• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.113-113
• /
• 2003

ZnO 박막은 p형 도핑방법이 점차 알려 지면서 최근 차세대 발광소자 재료로서 주목을 받고 있으며, 우수한 전자 이동도, 우수한 홀 이동도, 발광 스펙트럼(PL) 피크의 날카로움, 높은 free exciton binding energy, 방사선 노출에 대한 큰 내구성, 습식 식각이 가능, 동종 기판 사용이 가능함으로써 박막의 품질을 개선할 수 있고 제조공정을 간소화할 수 있는 등의 장점을 지니고 있어 이에 관련된 많은 연구들이 진행되고 있다. 특히 ZnO 박막을 차세대 발광소자로 응용하기 위해서는 고품질의 에피탁시 박막을 성장시켜야 하며 이를 위하여 MBE, MOCVD, PLD법 등 다양한 에피탁시 박막증착이 시도되고 있다. 또한 보다 양질의 ZnO 박막을 성장시키기 위해 적절한 단결정 기판 및 버퍼층의 탐색과 각 기판에 따른 ZnO 박막의 물성평가 작업도 진행되고 있다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제31권1호
• /
• pp.75-81
• /
• 2014

Laser beam machining has been known as efficient for glass micromachining. It is usually used the ultra-short pulsed laser which is time-consuming and uneconomic process. In order to use economic and powerful long pulsed laser, indirect processing called laser-induced backside wet etching (LIBWE) is good alternative method. In this paper, micromachining of glass using Nd:YAG laser with nanosecond pulsed beam has been attempted. In order to improve shape accuracy, combined processing with magnetic stirrer has been widely used. Magnetic stirrer acts to circulate the solution and remove the bubble but it is not suitable for deep hole machining. To get better effect, ultrasonic vibration was applied for improving shape accuracy.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
• /
• pp.1513_1514
• /
• 2009

This paper reports on a fabrication of novel substrate integrated waveguide (SIW)-based shielded stripline applicable to the broadband transverse electromagnetic (TEM) single-mode propagation. We suggested a structure for half-SIW and half-shielded stripline, which combined through the benzocyclobutene (BCB) bonding layer. The electrical interconnection between the sidewall of anisotropic wet-etched silicon and patterned BCB layers is measured subsequent to the metalization on the side wall. The proposed SIW-based shielded stripline has great potential in terms of simple fabrication, integration with planar circuits and monolithic system fabricated on a SIW structure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.370-371
• /
• 2006

본 연구에서는 PZT박막의 강 유전 캐패시터 제작을 위한 연구로, 4-inch크기의 $SiO_2$/Pt/Ti/Si가 증착된 웨이퍼를 습식 식각하여 $SiO_2$ 패턴(0.8um)을 형성하였고, PZT박막의 캐패시터 제작을 위해 패턴 웨이퍼에 $Pb_{1.1}$($Zr_{0.52}Ti_{0.48}$)$O_3$조성을 갖는 PZT를 증착하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리 후 페로브스카이트 구조를 가지는 PZT 박막의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 따른 전기적 특성을 연구하였다. 강유전체 소자 적용을 위한 CMP 공정으로 제조된 PZT 박막 캐패시터의 P-E특성, I-V특성, 피로특성 등의 전기적 특성을 측정하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제5권4호
• /
• pp.408-413
• /
• 1995

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제14권2호
• /
• pp.117-122
• /
• 2001

In this paper, we report on photoelectrochemical etching process of 6H-SiC semiconductor wafer. The etching was performed in two-step process; anodization of SiC surface to form a deep porous layer and thermal oxidation followed by an HF dip. Etch rate of about 615${\AA}$/min was obtained during the anodization using a dilute HF(1.4wt% in H$_2$O) electrolyte with the etching potential of 3.0V. The etching rate was increased with the bias voltage. It was also found out that the adition of appropriate portion of H$_2$O$_2$ into the HF solution improves the etching rate. The etching process resulted in a higherly anisotropic etching characteristics and showed to have a potential for the fabrication of SiC devices with a novel design.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
• /
• pp.77-80
• /
• 2002

In this paper, InP-based HBTs have been optimally designed by numerical simulation and fabricated by the self-aligned process. The structure of HBT was designed in terms of the current gain*f$_{max}$ for the base and f$_{T}$*f$_{max}$ for the collector. The designed structure produced the current gain of about 50 and the cutoff frequency and the maximum oscillation frequency of 87GHz and 2940Hz respectively. In addition, we present a study of the vertical and lateral etching of InP with the mask sides parallel to the principal crystallographic axes, [0101 and (001). This etching characteristics arc used to fabricate self-aligned HBT structures with reduced parasitic effects.s.s.s.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1995년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.352-354
• /
• 1995

The optical and electrical properties of High Speed AlGaAs infrared LED by using metal wet etch process instead of metal lift-off process are investigated. The power out increases when metal contact is patterned by wet etch process. Forward voltage and Reverse voltage for metal wet etch process represent higher value than the metal lift-off process. The aging effect of power out also indicates good results with wet etch process. The wet etch process for metal contact reveals reliable LED device properties.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
• /
• pp.2241-2242
• /
• 2008

Anisotropic TMAH etching is key processing step for the fabrication of pendulum structure. During the etching, convex corners are attacked, and a proper compensating structure design is required when fabricating pendulum structures with sharp convex corner. In this paper, we present four compensation structures for convex corner compensation with 30% wt TMAH-water solution at $89\pm1^{\circ}C$ temperature, and observe the etched convex corner by optical microscope. we compare the result of calculations and experiments about four convex corner compensation patterns.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1612-1614
• /
• 2002

본 논문에서는 엑시머 레이저 조사에 의한 이온 농도의 분포 변화를 알아보기 위해 붕소 이온이 선택적으로 주입된 비정질 실리콘 박막 위에 XeCl (${\lambda}$=308nm) 엑시머 레이저를 조사하여 붕소이온의 수평 확산 현상을 관찰하였다. 도핑 농도의 분포를 알아보기 위해 불산/질산 용액에 의한 고농도 도핑 영역의 습식 식각을 이용하여 약 $10^{18}/cm^3$ 이하의 붕소이온을 가지는 실리콘 박막의 형태를 전자주사 현미경을 이용해서 관찰하였다. 실험 결과, $200mJ/cm^2$의 레이저 에너지가 조사될 경우, 약 100nm의 수평 확산이 일어났음을 확인 할 수 있었다.