• 제목/요약/키워드: 소오스

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정상 가우시안 소오스와 음성 신호용 변환 격자 코드에 대한 훈련 알고리즘 개발 (A Training Algorithm for the Transform Trellis Code with Applications to Stationary Gaussian Sources and Speech)

  • 김동윤;박용서;황금찬
    • 한국음향학회지
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    • 제11권1호
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    • pp.22-34
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    • 1992
  • 변환 격차 코드는 모든 레이트에서 정상 가우시안 소오스와 자승 오차 왜곡에 대해 최적코드이다. 본 논문은 실제 데이타의 통계적 특성에 잘 맞는 코드를 얻기 위해 점근적으로 최적인 변환 격자 코드를 훈련시켰다. 훈련 알고리즘은 격자 코드북을 탐색하기위한 M알고리즘과 코드북을 새롭게하기 위한 LBG 알고리즘을 사용했다. 훈련된 변환 격자 코드의 성능을 조사하기 위해서 상관 계수가 0.9인 1차 AR 가우시안 소오스와 실제 음성 데이타를 사용하였다. 1차 AR 소오스에서, 훈련에 사용되지 않은 데이타에 대한 SNR은 레이트에 따라 샤논의 정보량 왜곡 함수에 의한 SNR보다 0.6에서 1.4dB 낮았으나, 이것은 같은 계산량을 사용한 다른 코딩 결과들보다 우수 했다. 실제 음성 데이타는 레이트 1.0 bits/sample에서 코딩을 했으며, 보다 좋은 성능을 얻기 위해 윈도우 함수와 이득 적용을 사용했다.

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소오스-드레인 기생용량을 개선한 박막트랜지스터 제조공정 (The Fabrication of a-Si:H TFT Improving Parasitic Capacitance of Source-Drain)

  • 허창우
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제8권4호
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    • pp.821-825
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    • 2004
  • 본 연구는 에치스토퍼를 기존의 방식과 다르게 적용하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정을 단순화하고, 박막 트랜지스터의 게이트와 소오스-드레인간의 기생용량을 줄인다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층 , 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조하면 기존의 박막 트랜지스터에 비하여 특성은 같고, 제조공정은 줄어들며, 또한 게이트와 소오스-드레인간의 기생용량이 줄어들어 동작속도를 개선시킬 수 있다.

ON-OFF 입력을 갖는 유한 크기 ATM 다중화기의 큐잉분석 (Queueing Analysis of the Finite Capacity ATM Multiplexer with the ON-OFF Input)

  • 김승환;박진수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제18권6호
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    • pp.889-894
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    • 1993
  • ATM은 음성, 비데오, 벌크 데이타등과 같은 다양한 형태의 버스트 트래픽을 수용할 수 있다. ATM망에서 트래픽 소오스를 효과적으로 처리하거나 가능한한 대역폭 사용율을 증가시키기 위해서는 통계적 다중화 구조가 채택되어야 한다. 본 논문은 독립적인 입력 소오스를 갖고 유한개의 버퍼 크기를 갖는 큐잉 시스템에서 큐 상태분포를 계산하기 위한 효과적인 계산 절차를 논의하고, 이러한 반복적인 계산방법을 통해 셀 손실율을 정확하게 계산한다. 또한 동질의 ON-OFF 소오스를 갖는 ATM 다중화기에 대해 몇가지의 수치계산 예를 통해 셀 손실율의 특성을 조사해 본다.

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DPS(Double Polarity Source) 구조를 갖는 고전압 동작용 EDNMOS 소자의 정전기 보호 성능 개선 (Improvement of ESD Protection Performance of High Voltage Operating EDNMOS Device with Double Polarity Source (DPS) Structure)

  • 서용진;양준원
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.12-17
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    • 2014
  • 본 논문에서는 고전압에서 동작하는 마이크로칩의 안정하고 튼튼한 정전기 보호 성능을 구현하기 위해 이중 극성 소오스를 갖는 DPS_EDNMOS 변형소자가 제안되었다. 제안된 DPS는 N+ 소오스로 부터 전자 풍부 영역이 측면 확산되는 것을 방지하기 위해 N+ 소오스 측에 P+ 확산층을 의도적으로 삽입한 구조이다. 시뮬레이션 결과에 의하면 삽입된 P+ 확산층은 고전자 주입에 의해 발생하는 깊은 전자채널의 형성을 효과적으로 막아주고 있음을 알 수 있었다. 따라서 종래의 EDNMOS 표준소자에서 문제시 되었던 더블 스냅백 현상을 해결할 수 있었다.

CdTe 나노결정의 합성과 특성분석에 관한 연구 (A study on the synthesis and characterization of CdTe nanocrystals)

  • 주상민;강윤묵;김동환
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.111-111
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    • 2003
  • 반도체 나노결정은 양자구속효과(quantum confinement effect)에 의한 광학적인 특성을 갖기 때문에 광전자공학(optoelectronic), 광전지(photovoltaic)분야에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 고순도의 CdTe 나노결정을 1-thioglycerol 표면 완화제(surface stabilizer)로 사용하여 수용액 상태로 합성하였다. 모든 실험은 $N_2$ 분위기의 삼각플라스크에서 실험하였다. Cadmium 소오스로는 Cd(CIO$_4$)$_2$.6$H_2O$(Cadmium perchlorate hydrate-Aldrich)를 사용하였고 Tellurium 소오스로는 A1$_2$Te$_3$(Aluminum telluride-CERAC)와 H$_2$SO$_4$가 반응하여 H$_2$Te gas가 주입되도록 하였다. 합성된 CdTe 나노결정은 core-shell 형태로 존재하며 결정크기에 따른 특성분석을 위해서 High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM), Photoluminescence spectroscopy, X-ray diffraction(XRD), UV-vis absorption spectra 분석을 하였다 또한 CdTe 나노결정을 나노와이어로 제작하여 CdTe 나노결정을 이용한 태양전지 제작에 응용하고자 한다.

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스톡스 유동장 내의 한 쌍의 소오스-싱크에 의한 자유표면 유동해석 (Analysis on the free surface flow induced by a pair of source-sink in Stokes flow)

  • 정재택;박종선
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 한국전산유체공학회 2008년도 춘계학술대회논문집
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    • pp.304-307
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    • 2008
  • Two-dimensional Stokes flow due to the line source and line sink of same strength in semi-infinite flow region with free surface is analysed using complex variable theory and conformal mapping. Surface tension effects are included while gravity is neglected. From the results of analysis, flow pattern and free surface shape are obtained and velocity distribution on the free surface is determined with 2 independent parameters Ca (capillary number) and h (non-dimensionalized distance between source and sink). When the location of the sink is above the source, velocity on the free surface converges and a cusp occurs on the free surface for the value of Ca above some critical capillary number.

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