• 제목/요약/키워드: 수평반응로

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영상의학과에서 사용되는 광자극 형광선량계와 전자식 개인선량계의 방향 의존성 비교 (The comparison of angular dependence for optical stimulated luminescence dosimeter(OSLD) and electronic personal dosimeter(EPD) used in Diagnostic Radiology)

  • 권순무;박정규;김부순
    • 디지털콘텐츠학회 논문지
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    • 제16권3호
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    • pp.463-470
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    • 2015
  • 최근 개인선량계로 사용이 증가하고 있는 수동형 선량계인 OSLD와 능동형 선량계인 EPD의 상대 반응도(relative response), 측정 불확도(uncertainty of measurement)를 계산하여 방향의존성(angular dependence)을 비교, 분석하였다. OSLD는 수평, 수직방향의 $0^{\circ}{\sim}{\pm}90^{\circ}$ 범위에서 평균 상대 반응도는 0.97, 0.95의 작은 변화를 보였고 방향의존성에 대한 불확도는 0.65, 0.62로 전체 불확도에 미치는 영향은 미미한 것으로 판단되었다. EPD는 $0^{\circ}{\sim}{\pm}60^{\circ}$ 범위에서 수평, 수직방향 평균 상대 반응도는 0.94, 0.97로 확인되어 IEC 61526 규정을 만족하였다. 방향의존성에 대한 불확도는 수평, 수직방향에서 0.44, 0.40로 전체 불확도에 미치는 영향은 미미하였다. 그러나 수평방향에서 $+90^{\circ}$, $-90^{\circ}$ 방향의 상대 반응도는 0.60, 0.37이고 수직방향에서 $+90^{\circ}$ 방향의 반응도는 0.06으로 반응도의 큰 변화를 관찰할 수 있었다. OSLD의 방향 의존성은 $0^{\circ}{\sim}{\pm}90^{\circ}$ 범위까지 EPD에 비해 우수하였으며 EPD의 경우 구조적 특징으로 반응도가 급변하는 특정방향이 존재하였다. 따라서 수동형선량계와 보조선량계의 병행사용이 개인피폭선량측정의 정확도를 기할 수 있을 것으로 판단된다.

단일 온도대역 수평 Bridgman(1-T HB) 법에 의한 GaAs 단결정 성장시 As 원소의 초과 유입량 계산 (Calculation of the amount of excess As charge for the GaAs single crystal growting with the horizontal Bridgman method of single temperature zone(1-T HB))

  • 오명환;주승기
    • 한국결정학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.64-72
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    • 1996
  • 증기압 제어를 위한 저온부를 없애고, 고온부의 단일 온도영역만으로 GaAs 단결정을 성장 시키는 단일 온도대역 수평 Bridgman(1-T HB: single temperature zone horizontal Bridgman)방식에서는 증기압에 상응할만한 반응관 내부의 압력을 As 초과 유입량의 기화에 의하여 유지해야 하므로 그 양을 정밀하게 결정해 주어야 한다. 이것을 위하여, 우선적으로 Ga-As 계에서의 열화학적 특성을 규명하였고, 이에 근거하여 단일 온도대역 수평 Bridgman 법으로 결정성장할 때의 As 초과 유입량을 GaAs 장입량, 반응관 칫수, 온도구배 등에 의한 일반해로 유도하였다. 따라서 단일 온도대역 수평 Bridgman 법에 의한 GaAs 단결정 성장의 이론적 근거를 마련하였다.

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수평형 열화학기상증착 반응기를 이용한 고수율의 단일벽 탄소나노튜브 합성 연구

  • 조성일;정구환
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.47-47
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    • 2018
  • 단일벽 탄소나노튜브 (Single-walled carbon nanotubes, SWNTs)는 우수한 물리적 화학적 특성을 갖고 있어 나노전자소자, 투명전도막, 에너지소자, 센서 등 다양한 분야로의 응용이 기대되고 있다. 열화학기상증착(Thermal chemical vapor deposition, TCVD)법은 SWNTs의 합성 공정이 간단하고 공정변수의 제어가 용이하다는 장점이 있어 SWNT 합성 연구에 가장 널리 사용되어 왔다. 일반적으로 금속 촉매의 박막이 증착된 합성 기판은 온도가 가장 높고 비교적 균일성이 보장되는 TCVD 반응기의 중심부에 위치시키고 공정변수를 변화해가며 연구를 진행해 왔다. 본 실험실에서는 수평형 반응기 전역에 합성 기판을 설치하여 SWNTs를 합성한 결과, 반응기의 중심보다 뒤의 영역에서 SWNTs의 합성 수율이 상당히 증가하는 것을 초기실험을 통해 확인하였다. 본 연구에서는 SWNTs 합성 시 가스 유량과 합성 온도를 변화시켰을 때 기판 위치에 따른 SWNTs의 수율 및 물성변화를 구체적으로 조사하였다. 합성가스와 촉매로는 메탄가스와 철 박막을 사용하였으며, 합성 수율의 변화는 고분해능 주사전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 그리고 합성된 SWNTs의 형태 및 결정성은 라만분광법과 원자간힘현미경을 이용하여 평가하였다. 결과적으로, 진행하였던 모든 합성 조건에서 반응기 중심보다 뒤의 영역에서 더 고수율의 SWNTs가 합성되었으며, 최적 합성 조건의 SWNTs 면밀도는 99% 이상이었다. 본 연구의 결과는 CVD 공정을 이용하는 다양한 저차원 나노 소재의 합성에도 적용될 수 있을 것으로 사료되며, 추후 이에 대한 연구가 필요하다.

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전자기교반에 의한 연속주조빌렛트제조 (Fabrication of a billet in the continuous casting process by means of a electromagnetic stirring)

  • 김기배
    • 한국소성가공학회:학술대회논문집
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    • 한국소성가공학회 1999년도 압출 및 인발 심포지엄
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    • pp.66-74
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    • 1999
  • 일반적으로 압출용 빌렛트제조에는 빌렛트상하의 품질변화로 수평연속주조법이 사용되지 않고 있지만 전자기교반법을 이용할 경우 이러한 단점이 없어진다. 따라서 전자기교반장치를 설치한 수평연속주조장치를 이용하여 연주빌렛트를 제조하였다. 최대자속밀도가 1000Gauss 인 전자기교반장치를 설계 제작하였으며, 간접냉각방식의 흑연몰드에서 알루미늄합금을 사용하여 건전한 연주빌렛트를 제조할 수 있는 여러 공정조건을 조사 검토하여 직경 70mm의 기포가 없고 표면이 미려한 등축정을 가진 연주빌렛트를 제조하였다. 인출속도에 따른 수평 연속주조 빌렛트의 표면, 용탕유동라인 및 조직을 검토한 결과 평균인출속도 20mm/min에서 40mm/min까지 아주 미려한 표면특성을 가졌으며, 인출속도가 빠르면 유동라인이 표면에서 중심 쪽으로 완만한 기울기를 가지게 되어 표면응고층이 얇아져 빌렛트가 고액계면에서 끊어지게 되며, 조직미세화는 인출속도가 클수록 미세화되었으나, 결정구상화정도는 인출속도가 빠를수록 악화되었다.

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수평 흐름형 미생물 연료전지에서 유체의 흐름 형태에 따른 전력수율 평가 (The Effect of Fluid Flow on Power Density in a Horizontal-flow Microbial Fuel Cell)

  • 이채영;박수희;송영채;유규선;정재우;한선기
    • 유기물자원화
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    • 제21권1호
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    • pp.39-44
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    • 2013
  • 본 연구에서는 수평 흐름 미생물 연료전지에서 유체 흐름이 전력 수율에 미치는 영향을 평가하고자 하였다. 본 연구에서는 산화전극 반응조의 바닥에 아크릴 막대를 설치하여 각각 4가지 유체의 흐름을 유도하였다. 각 반응조 형상에 따라 최대전력수율을 평가하였으며 추적자 실험을 통해 유체 흐름을 해석하였다. 분극 곡선 실험 결과 반응조별 최대 전력수율은 case 1, 2, 3 및 4에서 각각 95.7, 129.1, 190.9 및 $114.2mW/m^2$로 나타났다. 좌우 도류벽을 설치하여 S 형태의 유체 흐름을 유도한 case 3 반응조에서 가장 높은 전력이 생산되는 것으로 나타났다. 추적자 실험의 Morrill 분산지수 값에 따르면 case 4 반응조의 경우 반응조 전체에 기질이 골고루 분포하여 미생물 활성을 높일 수 있을 것으로 나타났다. 그러나 월류 현상에 의해 안정적인 운영을 할 수 없을 것으로 판단된다. 따라서 case 3 반응조의 경우 안정적인 운영 및 높은 전력수율을 얻을 수 있으므로 미생물 연료전지로 이용하기에 효과적일 것으로 나타났다.

사위별 가입렌즈에 따른 자극 AC/A비와 반응 AC/A비의 비교 (Comparison between Stimulus and Response AC/A Ratios for Each Phoria with Additional Spherical Power)

  • 이세희;유동식;손정식;곽호원
    • 한국안광학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.345-351
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    • 2014
  • 목적: 각 사위 그룹에서 가입렌즈에 따른 조절반응량과 근거리 수평사위도의 변화를 측정하여 자극 AC/A비와 반응 AC/A비를 조사하였다. 이에 자극 AC/A비와 반응 AC/A비를 비교 분석하여 임상에서의 양안시 검사 및 처방시에 유용한 자료로 제시하고자 한다. 방법: 평균 만 $20.89{\pm}1.92$세, 81명을 대상으로 주시거리 40 cm에서 개방형 자동굴절계(Nvision-K 5001, Shin nippon)와 수정된 토링톤 시표(MIM card; Muscle Imbalance Measure card, Bernell)를 이용하여 양안시 상태에서 조절반응량과 근거리 수평사위도를 측정하였다. 그리고 측정된 값을 토대로 자극 AC/A비와 반응 AC/A비를 경사 AC/A법으로 계산하였다. 결과: 주시거리 40 cm에서 조절반응량은 외사위 그룹이 $1.92{\pm}0.26$ D로 가장 크고, 정위 그룹 $1.72{\pm}0.26$ D, 내사위 그룹 $1.62{\pm}0.42$ D 순으로 작아졌고, 근거리 수평사위도의 변화폭은 내사위 그룹이 $23.24{\Delta}$로 가장 크고, 정위 그룹 $19.76{\Delta}$, 외사위 그룹 $15.14{\Delta}$ 순으로 작게 나타났다. 가입렌즈에 따른 자극 AC/A비와 반응 AC/A비의 차이는 외사위 그룹에서는 -2.00 D 렌즈를 가입하였을 때, $1.72{\Delta}/D$로 가장 컸고 내사위 그룹에서는 +1.00 D 렌즈를 가입하였을 때 $3.43{\Delta}/D$로 가장 크게 나타났다. 외사위 그룹에서 -2.00 D, -1.00 D 렌즈를 가입하였을 때, 내사위 그룹에서는 +3.00 D, +2.00 D, +1.00 D, -1.00 D 렌즈를 가입하였을 때 각각 통계적으로 유의한 차이를 보였다. 결론: 자극 AC/A비와 반응 AC/A비를 비교하였을 때, 외사위 그룹에서는 (-) 렌즈를 가입하였을 때의 차이가 더 크고, 내사위 그룹에서는 (+) 렌즈를 가입하였을 때의 차이가 더 크게 나타났다. 또한 내사위 그룹의 자극 AC/A비와 반응 AC/A비의 차이가 외사위 그룹의 차이보다 더 크게 나타났다.

문화성향과 분석적-종합적 사고유형의 조합에 따른 전역/국소처리에서의 차이 (Differences in Global/Local Processing of Combined Groups of Cultural Dispositions and Analytic-Holistic Thinking Styles)

  • 주미정;이재식
    • 인지과학
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    • 제23권2호
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    • pp.269-293
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    • 2012
  • 본 연구의 목적은 문화성향과 인지양식의 조합 조건에 따라 전역/국소처리에서 어떠한 차이가 관찰되는지 검토하는 것이다. 이를 위해 Singelis 등[1]의 문화성향 질문지(INDCOL)와 Choi 등[2]의 인지양식 질문지(AHS)에 기초하여 실험참가자들의 네 유형의 문화성향(개인주의, 집단주의, 수평 성향 및 수직 성향) 점수와 인지양식 유형(분석적 또는 종합적 사고)에 따라 집단을 분류하고, 복합자극 유형(화살표로 구성된 복합도형 또는 알파벳 낱자로 구성된 복합문자)에 대한 전역/국소처리에서의 반응시간과 오반응율에서의 차이를 집단에 따라 비교하였다. 본 연구의 결과를 요약하면 다음과 같다. (1) 전반적으로 복합문자보다는 복합도형의 경우, 그리고 국소처리 조건보다는 전역처리 조건에서의 반응시간이 더 빨랐다. (2) 개인주의 성향과 수평 성향이 인지양식 유형과 각각 결합된 경우 전역/국소처리에서 집단간 반응시간 차이는 발견되지 않았으나, (3) 집단주의 성향과 수직 성향이 인지양식과 각각 결합된 집단의 경우에는 전역/국소처리에 대한 문화성향과 인지양식의 유의한 상호작용 효과가 모두 관찰되었다. 이러한 결과는 개인주의 성향 또는 수평 성향보다는 집단주의 성향 또는 수직 성향이 종합적 사고 유형과 결합될 때 더 큰 전역선행성 효과를 가져 온다는 것을 시사한다.

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실리콘 카바이드 박막 제조를 위한 증착 반응연구 (A study on chemical vapor deposition process for the proparation of thin SiC films)

  • 고준호;우성일
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제4권4호
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    • pp.344-353
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    • 1991
  • 무정형 SiC 박막을 수평형 CVD반응기로부터 SiH$_{4}$ 및 H$_{2}$를 반응기체로 하여 실리콘 웨이퍼위에 증착시켜 제조하였다. 박막 성장 속도는 상압에서 650.deg.C와 850.deg.C범위에서 측정되었다. 반응기체의 유량은 1000sccm으로 고정하였으며 SiH$_{4}$와 CH$_{4}$의 유량을 변화시켰다. 증착 반응속도식으로 표면 반응이 율속단계인 Eley-Rideal 모델과 SiH$_{4}$와 CH$_{4}$의 종도에 m차로 비례하는 두가지 속도식을 가정하였다. 증착시간에 따른 SiC 박막두께의 측정으로부터 얻은 증착 반응 속도로부터 회귀 분석법에 의하여 두가지 반응속도식의 반응속도 상수를 구하였다. 얻어진 반응속도식에 의해서 계산된 값과 실험치를 비교한 결과 0.15차의 반응속도식이 Eley-Rideal반응기구보다 약산 더 잘 맞음을 알 수 있으나 두 모델 다 약간씩 실험결과와 차이가 나고 있다. 이것은 본 실험의 증착 조건의 율속단계가 확산 단계와 표면 반응 단계의 전이영역 즉 본 실험의 증착조건에서 확산속도와 표면 반응속도가 비슷하기 때문으로 생각된다. 또한 Eley-Rideal 반응기구에서 부터 얻어진 SiH$_{4}$ 및 CH$_{4}$의 흡착평형상수 $K_{s}$$K_{c}$ 값을 비교하면 1000K이하에서는 $K_{s}$$K_{c}$ 보다 큰 값을 가지는데 이것은 Gibbs 자유에너지 최소화 방법에서 구한 결과와 일치하였다.

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수직 횡등방성 전기적 이방성을 고려한 자기지전류탐사 모델링 (Magnetotelluric modeling considering vertical transversely isotropic electrical anisotropy)

  • 김빛나래;남명진
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제18권4호
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    • pp.232-240
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    • 2015
  • 자연 전자기장을 이용하여 지하 매질의 전기적 구조를 규명하는 자기지전류(magnetotelluric; MT) 탐사의 정확한 해석을 위해서는 특정 전기적 구조에 대한 정확한 수치적 반응을 구할 수 있는 3차원 모델링이 필수적이다. 특히, 매질내에 전기적 이방성이 있을 때는 MT 반응이 달라지므로 전기적 이방성의 영향을 고려한 MT 탐사 모델링이 필요하다. 특히, MT 탐사기법을 이용한 지열저류층의 모니터링과 같이 MT 반응의 작은 변화를 분석해야 하는 시간경과 자료의 해석의 경우, 대상 지역에 이방성이 존재할 경우 이를 고려할 수 있는 정확한 모델링이 필수적이다. 이 연구에서는 기존의 등방성만을 고려하던 유한차분법 MT 모델링 알고리듬을 수직 혹은 수평 횡등방성 이방성을 고려할 수 있도록 개선하였다. 개발한 알고리듬을 박리층 모델을 이용하여 검증한 후, 수직횡등방성 이방성이 MT 반응에 미치는 영향에 대해서 분석하였다. 향후에는 수평 횡등방성 이방성이 MT 반응에 미치는 영향에 대해서도 분석하고자 하며, 알고리듬을 더욱 발전시켜 경사 횡등방성 이방성까지 고려할 수 있도록 발전시키고자 한다.