• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.238.1-238.1
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• 2015

2차원 탄소나노재료인 그래핀은 본연의 우수한 물성으로 인하여 전자소자, 에너지 저장매체, 유연성 전도막 등 다양한 분야로의 응용가능성이 제기되었다. 그러나 실제적인 응용을 위해서는 그래핀의 구조적인 결함을 최소화하며, 특성을 자유로이 제어하거나 향상시키는 공정의 개발이 필요하다. 일반적으로 화학적 도핑은 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 효율적인 방법으로 알려져 있다. 화학적 도핑의 방법으로는 그래핀을 특정 가스 분위기에서 고온 열처리하거나 활성종들이 존재하는 플라즈마에 노출시킴으로써, 그래핀을 구성하는 탄소원자를 이종원자로 치환하거나 표면에 흡착시켜 기능화 된 그래핀을 얻는 방법 등이 제시되었다. 특히 플라즈마를 이용한 도핑방법은 저온에서 단시간의 처리로 효율적인 도핑이 가능하고, 인가전력, 처리시간 등의 플라즈마 변수를 변경하여 도핑정도를 수월하게 제어할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 그러나 플라즈마 내에 존재하는 극성을 띄는 다양한 활성종들로 인하여 그래핀에 구조적인 결함을 형성하여 오히려 특성이 저하될 수 있어 이를 고려한 플라즈마 공정조건의 설정이 필수적이다. 따라서 본 연구에서는 플라즈마에 노출된 그래핀의 Raman 특성을 고찰함으로써 화학적 도핑과 구조적인 결함의 경계를 확립하고 구조결함의 형성을 최소화한 효율적인 도핑조건을 도출하였다. 고품질 그래핀은 물리적 박리법을 이용하여 300 nm 두께의 실리콘 산화막이 존재하는 실리콘 웨이퍼 위에 제작하였으며, 평행 평판형 직류 플라즈마 장치를 이용하여 전극의 위치, 인가전력, 처리시간을 변수로 암모니아(NH3) 플라즈마를 방전하여 그래핀의 Raman 특성변화를 관찰하였다. 그래핀의 구조적 결함 및 도핑은 라만 스펙트럼의 D, G, D', 2D밴드의 강도비와 G밴드의 위치와 반치폭(Full width at half maximum; FWHM)의 변화를 통해 확인하였다. 그 결과, 인가전력과 처리시간이 증가함에 따라 그래핀의 도핑레벨이 증가되고, 이후에는 도핑효과가 없어지고 결함의 정도가 상승하는 천이구역이 존재하며, 이를 넘어서는 너무 높은 인가적력의 처리는 그래핀에 결함을 형성하여 구조적인 붕괴를 야기함을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.2
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• pp.94-98
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• 2007

The fault current limiting characteristics of a flux-lock type superconducting fault current limiter (SFCL) considering hysteresis characteristics of a flux-lock reactor, which is an essential component of the flux-lock type SFCL, were investigated. In the normal state, the hysteresis loss of iron core in the flux-lock type SFCL does not happen due to its winding's structure. From the equivalent circuit for the flux-lock type SFCL and the fault current limiting experiments, the hysteresis curves could be drawn. Through the hysteresis curves together with the fault current level due to the inductance ratio between the primary and the secondary windings, the increase of the number of turns in the secondary winding of the flux-lock type SFCL made the fault current level increase. On the other hand, the saturation of iron core was prevented.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.148-148
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• 2009

반도체 소자의 크기가 45 nm 이하로 감소함에 따라 최소 선폭에 따른 다층 배선 연결 구조가 요구되고 있다. 그러나 고집적화 구조는 기생 저항과 정전 용량에 의한 신호지연증가 및 혼선 전력 소모의 문제가 발생한다. 이런 문제를 해결하기 위한 방법 중의 하나는 저저항 배선연결물질과 층간 절연막으로 저유전 상수를 갖는 물질을 사용하는 것이다. 본 연구는 DEMS $(H-Si(CH_3)(OC_2H_5)_2)$ 전구체를 이용하여 저유전막을 증착할 때 사용되는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 장비를 국내 기술로 개발하고 개발된 장비로 저유전박막을 평가한 것에 관한 것이다. 본 연구에서 평가 및 박막 종확 시 사용한 장비는 MAHA hp 1 type ((주)아토)로서 양산용 PECVD 장비이다. 변수는 C-He의 유랑, 300 mm Si 웨이퍼와 shower head 사이의 거리, 증착 압력, 구동 전력이고, 증착된 저유전막의 두께, 두께의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성를 평가하였다. 구동 전력이 500W 일 때, C-He의 유량과 진공의 크기를 감소시키면 박막의 두께가 감소하고 박막의 균일성은 증가하였다. C-He의 유량을 증가시키고 shower head 와 Si 웨이퍼 사이의 거리 및 구동 압력을 감소시키면 굴절률과 굴절률의 균일성이 모두 저하되었다. 구동 전력이 700W 일 때, 박막 두께의 경우, 구동 전력이 500W 일 때의 결과와 유사하지만, 박막의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성은 모든 조건에서 저하되었다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.23 no.2
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• pp.87-94
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• 2023

As the latest weapon systems and electronic equipments are increasingly demanding stealth technology to improve the survivability of allies, it is necessary to implement low-observability technology that reduces the radar cross section(RCS). In order to implement this stealth technology, a method for low RCS characteristics by applying a shape design or a electromagnetic wave absorber is widely used. However, active phased array antennas have structural limitations in shape design, also when a absorber is applied to it, the performance of the antenna is degraded. Therefore, in this paper, in order to realize the low RCS characteristics of the active phased array antenna operating in the X-band, individual radiating elements suitable for applying the radio wave absorber were selected, and a 13x13 array antenna was designed and manufactured. Next, by comparing the measured results of the relative RCS and electrical performance for the manufactured antenna according to the presence and type of the absorber, it is shown that the electrical performance is maintained at an equal or higher level while obtaining the low RCS characteristics. Thereby the method proposed in this paper for implementing the low RCS characteristics was validated. Finally, it was confirmed that when the wave absorber is applied to the array antenna, the limitation of its performance deterioration can be overcome.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.3
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• pp.479-485
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• 2006

The double gate(DG) MOSFET is a promising candidate to further extend the CMOS scaling and provide better control of short channel effect(SCE). DGMOSFETs, having ultra thin undoped Si channel for SCEs control, ale being validated for sub-20nm scaling. A novel analytical transport model for the subthreshold mode of DGMOSFETs is proposed in this paper. The model enables analysis of short channel effect such as the subthreshold swing(SS), the threshold voltage roil-off$({\Delta}V_{th})$ and the drain induced barrier lowering(DIBL). The proposed model includes the effects of thermionic emission and quantum tunneling of carriers through the source-drain barrier. An approximative solution of the 2D Poisson equation is used for the distribution of electric potential, and Wentzel-Kramers-Brillouin approximation is used for the tunneling probability. The new model is used to investigate the subthreshold characteristics of a double gate MOSFET having the gate length in the nanometer range $(5-20{\sim}nm)$ with ultra thin gate oxide and channel thickness. The model is verified by comparing the subthreshold swing and the threshold voltage roll-off with 2D numerical simulations. The proposed model is used to design contours for gate length, channel thickness, and gate oxide thickness.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.535-539
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• 2010

This paper include to study DoA(Direction of Arrival) for radio collection and monitoring system. The direction finding calculated by applying the CVDF (Correlation Vector Direction Finding) algorithm for the five circular dipole antenna over V / UHF band. To improve the accuracy of direction finding by applying CVDF algorithm needs to obtain ideal phase difference each antennas. However, a circular array antenna phase difference pattern may be distorted on a specific frequency band or to particular direction. The effect of installing each array antennas circularly and the effect of the interference of center pole (located in the center of a circular array antenna mount) may make the distortion of phase pattern. If you use an active antenna instead of passive antenna to obtain good sensitivity, you would measure the more distortion. This paper propose how to change combination of antennas to measure the phase in real-time and how to use antenna beam patterns for minimizing the degradation phenomena at applying simple CVDF algorithm and increasing the direction finding capability.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.53.2-53.2
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• 2010

지금까지 능동 구동 디스플레이의 TFT backplane에 사용하고 있는 채널 물질로는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)과 저온 폴리실리콘(low temperature poly-Si)이 대표적이다. 수소화된 비정질 실리콘은 TFT-LCD 제조에 주로 사용되는 물질로 제조 공정이 비교적 간단하고 안정적이며, 생산 비용이 낮고, 소자 간 특성이 균일하여 대면적 디스플레이 제조에 유리하다. 그러나 a-Si:H TFT의 이동도(mobility)가 1 cm2/Vs이하로 낮아 Full HD 이상의 대화면, 고해상도, 고속 동작을 요구하는 UD(ultra definition)급 디스플레이를 개발하는데 있어 한계 상황에 다다르고 있다. 또한 광 누설 전류(photo leakage current)의 발생을 억제하기 위해서 화소의 개구율(aperture ratio)을 감소시켜야하므로 패널의 투과율이 저하되고, 게이트 전극에 지속적으로 바이어스를 인가 시 TFT의 문턱전압(threshold voltage)이 열화되는 문제점을 가지고 있다. 문제점을 극복하기 위한 대안으로 근래 투명 산화물 반도체(transparent oxide semiconductor)가 많은 관심을 얻고 있다. 투명 산화물 반도체는 3 eV 이상의 높은 밴드갭(band-gap)을 가지고 있어 광 흡수도가 낮아 투명하고, 광 누설 전류의 영향이 작아 화소 설계시 유리하다. 최근 다양한 조성의 산화물 반도체들이 TFT 채널 층으로의 적용을 목적으로 활발하게 연구되고 있으며 ZnO, SnO2, In2O3, IGO(indium-gallium oxide), a-ZTO(amorphous zinc-tin-oxide), a-IZO (amorphous indium-zinc oxide), a-IGZO(amorphous indium-galliumzinc oxide) 등이 그 예이다. 이들은 상온 또는 $200^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 PLD(pulsed laser deposition)나 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)으로 손쉽게 증착이 가능하다. 특히 이중에서도 a-IGZO는 비정질임에도 불구하고 이동도가 $10\;cm2/V{\cdot}s$ 정도로 a-Si:H에 비해 월등히 높은 이동도를 나타낸다. 이와 같이 a-IGZO는 비정질이 가지는 균일한 특성과 양호한 이동도로 인하여 대화면, 고속, 고화질의 평판 디스플레이용 TFT 제작에 적합하고, 뿐만 아니라 공정 온도가 낮은 장점으로 인해 플렉시블 디스플레이(flexible display)의 backplane 소재로서도 연구되고 있다. 본 실험에서는 rf sputtering을 이용하여 증착한 a-IGZO 박막에 대하여 열처리 조건 변화에 따른 a-IGZO 박막들의 광학적, 전기적 특성변화를 살펴보았고, 이와 더불어 a-IGZO 박막을 TFT에 적용하여 소자의 특성을 분석함으로써, 열처리에 따른 Transfer Curve에서의 우리가 요구하는 Threshold Voltage(Vth)의 변화를 관찰하였다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.3 no.2
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• pp.174-184
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• 1999

In this paper, the equations which can be used to calculate the minimum series stabilizing resistance and /or the minimum parallel stabilizing conductance using the S parameters of an active device has been derived. The equation derived can be used to design a stabilizing circuit of minimum loss of a maximum available gain of a device when the circuit is adopted. For the case of KGF1254B which can be used at 1.9 GHz, the circuit proposed in this paper reduce the maximum available gain by 1 dB, while conventional simple resistor circuit reduce it by 5.2 dB.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.237-237
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• 2012

반도체 소자를 취급하는 반도체 산업은 여러 산업 중에서도 부가가치율이 높은 것의 하나이다. 반도체 공정은 산화막과 질화막은 각각 다양한 두께와 방법으로 제조되고 있으며 CVD, PEALD 이용한 증착 공정을 기반으로 하고 있다. 하지만 양산에서의 많은 문제 요소를 가지고 있다. 첫째, 양적인 실시간과 전구체의 정상상태를 확인 할 수 없으므로 인한 질 적인 저하등을 요소를 가지고 있으며 둘째, 양산 후 남은 전구체를 외관상의 변색, 점도 변화를 통해 변질을 확인하고 전구체를 교체함으로써 엄청난 경제적인 손실과 안정적인 공급에 어려움이 있다. 그러므로 본 연구에서는 reference 전구체와 공정에서 사용된 전구체를 이용하여 Vapor Pressure 측정과 FT-IR (Fourier transform-infrared), QMS을 이용하여 개발된 전구체의 기상 안정성 및 반응성을 실시간으로 진단하여 기존의 전구체와의 차별성을 확인하고 우수한 전구체를 선별하기 위한 연구를 진행하였다. 또한 변화에서의 분자 상태 변형을 진담함으로 인해 기업의 양산의 경제적인 손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 성장 조건에 따라 전구체 박막 특성을 논의 할 수 있을 것이다.

• Polymer(Korea)
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• v.26 no.4
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• pp.462-467
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• 2002

Blends of polymethylmethacrylate (PMMA) with polyvinylidenefluoride (PVDF) were prepared by melt mixing and investigated for optical waveguide devices by using hot embossing process. The glass transition temperatures ($T_g$) of the blends were decreased with increasing PVDF contents. However, the crystalline of PMMA/PVDF blends was not appeared by DSC and XRD due to miscibility between PMMA and PVDF. Shear viscosities and refractive indices of the blends were decreased with increasing PVDF contents. Optical transmittances and absorption losses of the blends were improved with increasing PVDF contents. This is due to a decreasing of polarizability of molecules by fluorine molecule in the PVDF.