, the on-resistance was almost unchanged, but Crss (Gate-Drain Capacitance) decreased by 32.54 % and 65.5 %, when 0 V and 7 V was applied to the gate respectively. Therefore, the switching time and loss were reduced by 45 %, 32.6 % respectively, which shows that switching performance was greatly improved.