본 논단에서는 스마트 파워 IC의 개념과 주요 구성 핵심기술인 횡형 전력소자들의 기본구조와 특성을 비교하였으며, 공정에 밀접한 관련있는 전기적 격리기술, 그리고 스마트 파워 칩 구현을 위한 CAD체계에 대해 논의하였다. 또한 자동차 하이사이드 스위치와 모터 제어 및 구동용 스마트 파워 IC의 제품을 중심으로 스마트 파워 IC의 응용분야에 대해 간략하게 살펴보았다. 전자기기에 광범위하게 응용되어 시스템의 고급화, 고신뢰도 및 소형경량화에 중요한 반도체 소자를 포함한 전체 전력 반도체 소자 시장 50억불의 20%를 형성하였다. 최근 스마트 파워 IC의 큰 시트 파워 IC는 자동차 1대당 50개에서 140개까지 소요 예상되리라는 보고도 되고 있다. 스마트 파워 IC는 고내압, 대전류, 고속 스위칭 특성을 갖는 전력소자 및 전기적 격리기술 그리고 설계자동화를 위한 스마트 파워 IC의 구성 요소기술들의 지속적인 발전에 힘입어 더욱 고기능화된 제품개발에 의해 민생용 소비재 분야에서 산업분야까지 현재 보다 더 광범위한 응용이 기대된다.
본 연구에서는 비약적으로 발전하고 있는 반도체 소자가 요구하는 새로운 특성을 가진 신소재의 개발에 부응하여, 최근 세계적으로 많은 연구가 되고 있는 spintronics에 사용되는 화합물 자성반도체 박막에 관한 연구를 수행하였다. 본 연구에서 사용되는 GaMnAs 자성반도체 박막은 기존의 III-V족 화합물 반도체 소자에 적용이 쉽고, 그 응용범위가 넓어 앞으로의 전망이 매우 밝은 새로운 화합물 반도체라고 할 수 있다. 그러나 이런 GaMnAs 자성반도체 박막의 경우 현재까지 자성 특성을 나타내는 Curie 온도가 매우 저온에서만 나타나며, 또한 성장 조건에 따라 그 특성이 매우 달라지는 문제점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 GaMnAs 자성반도체 박막을 성장시키기 위한 최적조건과 자성특성을 향상시키기 위한 실험을 수행하였다.
반도체 기술의 발전은 경이적인 발명이라고 할 수 있는 마이크로컴퓨터를 탄생시켰고 계속된 발달은 소자의 집적밀도를 더욱 더 높여 단일칩 마이크로컴퓨터까지도 저렴한 가격으로 공급 가능하게 하고 있다는 점은 너무나도 잘 아는 사실이다. 본문에서는 단일칩 마이크로컴퓨터들의 일반적인 구성과 특징을 분석, 소개하여 이들을 원활히 활용하는데 다소나마 도움이 되고자 한다.
탄소로 구성된 분자인 「나노튜브」를 다발모양으로 합성하면 성질이 바뀌어 반도체가 된다는 사실을 밝혀내 세계적 관심을 모으고 있는 서울대 자연과학대 물리학과 임지순교수를 만나보았다. 탄소 나노튜브를 활용해서 기존 실리콘 반도체보다 1만배까지 높은 초고집적 반도체 소자를 만들 수 있는 길을 연 임교수는 앞으로 나노튜브다발의 반도체저거 성질을 조절하는 방법을 찾아내는 연구를 계속할 것이라고 말했다.
LED(light emitting diode)는 반도체의 P-N 접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장 광이 방출 되는 현상인 전기발광 효과를 이용한 화합물 반도체 소자의 일종으로 발광 다이오드라고도 한다. LED는 화합물 반도체의 화합물의 종류 및 조성비를 조절하여 적외선, 자외선과 빨강에서 보라에 이르는 모든 가시광선이 구현 가능하고, 소비전력이 기존의 광원에 비해 우수한 특성을 가지고 있어, 일반 조명, 산업용 조명, 전광판, TV의 BLU 등 여러 분야에 걸쳐 다양하게 이용되고 있다.
세계적으로 대체 에너지는 중요한 이슈가 되고 있으며, 이들 중 열전 재료는 열 에너지를 전기 에너지로 바꿀 수 있는 열전 재료가 각광 받고 있다. 그 중, 박막 형태의 열전 재료는 벌크 형태에 비해 나노 구조화가 용이하여 열전 특성을 향상 시킬 수 있는 잠재력을 지니고 있다. 특히, 박막형 열전 소자는 정밀 온도 제어가 가능하며, 소형화 기기의 응용이 가능하여, 고 직접화 전자 소자의 발열 문제를 해결 할 수 있어 더욱 주목 받고 있다. 박막형 열전소자 중 산화물 반도체계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 산화물 반도체는 기존의 화합물 반도체인 Pb-Te, Bi-Te 등의 기존의 재료에 비해 낮은 독성을 가진다. 또한, 고온에서 열적 안정성이 우수하여 고온에서 적용 가능하다는 장점을 가진다. 열전재료의 효율은 열전 성능 지수(ZT)와 Power factor(PF)로 평가된다.
반도체, LCD, MEMs 등 미세 전자소자의 제작과 깊은 관련이 있는 IT 산업은 자동차 산업과 함께 세계 경제를 이끌고 있는 핵심 산업이며, 그 발전 가능성이 크다고 할 수 있다. 이 중 반도체, LCD 공정 기술에 관해서 대한민국은 세계를 선도하여 시장을 이끌어 나가고 있는 실정이다. 이들의 공정기술은 주로 높은 수율(yield)을 기반으로 한 대량 생산 기술에 초점이 맞추어져 있기 때문에, 현재와 같은 첨예한 가격 경쟁력이 요구되는 시대에서 공정 기술 개발을 통해 수율을 최대한으로 이끌어 내는 것이 현재 반도체를 비롯한 미세소자 산업이 직면하고 있는 하나의 중대한 과제라 할 수 있다. 특히 반도체공정에 있어 발전을 거듭하여 현재 20 nm 수준의 선폭을 갖는 소자들의 양산이 계획 있는데 이와 같은 나노미터급 선폭을 갖는 소자 양산과 관련된 CD (critical dimension)의 감소는 공차의 감소를 유발시키고 있으며, 패널의 양산에 있어서 생산 효율 증가를 위한 기판 크기의 대형화가 이루어지고 있다. 또한, 소자의 집적도를 높이기 위하여 높은 종횡비(aspect ratio)를 요구하는 공정이 일반화됨에 따라 단일 웨이퍼 내에서의 공정의 균일도(With in wafer uniformity, WIWU) 및 공정이 진행되는 시간에 따른 균일도(Wafer to wafer uniformity)의 변화 양상에 대한 파악을 통한 공정 진단에 대한 요구가 급증하고 있는 현실이다. 반도체 및 LCD 공정에 있어서 공정 균일도의 감시 및 향상을 위하여 박막, 증착, 식각의 주요 공정에 널리 사용되고 있는 플라즈마의 균일도(uniformity)를 파악하고 실시간으로 감시하는 것이 반드시 필요하며, 플라즈마의 균일도를 파악한다는 것은 플라즈마의 기판 상의 공간적 분포(radial direction)를 확인하여 보는 것을 의미한다. 현재까지 플라즈마의 공간적 분포를 진단하는 대표적인 방법으로는 랭뮤어 탐침(Langmuir Probe), 레이저 유도 형광법(Laser Induced Fluorescence, LIF) 그리고 광섬유를 이용한 발광분광법(Optical Emission Spectroscopy, OES)등이 있으나 랭뮤어 탐침은 플라즈마 본연의 상태에서 섭동(pertubation) 현상에 의한 교란, 이온에너지 측정의 한계로 인하여 공정의 실시간 감시에 적합하지 않으며, 레이저 유도 형광법은 측정 물질의 제한성 때문에 플라즈마 내부에 존재하는 다양한 종의 거동을 살필 수 없다는 단점 및 장치의 설치와 정렬(alignment)이 상대적으로 어려워 산업 현장에서 사용하기에 한계가 있다. 본 연구에서는 최소 50 cm에서 최대 400 cm까지 플라즈마 내 측정 거리에서 최대 20 mm 공간 분해가 가능한 광 수광 시스템 및 플라즈마 공정에서의 라디칼의 상태 변화를 분광학적 비접촉 방법으로 계측할 수 있는 발광 분광 분석기를 접목하여 플라즈마 챔버 내의 라디칼 공간 분포를 계측할 수 있는 진단 센서를 고안하고 이를 실 공정에 적용하여 보았다. 플라즈마 증착 및 식각 공정에서 형성된 박막의 두께 및 식각률과 공간 분해발광 분석법을 통하여 계측된 결과와의 매우 높은 상관관계를 확인하였다.
본고에서는 차세대 박막형 CIGS 태양전지 기술과 IT 기술활용에 대하여 알아보았다. CIGS 태양전지 소자의 구성, 셀 및 모듈 제조공정 기술 현황 및 도전과제를 제시하였으며 특히, 박막형 태양광발전 산업화에 필요한 요인들과 해결해야 될 기술적 이슈들을 제시하였다. 태양광발전은 반도체 pn-접합에 흡수된 빛을 단순히 전기로 변환시키는 것이기 때문에 폐기물도 발생하지 않는 환경 친화적인 미래의 그린에너지 기술이다. 박막형 태양전지는 첨다 IT 기술인 반도체 및 디스플레이 기술을 활용하면 산업화를 앞당길 수 있기 때문에 우리의 세계수준의 IT기술을 이용한 산업화 방안에 대하여 논의하였다.
이번에 대학에서 연구한 논문은 전체의 25%에 불과하며, 그나마 미국, 캐나다의 3-4개 대학에서 대부분의 논문을 발표하고 있는 형편이다. 이들 조차 기업체보다 열악한 실험 장비로 인하여, 상당히 어려움을 겪고 있고, 실리콘을 기반으로 한 소자는 거의 손을 떼고, SiC와 같이 신물질을 이용한 전력 소자에 대한 연구로 겨우 버티고 있는 실정이다. 우리나라 대학의 논문 수준은 이보다 더 낙후되어 있지만, 앞으로 더욱 열심히 노력하여 항복전압이 일어나지 않는 새로운 구조나, on-state voltage drop이 0 V인 정류기와 같은 기술적인 breakthrough를 가져올 수 있는 아이디어를 실현시킨다면, 다음 ISPSD에서는 멋지게 큰 홈런을 날릴 수 있으리라는 희망을 안고 귀국했다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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