흙과 Geogrid사이의 응력 전달은 마찰저항 및 수동저항으로 나눌 수 있는데 Geogrid의 횡방향 요소에 작용하는 수동저항은 그 메카니즘이 복잡하여 아직까지 거동이 명확하게 파악되지 못하고 있다. 이러한 수동저항의 메카니즘을 이해하기 위하여 돌기가 있는 보강재에 대한 직접 전단시험을 유한 요소 방법으로 해석하였다. 유한 요소해석으로 돌기의 간격에 따라 수동저항의 크기, 파괴형태, 응력 및 변형 분포 등을 분석하였으며 일 결과들을 실제 계측치와 비교 분석하여 Geogrid의 횡방향 요소에 작용하는 보강재의 수동저항의 거동을 파악하도록 하였다. 또한 흙의 종류에 따라 수동저항의 메카니즘을 파악하기 위해 점성토에 작용하는 수동저항의 거동을 예측하였다.
본 연구에서는 띠형 강보강재에 '${\sqcap}$' 형태의 수동저항부재를 설치하는 보강재에 대한 인발시험 결과를 바탕으로 수동저항부재의 간격 및 설치위치에 따른 간섭효과를 분석하였다. 수동저항부재에서 발현되는 최대수동저항력은 수동저항부재의 설치 위치에 따라 차이가 발생하였으며, 전면벽체에 근접하여 설치된 수동저항부재에서 더 큰 수동저항력이 발현되는 것을 확인하였다. 최대인발력을 사용하여 간섭계수(DI)를 평가한 결과, 지지부재 직경과 간격의 비(S/B)가 동일한 경우에는 수동저항부재의 설치 위치에 따른 인발력 차이를 반영하지 못하는 것으로 평가되었다. 그러나 최대수동저항력을 사용하여 간섭계수(F)를 산정할 경우에는 수동저항부재의 설치 간격뿐만 아니라, 수동저항부재의 설치 위치에 따른 최대수동저항력 차이를 반영하는 것으로 분석되었다.
본 연구에서는 수동저항부를 형성시킨 띠형 섬유보강재의 인발저항 특성을 평가하기 위해 일련의 실내인발시험을 수행하였다. 이 띠형 섬유보강재는 중간에 길이방향으로 접힘홈이 형성되어 있어 보강재를 반폭으로 접어 콘크리트 블록에 직접 체결할 수 있고 후단부에는 보강재를 '${\cap}$' 형태로 세워서 수동저항부를 형성시킬 수 있다. 이 띠형 섬유보강재는 후단부에 수동저항부가 형성되어 있기 때문에, 흙과 보강재 사이의 표면마찰저항과 수동저항부에서의 지지저항력이 함께 발현되는 인발저항 특성을 가진다. 따라서, 인발저항 평가시 마찰저항과 지지저항을 각각 산정하여 설계에 반영해야 한다. 일련의 인발시험 결과 수동저항부를 형성시키면 인발저항강도가 10~65% 정도 증가하고 수직응력이 클수록 증가량이 점차 커지는 경향을 보이는 것으로 나타났으며, 이를 근거로 수동저항부 형성에 의해 발현되는 지지저항력 산정 방법을 제안하였다.
FET 소신호 모델의 직접추출법은 기생소자값을 구하기 위해 주로 순방향 소동(cold) FET 조건을 이용하고 있다. 본 논문은 수동 FET 조건에서 해석적 채널모델을 유도하고, 정상수동 소자 조건에서도 순방향 수동 FET 조건과 동일 한 정보를 얻을 수 이Tdmadmff 보인다. 이와 함께 수동 FET 조건에 의해 제한되는 능동 FET 소신호 모델의 오차를 추적하여 수동 FET 방법을 이용한 직접 추출 모델의 오차 한계를 살피고, 오차 최소점의 유무를 통해 수동 FET 기생저항값의 유효성을 검토한다.
본 논문은 LCL 필터를 사용하는 계통연계형 인버터의 전류제어 안정도 향상을 위해 수동댐핑 기법을 적용하였으며, 안정도 해석기법을 기반으로 댐핑저항을 산정하였다. 전류제어기는 동기좌표계 PI 제어를 적용하였고, 인버터 $1.5T_s$ 시지연 특성을 고려한 전류제어 모델링을 수행하였다. 개루프 함수의 이득특성을 통해 필터공진을 0dB로 저감하는 최소 댐핑저항을 도출하였으며, 보드선도와 근궤적법을 기반으로 전류제어 안정도를 보장할 수 있는 적용 가능한 댐핑저항을 산정하였다. 댐핑저항을 적용한 7kW 인버터 시뮬레이션 및 실험을 통해 안정도 향상 및 댐핑저항 산정의 타당성을 검증하였다.
최근 전자산업의 발달에 따른 전자제품의 소형화 및 고기능화 요구에 대응하기 위하여 저항(resistor), 커패시터(capacitor), IC (integrated circuit) 등의 수동소자를 개별 칩(discrete chip) 형태로 형성하여 기판의 표면에 실장하는 기술이 일반화되고 있다. 그러나, 수동 소자의 내장 기술은 기판의 패턴 밀도의 급격한 향상과 더불어 수동소자의 내장 공간도 협소해지는 문제점이 있다. 상기의 문제점을 해결하기 위해 개별 칩 형태의 내장형 저항체를 박막 형태의 내장 저항체를 구현하는 기술의 개발이 최근 주목을 받고 있다. 박막 저항체는 기존의 권선저항 및 후막저항과 비교하여 정밀한 온도저항계수를 가지며 이동통신에 적용시 고주파 영역(GHz)에서의 안정성과 주파수 특성이 좋다는 장점들을 가지고 있다. 박막 저항 물질로는 높은 경도와 우수한 열적 안정성을 가지고 있는 TaN (tantalum nitride)이 주로 사용되고 있다. 일반적으로, TaN 박막은 스퍼터링을 사용하며 제조되며 TaN 박막의 성질은 탄탈륨과 질소의 화학정량비, 박막의 결함 정도, 또는 공정압력 및 증착 온도, 플라즈마 파워 등과 같은 공정조건 등의 변화에 민감하게 변화하므로, TaN 박막의 다양한 연구가 더 필요한 실정이다. 본 연구에서는 반응성 마크네트론 스퍼터링을 사용하여 TaN 박막을 Si 기판 위에 증착하였고 TaN 박막의 원하는 특성을 제어할 수 있도록 질소 분압과 total gas volume을 조절하여 공정을 최적화하는 연구를 진행하였다. 또한 tensile pull-off 방법을 이용하여 TaN 박막의 부착강도를 평가하였고, 온도 사이클 및 고온고습 환경에 노출된 TaN 박막들의 열화 특성들에 대하여 연구하였다.
본 연구는 소수성 막 재질에 대한 막오염도를 평가하고자 수동흡착의 개념을 도입하여 정상운전을 위한 막 모듈 이외에 수동흡착 시험용 막 모듈을 설치하여 유출을 시키지 않은 상태에서 막 표면에 부착되는 미생물에 의한 막오염 정도를 분석함으로써 소수성 막오염 잠재성을 평가하고자 하였으며, 이때 운전조건으로 유기물 유입부하를 변화시켜 평가하였다. 이와 더불어 오염된 멤브레인을 세 가지 세정방법(두가지 물리적 세정과 화학적 세정)을 통해 막 세정 전후의 막오염 회복률을 평가하였다. 막오염 평가인자로는 반응조 내 MLSS 농도와 EPS 농도를 조사하였으며, 여과저항 값을 산정하여 막오염 전과 후, 세정 3단계 전과 후를 비교 평가하였다. 실험 결과로서, COD 농도가 750 mg/L인 가장 높은 부하량 조건에서 반응조 내 EPS 농도와 수동흡착 시험용 멤브레인의 여과저항 값이 가장 높게 나타났다. 또한 여과저항 값이 초기 운전 시작 후 차이를 보였지만 60일 이후의 최종 여과저항은 거의 일정하게 나타났는데, 이는 막 표면에 부착된 미생물량이 임계점에 이르러 수동흡착만으로는 더 이상의 막오염은 진행되지 않은 것으로 판단된다. PAds 상태에서 유기물 유입부하에 따른 오염된 막의 세정 전후의 여과저항 측정 결과에서는 3단계 세정 후 평균 회복률이 각각 Run 1이 78%, Run 2가 72%, Run 2가 69%로 유기물 부하가 높을수록 회복률이 떨어지는 것으로 나타났으며, 반면에 물리적 세정에 의한 복원률이 40일 경부터 Run 2와 Run 3의 물리적 세정에 의한 회복률이 낮아지는 것으로 보아 높은 유기물 부하로 인한 막표면의 케이크 형성으로 막오염이 심화된 것으로 판단된다.
아주작은 Reynolds수 조건하의 나선형 미세입자가 갖는 저항 및 이동계수를 계산하 는 일반적인 방법을 논하였다. 이러한 문제의 해를 구하기 위해서는 입자의 중심선을 따라 분포되어 있는 stokeslet으로 수식화된 유동장을 필요로 한다. 입자에 작용하는 수동력학적 힘과 토오크는 이러한 stokeslet의 적분에 의하여 구할 수 있는데 유동특성에 따라 2계 이상 의 텐서에 비례한다. Johnson에 의하여 유도된 적분방정식은 LU-분해법을 사용하여 해를 구하였다. 해석 결과의 정확성은 침상체를 모델로 하여 Brenner의 엄밀해와 비교하였으며, 일치된 결과를 얻었다.
본 연구에서는 강재스트립 보강재에 횡방향으로 연속되는 지지부재가 결속된 새로운 형태의 보강재에 대하여 대형인발시험을 수행하여 인발저항력을 평가하였다. 시험결과, 지지저항은 수직응력에 대한 영향을 받는 것으로 확인되었으며, 이는 인발저항 평가시 마찰저항과 지지저항을 각각 산정하여 설계에 반영해야 함을 의미한다. 따라서 본 실험대상 보강재의 지지부재에 의한 지지저항강도를 산정한 결과, 수직응력에 따른 수동지지저항에 의한 의존도가 매우 높은 것으로 확인되었다.
부저항소자인 턴넬다이오드와 수동선형부하로 부저항발진기를 구성하고 수동부하를 가변하여 주파수최대화에 관해서 연구했다. 이론적인 해석과 복소평면상의 임피이던스 궤적을 도시하고 병렬-RL부하와 저항부하의 두 경우의 최대발진주파수를 측정하여 두 경우의 실험결과를 보면 병렬-RL부하의 폭이 훨씬 높은 주파수를 발진하는 것을 알았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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