본 논문에서는 아스팔트 포장의 균열 성장을 분석하기 위해서 확장유한요소법을 사용하였다. 또한 아스팔트의 점탄성 효과를 고려하기 위하여 맥스웰 체인을 이용한 점탄성 구성방정식을 사용하였으며, 균열 모델로는 선형점성균열 모델을 사용하였다. 특히 점탄성 구성방정식을 구성할 때 측정을 통해 얻어지는 온도별 변형계수와 지연시간을 Prony 급수를 이용해 재구성한 크리프 곡선을 직접 사용하지 않고 연속적인 미분이 가능한 멱승 로그 식으로 대체하여 사용하였다. 멱승 로그 식으로 완화시간 스펙트럼(relaxation spectrum)을 계산하여 맥스웰 체인의 부분탄성계수(partial moduli)를 도출하였다. 멱승 로그 적정 식을 통해 구한 맥스웰 체인의 부분 탄성계수는 크리프 곡선을 직접 이용하는 방법으로 구한 부분 탄성계수 보다 안정적인 형태의 곡선을 나타내어 해석을 용이하게 해준다. 개발된 정적균열 해석 모듈을 이용하여 아스팔트 시편의 온도별 정적균열 성장 실험 결과를 성공적으로 모사할 수 있었다.
목 적 : 부당경량아는 소아기 저신장의 주요한 이유 중의 하나이다. 유전적 요소는 부당경량아의 성장에 중요한 영향을 끼친다고 알려져 있다. 일반 소아와 유전적 요소사이의 관계에 대한 몇몇 보고가 있다. 하지만 부당경량아와 유전적 요소사이의 관계에 대한 보고는 많지 않다. 그래서 본 논문에서는 부당경량아의 성장과 부모중간키의 측정에 의한 유전적 요소 사이의 관계에 대해 연구하였다. 그리고 IGF-I, IGFBP-3 그리고 유전적 요소가 반영된 출생 후 성장과의 관계에 대해 연구하였다. 방 법 : 1989년부터 2002년까지 한림의대 강동성심병원에서 태어난 신생아로 출생체중이 10백분위수 미만인 부당 경량아 300명 중 추적 관찰이 가능했던 49명을 대상으로 하였다. 대상아의 부모중간키를 최종 평균값으로 하는 새로운 개인별 교정성장곡선을 구해 해당 연령의 표준편차를 적용하여 cHtSDS를 계산하였다. cHtSDS${\geq}0$ (n=35)인 1군, cHtSDS<0 (n=14)인 2군으로 나누고 두 군 간에 IGF-I과 IGFBP-3를 비교하였다. 결 과 : 1군과 2군의 HtSDS와 cHtSDS는 $0.28{\pm}1.05$, $-0.95{\pm}0.85$ (P=0.000), $0.78{\pm}0.93$, $-0.46{\pm}0.67$ (P=0.000)이었다. 또한 IGF-I SDS는 각각 $2.82{\pm}3.69$, $0.23{\pm}2.42$로 1군이 2군에 비하여 유의하게 더 높았다(P=0.012). 전체 cHtSDS ($0.42{\pm}1.03$)는 HtSDS ($-0.22{\pm}1.10$)보다 더 높았고(P=0.000), cHtSDS는 IGF-I SDS와 유의한 양의 상관관계를 가졌다(P=0.016). 결 론 : 본 연구 결과로 볼 때 cHtSDS는 HtSDS와 유의하게 차이가 났다. 현재의 일률적인 표준성장곡선에 의한 성장평가는 유전적 요소를 제대로 반영하지 못할 수 있다. 진정한 성장상태의 평가는 부모중간키 같은 유전적 요소를 반영한 개인별 교정성장곡선의 사용에 의해 가능할 것이다. 비록 cHtSDS를 계산하는 방법론상의 문제가 아직 있지만, cHtSDS는 부당경량아의 성장평가에 유용한 방법이 될 수 있다.
테라헤르츠 소스로 저온 InGaAs를 대체하기 위해 저온에서 성장한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장 온도에 따른 광학적 photoluminescence (PL)과 time-resolved PL (TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. 또한 Be 도핑 농도에 따른 p형 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 PL과 TRPL 특성을 undoped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$와 Si-doped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 결과와 비교 분석하였다. 본 연구에 사용한 시료는 분자선 엑피탁시 (molecular beam epitaxy)법으로 GaAs 기판 위에 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$을 다양한 성장온도에서 ${\sim}3.7\;{\mu}m$두께 성장하였다. $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장온도는 $400^{\circ}C$ 에서 $460^{\circ}C$까지 변화시키며 성장하였으며, Si과 Be 도핑한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 시료는 약 $420^{\circ}C$에서 성장하였다. 모든 시료의 PL 피크는 ~1450 nm 근처에서 나타나며 단파장 영역에 shoulder 피크가 나타났다. 그러나 가장 낮은 온도 $400^{\circ}C$에서 성장한 시료는 1400 nm에서 1600 nm에 걸쳐 매우 넓은 피크가 측정되었다. PL 세기는 $450^{\circ}C$ 에서 성장한 시료가 가장 강하게 나타났으며, $435^{\circ}C$에서 성장한 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 방출파장에 따른 PL 소멸곡선을 측정하였으며 double exponential function을 이용하여 운반자 수명시간을 계산하였다. 운반자 수명시간은 빠른 소멸성분 $\tau_1$과 느린 소멸성분 $\tau_2$가 존재하고 빠른 성분 $\tau_1$의 PL 진폭이 약 80%로 느린 성분 $\tau_2$보다 우세하게 나타났다. 각 PL 피크에서의 운반자 수명시간 $\tau_1$은 ~1 ns로 성장온도에 따른 변화는 관찰되지 않았다. 또한 방출파장이 1400 nm에서 1480 nm까지 PL 피크 근처에서 운반자 수명시간은 거의 일정하게 나타났다. Be-doped 시료의 PL 피크는 1236 nm에서 나타나며, Si-doped 시료는 1288 nm, undoped 시료는 1430 nm에서 PL 피크가 측정되었다. PL 피크에서 PL 소멸곡선은 Be-doped 시료가 가장 빨리 감소하였으며, Si-doped 시료가 가장 길게 나타났다. 이러한 결과로부터 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 광학적 특성은 성장 온도, dopant type, 도핑 농도에 따라 변화하는 것을 확인하였다.
식품에 극소량 존재하는 Salmonella spp.를 real-time PCR로 검출 시 필요한 최소시간을 구하고자 하였다. Sal-F, Sal-R 서열이 primer로 사용되었으며 sal-P 서열이 probe로 사용되었다. BPW에서 산출된 검출한계는 $3.77{\times}10^2\;cfu/mL$로 측정되었다. BPW에 인위적으로 Salmonella spp.를 접종하였으며 성장곡선을 구하였다. 성장곡선은 y=$0.0127x^2$+0.5927x-0.4317($R^2$=0.99) 식을 나타내었다. 25 g 시료에 1 cell의 Salmonella spp.가 존재한다고 가정할 경우, 시료처리 과정에서 10배로 희석되므로 초기 균 농도는 0.004 cfu/mL 이며 이 농도에서 검출한계까지의 균수 증가가 발생해야 real-time PCR로 검출이 가능할 것으로 판단되었다. 성장곡선에서 균수 증가에 필요한 시간을 측정해 본 결과 7시간20분으로 산출되었으며 따라서 PCR 수행시간을 포함하여 10시간이면 검출이 가능함을 알 수 있었다. 식품에서의 실증실험을 위하여 시중에서 판매되고 있는 신선편이 양배추를 구하여 25 g에 1~10 cfu의 수준으로 S. Typhimurium을 인위접종한 후 real-time PCR 방법과 식품공전방법으로 검출하였을 때 두 방법 모두 동일하게 30개중 29개 시료에 대하여 음성을 나타내었다.
저자는 1970년부터 1975년까지 6 년갑에 걸쳐 부산지역 국민학교 학생들의 신체발육상태를 평가하고져 무작위로 추출한 부산시 모 국민학교 학생 656명(남 374, 여 282)을 대상으로 그들의 실제 신체체격 측정을 통하여 과거 6 년 동안의 신체발육상태를 조사 분석하여 다음의 결론을 얻었다. (1) 신장의 연간 최대성장연령은 남자$7{\sim}8$세 (5.9cm), 여자 $10{\sim}11$세 (6.5cm)이었고 남녀 신장발육곡선은 $10{\sim}11$세에서 서로 교차하였다. (2) 체중의 연간 최대성장연령은 남자 $9{\sim}10$세(3.1kg), 여자 $10{\sim}11$세 (3.9kg)이었고 남녀체중발육 곡선은 $10{\sim}11$세에서 서로 교차하였다. (3) 흉위의 연간 최대성장연령은 남자 $8{\sim}9$세(3.1cm), 여자 $9{\sim}10$세 (2.9cm)이었고 전자와는 달리 남녀 융위발육곡선은 서로 교차하지 않았다. 4. 좌고의 연간 최대성장연령은 남녀 모두 $6{\sim}7$세 (남 3.3cm, 여 3.4cm)이었고 남너 좌고발육곡선은 $8{\sim}9$세에서 서로 교차하였다. (5) 각 지역간의 비교에는 각각의 신체계측치를 체격종합치 (Physical Integrated Ualue)로서 서로 비교하는 것이 매우 간편하고 바람직 하였으며 한국소아 신체표준발육치에 대한 부산지역 국민학교 학동들의 체격종합치 (Physical Integrated Value)는 남여 각각 신장 +0.30, +0.29, 체중 +0.33, +0.35 흉위 +0.65, +0.57, 좌고 +0.10, +0.20으로 서울을 제외한 타지역 (대구, 대전, 농촌지역)에 비하여 비교적 우수하였다.
산업성장 잠재력과 기술개발과의 관계는 기술개발을 통해 산업이 어떻게 성장될 수 있는가를 보여주는 관계를 말한다. 첫째는, 산업의 출현(Emergence)이다. 이는 기술개발에 의해 새로운 산업이 발달되는 경우를 말한다. Microcomputer의 출현이 그 대표적 예이다. 둘째, 산업의 재생(Revitalization) 이다. 하향곡선을 그리는 산업이 기술혁신을 통해 새로운 마켓을 개척하여 다시 활기를 띄게 되는 경우이다. 전자 장난감이 장난감 시장의 활성화를 가져온 경우가 이에 속한다. 셋째, 산업의 대체(Substitution)현상은 기술개발에 의해 기존의 산업이 새로운 산업으로 대체되는 경우를 말한다. 진공관 이 트랜지스터를 대체된 경우나 LP가 Compact Disc등으로 대체된 경우도 이에 속한다. 마지막으로, 산업의 퇴보(Decline)는 기술의 개발이 오히려 산업자체의 퇴보나 침체를 가져오는 경우를 말한다. 마모에 저항력이 강한 고무가 타이어산업의 침체를 간져온 경우가 이에 속한다. 본 논문은 과거 10여 년간의 한국의 각종 기업의 기술개발 사례를 통해 이러한 4가지 패턴의 산업성장잠재력에 그러한 기술개발이 어떠한 역할을 하여 왔는가를 규명하고, 한국기업의 기술개발 현황파악을 통한 당면한 문제점을 분석한다. 아울러 한국의 기업들이 한국적 경제 및 경영 환경하에서 어떠한 기술개발과 혁신을 통해 산업성장 잠재력에 기여할 수 있는가를 토론한다.
본 연구는 2009년부터 2012년까지의 복지패널자료로 노동시간과 임금의 변화를 잠재적인 추이를 통해 살펴보고, 이들의 관계 패턴을 통해 역동적인 노동시장 안에서 연도별 개인의 효용극대화점의 변화와 노동공급곡선의 방향을 살펴보아 앞으로의 방향성을 예측해 보고자 한다. 연구대상과 자료는 한국복지패널의 2009년부터 2012년간 가구 월기준으로 노동시간과 임금을 측정 및 분석하였다. 연구결과로 먼저, 2009년에서 2012년으로 변화함에 따라 노동시간과 임금은 증가함을 예측할 수 있었으며, 비선형 성장곡선이 아닌 선형으로 나타났다. 둘째, 2009년에서 2012년 동안 추정해 보면 노동시간의 SLOPE와 임금의 SLOPE간에 높은 상관관계를 보였다. 셋째, 2009년에서 2012년까지 노동시간과 임금이 함께 증가하는 것으로 나타났기 때문에 노동공급곡선 가구의 한계효용점은 우상향으로 이동한다. 노동공급곡선이 우상향하는 추이를 지속적으로 보이므로 대체효과가 소득효과를 좀 더 압도하고 있다고 볼 수 있다.
본 연구에서는 최근 적용사례가 급증하고 있는 가압식 그라우팅을 이용한 쏘일네일링의 현장인발시험 자료를 수집하여 데이터베이스를 구성하였으며, 기존의 도해법을 이용한 극한인발저항력 판정법의 문제점을 보완하기 위하여 비선형회귀분석을 이용하여 극한인발저항력을 판정하는 방법을 제안하였다. 비선형회귀분석에 의해 추정된 하중-변위곡선은 현장인발시험 자료와 매우 높은 상관성을 보였으며, 도해법에 의해 판정된 극한인발하중에 비해 평균 29% 정도 크게 판정되었다. 쏘일네일의 하중-변위곡선이 항복하중 이후에 급격한 변위를 보이는 경우에는 S자 성장곡선 회귀모형이 가장 적합하며, 인발하중과 변위의 증가량이 점진적으로 감소하는 파괴거동을 보이는 하중-변위곡선은 점근적 방법이 가장 적합한 회귀모형으로 평가되었다. 본 연구로부터 제안된 단위극한주면 마찰 저항력은 국내 지반특성과 가압식 그라우팅 공법의 특성이 반영된 것으로 해외 연구결과로부터 제시된 설계도표를 이용하던 문제점을 개선함으로써 독자적인 설계기준을 확보하는데 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.
본 연구는 재래돼지와 랜드레이스 품종을 기초축으로 조성한 F2 집단의 일령별 체중 자료를 이용하여 비선형 회귀에 의해 추정한 개체별 성장곡선 모수 및 성장 특성치에 대한 LEPR 관련 초위성체 표지인자의 다형성에 따른 효과를 추정함으로써 Leptine 수준에 따른 성장 형질의 특성을 규명하고자 실시하였다. 조사된 F2 집단에 대해 개체별 성숙체중(A)과 성숙률(k)의 평균은 각각 179.69${\pm}$4.40kg 및 0.3103${\pm}$0.0043으로 추정되었으며, 성장 특성에 대한 성의 효과는 통계적 유의성이 없었으며 (p〉.05), 성숙체중(A) 및 최대 증체 속도($\partial$W$_{t1}$/$\partial$t)는 분만 그룹에 따른 유의적인 차이를 보였다(p〈.05). 조사된 모든 성장특성에 대해 LEPR 표지인자의 다형성 효과는 유의적으로 나타났으며(p〈.05), AA 유전자형을 가지는 개체는 만숙성이며, 반면 유전자형이 DD인 경우, 조사된 유전자형들 가운데 초기 성장이 빠른 조숙성의 성장 특성으로 가지지만, 성장률의 증가추세가 일찍 감소하며, 성숙체중의 최대치는 낮을 것을 추정되었다. 따라서 조사된 LEPR 관련 표지인자 유전자형의 다형성에 따른 성장 특성의 해석 및 예측이 가능하며, 그 범위는 생애 전반에 걸쳐 적용해야 할 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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