대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

비정질 실리콘 박막에서 엑시머 레이저에 의한 붕소이온의 수평확산

Lateral Diffusion of Boron Ions Implanted in The Amorphous Si Film On Silicon Oxide Film During Excimer Laser Irradiation

  • 박수정 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 이민철 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 강수혁 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부)
  • Park, Soo-Jeong (School of Electrical Engineering (#50), Seoul National University) ;
  • Lee, Min-Cheol (School of Electrical Engineering (#50), Seoul National University) ;
  • Kang, Su-Hyuk (School of Electrical Engineering (#50), Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering (#50), Seoul National University)
  • 발행 : 2002.07.10
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초록

본 논문에서는 엑시머 레이저 조사에 의한 이온 농도의 분포 변화를 알아보기 위해 붕소 이온이 선택적으로 주입된 비정질 실리콘 박막 위에 XeCl (${\lambda}$=308nm) 엑시머 레이저를 조사하여 붕소이온의 수평 확산 현상을 관찰하였다. 도핑 농도의 분포를 알아보기 위해 불산/질산 용액에 의한 고농도 도핑 영역의 습식 식각을 이용하여 약 $10^{18}/cm^3$ 이하의 붕소이온을 가지는 실리콘 박막의 형태를 전자주사 현미경을 이용해서 관찰하였다. 실험 결과, $200mJ/cm^2$의 레이저 에너지가 조사될 경우, 약 100nm의 수평 확산이 일어났음을 확인 할 수 있었다.

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