• Aerospace Engineering and Technology
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• v.10 no.2
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• pp.56-64
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• 2011

In this paper, the characteristics of LCL set-up parameters for the satellite load distribution are analyzed under the electrical system environment, implemented the LCL circuits and evaluated the performance and its behaviour. Recently, it is implemented the load distribution circuit by latching current limiter(LCL) rather than conventional fuse and relay for the protection of the satellite power system from a fault load. The LCL circuit is composed of the electrical components, not mechanical parts with the fuse and relay. When detected the over current on a fault load, it is activated to maintain the trip-off level for set-up time and then cut-off the load power by the active control. It is more flexible and provided a chance to reuse of the load in case of temporarily event, but the fuse and relay can't be used again after activating due to the physical disconnection. However, for implementation of LCL circuit, it should be carefully considered the behavior of the LCL circuit under the worst electrical system environment and applied it to define the set-up parameters related with over-current inhibition.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.12
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• pp.37-42
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• 2007

Clock grid networks are now common in most high performance microprocessors. This paper presents a new effective modeling and simulation methodology for the clock grid using scattering parameter. It also shows the effect of wire width and grid size on the clock skew of the grid. The interconnection of the clock grid is modeled by RC passive elements. The results show that the error is within 10 % comparing to Hspice simulation results.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.10
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• pp.16-24
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• 2002

In this paper, we fabricated heterojunction phototransistors(HPT's) with optically transparent ITO emitter contacts. Heterojunction transistors(HBT's) having the same device layout were fabricated to compare with HPT's. The model parameters of the devices were extracted and compared. Emitter contact resistance(RE) of the HPT was about 6.4$\Omega$, which was very similar to that of HBT and the other DC model parameters of the Inp/InGaAs HPT showed the similarities to those of the HIBT.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• 1994.06c
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• pp.99-102
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• 1994

당 연구실에서 개발했던 초기의 오디오텍스 시스템은 LSP 파라미터를 이용한 무제한 한국어 음성합성 장치로서 합성데이타베이스는 640개의 반음절로 구성되어 있었다. 그러나 이 시스템은 일반 사용자들에게 음성합성 서비스를 제공하기에는 damwlf이 너무 미흡하였으므로 음원모델의 수정, 에너지 contour의 조절등을 사용하여 어느 정도 음질개선을 꾀하였으나 만족할 만한 수준에는 도달하지 못했다. 그래서 합성단위를 다이폰단위로 수정한 새로운 오디오텍스 시스템을 ngus하였다. 다이폰단위의 오디오텍스시스템은 한국어의여러가지 음운환경을 고려하여 1228개의 합성단위로 구성되어 있으며 LSP 파라미터를 이용한 합성방식을 채택하고 있다. 또한 음원생성시 수정된 LF 모델에 자음의 명료도 및 자연성을 높이기 위해 TMS320C30 DSP chip, MC68020 CPU, 고속 메모리소자, 및 VRTOS를 사용하여 시스템을 구현하였으며, 청취실험결과 기존의 합성방법보다 자연성 및 명료도에서 개선된 음질을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07b
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• pp.1248-1250
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• 2001

전기철도에서의 급전시스템은 레일을 귀선으로 사용하는 단상급전시스템을 사용하고 있다. 이에 따라 레일로부터 대지로의 누설에 의해 상당한 누설전류가 대지로 흐르게 된다. 대지로 흐르는 이 누설전류는 전자유도에 의해 선로 주변에 설치된 통신 케이블 또는 장치에 영향을 주게 된다. 더욱이 전기차의 견인시스템은 견인전동기를 제어하는데 있어서 스위칭 소자의 개폐에 의한 고조파 전류를 발생하고 있어 대지누설전류에 고조파 전류가 포함되어 흐른다. 본 연구에서는 전기철도 급전시스템에서 통신유도원인 대지누설전류에 따른 고려되어야 할 급전시스템 설계 파라미터를 시뮬레이션을 통하여 검증하였으며, 이 결과가 향후 급전시스템 설계시 기본적인 지침이 되어야 할 것이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.74-75
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• 2000

WDM(wavelength-division multiplexing) 광통신 네트웍을 이루는 핵심기술중의 하나는 ADF(Add-drop Filter)의 구현에 있다. 광섬유격자와 여러형태의 구조를 이용한 ADF들 중에서도 비대칭 결합기와 광섬유 격자를 이용한 구조는, 간섭계 구조가 아니기 때문에 제작이 용이하고 보다 안정된 특성을 보일 것으로 기대되어 많은 관심을 갖게 하고 있다$^{(1)}$ . 비대칭 결합기 구조의 경우, 두 광도파로의 코어반경이나 굴절율 분포가 서로 다르기 때문에, 일반적으로 광파의 결합이 일어나지 않는다. 그러나 브래그 격자의 반사조건을 만족하는 파장성분의 경우 입력단(input port)에서 드롭단(drop port)으로 반사되어 나오고, 그 외의 파장성분은 출력단(Output port)으로 나오게 되어 드롭 기능을 수행하게 된다. 비슷한 원리로 add port에서 출력단으로의 add 기능도 수행된다. 본 논문에서는 연산자 분리 시영역 모델$^{(2)}$ 을 이용하여 비대칭구조에서의 파장응답 특성을 해석하였다. 또한 최적화를 위한 조건을 알아 보고, 소자 설계에 필요한 파라미터를 정의하여 최적설계에 필요한 파라미터를 구하였다. (중략)

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.132-133
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• 2017

본 논문은 DC 배전용 반도체 차단기를 모델링하고, 바리스터 동작 특성을 MATLAB/SIMULINK를 이용해 실험 결과와 비교 분석하였다. 단락 전류 차단을 위한 반도체 소자는 전력용 반도체 스위치인 IGBT를 이용하였으며, 회로 차단 시 인덕턴스 성분에 의해 발생하는 과전압으로부터 차단기를 보호하기 위해 바리스터를 IGBT에 병렬 연결하였다. 바리스터는 수학적 모델링을 통해 로그 스케일에서 파라미터를 산출하였으며, 비선형 저항 특성을 시뮬레이션 환경에서 표현하였다. DC 반도체 차단기는 MATLAB 기반으로 모델링하였으며, 산출된 파라미터는 바리스터 모델에 적용하여 시뮬레이션하였다. 또한, 1kV/1.5kA 차단 실험 결과를 비교 분석하여 제안된 DC 배전용 반도체 차단기의 모델의 특성을 검증하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.4 no.4
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• pp.895-899
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• 2000

A method of measuring Q of a two port cavity by scattering parameters is proposed. The scattering parameters of a two port cavity resonator are derived by a lumped equivalent circuit model as a function of cavity parameters, including the cavity Q. These can be also obtained by direct measurement with a modern network analyzer, The results show good agreement with those from other well-known methods. This two port measurement can provide additional information such as the coupled power ratio, which is one of the important parameters for the beam accelerating cavities.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.449-450
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• 2020

본 논문에서는 부스트 컨버터와 벅-부스트 컨버터의 동작 특성을 고려하여 Fault Tree Analysis(FTA)를 작성하고 같은 용량으로 설계하여 동작 온도에 따른 고장률의 차이를 비교 및 분석한다. 승압용 컨버터로 사용되는 부스트 컨버터와 벅-부스트 컨버터의 파라미터 설정에 따른 인덕터의 고장률과 커패시터의 고장률을 계산한다. 또한 두 컨버터의 설계 파라미터에 의해 달라지는 커패시터 고장률과 정격전압 차이에 의해 달라지는 다이오드의 고장률을 구한다. 각 소자의 부품 고장률은 MIL-HDBK-217F를 이용하여 구한다. 작성한 FTA에 부품 고장률을 적용하여 고장률과 평균고장시간을 예측한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.3
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• pp.672-677
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• 2013

This paper have analyzed the change of breakdown voltage for channel dimension of double gate(DG) MOSFET. The breakdown voltage to have the small value among the short channel effects of DGMOSFET to be next-generation devices have to be precisely analyzed. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the breakdown voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The breakdown voltages have been analyzed for device parameters such as channel thickness and doping concentration, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the breakdown voltage. As a result, we know the breakdown voltage is influenced on Gaussian function and device parameters for DGMOSFET.