• 제목/요약/키워드: 불산

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초산, 불산 및 질산을 함유한 혼산의 분리를 위한 기초 연구 (A Basic Research on the Separation of Mixed acid containing Acetic acid, Hydrofluoric acid and Nitric acid.)

  • 이향숙;신창훈;김준영;김주엽;이용희;안재우
    • 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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    • 한국자원리싸이클링학회 2005년도 추계정기총회 및 제26회 학술발표대회 고분자리싸이클링기술 특별심포지엄
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    • pp.281-288
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    • 2005
  • 실리콘웨이퍼 제조공정에서 발생되는 초산, 불산 및 질산을 함유한 폐혼산으로 부터 각 산을 분리한 후 재활용하기 위하여 기초 실험을 실시하였다. 용매추출 법을 이용하여 초산, 불산 및 질산을 분리하기 위해 최적 추출제를 선정 하였고, 단일 성분에서의 추출 및 탈거특성에 관해 조사하였다. 또한, 이성분계 혼합산에서 분배비를 조사하여 상호 분리성에 대해 검토하였다. 실험 결과 인산염계 추출제는 고급 알코올에 비해 각 산의 추출 능력이 높다는 것을 확인하였다. 초산과 질산의 이성분 혼합액에서는 고급 알코올을 사용하면 초산이 분배비가 높아 선택적으로 추출되는 것을 확인하였고, 초산과 불산의 이성분 혼합액에서도 인산염계 추출제 보다 고급 알코올 사용시 초산의 분배비가 높아 선택적으로 추출됨을 확인하였다. 한편, 질산과 불산의 혼합액에서는 인산염계 추출제를 사용하여 질산이 선택적으로 추출됨을 확인하였다.

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알루미늄 무질산 디스멋용액 연구

  • 고금석
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.127-127
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    • 2016
  • 일반적인 알루미늄 표면처리 방식중 De Smut 는 질산 50~60% 용액에 상온에서 수초에서 수분 침적으로 Smut가 거의 제거가 되므로 도금공정에서 문제가 되지않았다. 단지 NOx 의 발생으로 작업공간 에서의 환경이 열악해 질 수 있다는 것이 문제 였다, 그러나 환경문제에 있어서 정부의 질소 규제 가 시작 되면서 알루미늄을 재료로 표면처리 하는 업체 에서는 질산 사용이 곤란해 해졌다. 그러나 질산이 금속과 의 친화력은 스테인레스, 알루미늄, 등 많은 금속에서 소지금속의 용해를 방지 하면서 산화스케일( De Smut)을 제거하는 데 유용한 산이어서 아직도 이용되고 있는 실정이다. 본 연구에서 는 우선 스테인레스 강의 산세시 불산과 질산의 혼산을 사용 하는 것을 불산, 불화암모늄, 황산, 과산화 수소 혹은 불산, 염산, 과산화 수소 등으로 전환 사용 하는 것 에 착안 하여 황산, 과산화수소 시스템에서 혹은 불산, 황산, 과산화 수소, 등으로 Smut 제거가 가능 한지 알아보고 그 효과를 살펴보았다.

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불산-오존-희석 암모니아수 세정에 의한 실리콘 웨이퍼 표면의 미세입자 제거 (Particle Removal on Silicon Wafer Surface by Ozone-HF-NH4OH Sequence)

  • 이건호;배소익
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제45권2호
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    • pp.203-207
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    • 2007
  • 불산과 오존 세정 시 실리콘 웨이퍼 표면의 미세입자를 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법에 대하여 연구하였다. 불산의 농도가 0.3 vol% 이상이 되어야 미세입자가 제거 되었으며, 초음파가 인가된 오존수를 사용 시 제거 효율은 증가되었다. 오존과 불산 세정 단계 이후에 추가로 극미량의(0.01 vol%) 희석 암모니아수 세정을 하면 미세입자가 99%이상 제거됨을 확인하였다. 이는 암모니아수에 의한 웨이퍼 표면의 미세 에칭 효과와 알칼리 영역에서의 재흡착 방지 효과가 동시에 작용함에 기인된다고 보인다. 한편, 불산-오존-희석 암모니아수 세정은 통상의 SC-1 세정과 비교할 때 표면 미세 거칠기가 개선되는 경향을 보였다. 불산-오존-희석 암모니아수 세정은 상온에서도 미세입자를 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법으로, 고온 공정 및 과다한 화학액을 사용하는 기존 습식세정의 대안으로서 기대된다.

Silicon wafer 에칭공정시 발생(發生)되는 폐(廢)에칭액 으로부터 초산(醋酸), 질산(窒酸) 및 불산(弗酸)의 분리.회수(分離.回收)에 관한 연구(硏究) (A study on the Separation of Acetic Acid, Nitric Acid and Hydrofluoric Acid from Waste Etching Solution of Si Wafer Manufacturing Process)

  • ;;;;;안재우
    • 자원리싸이클링
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    • 제16권1호
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    • pp.59-67
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    • 2007
  • 실리콘 웨이퍼 제조공정 중 발생되는 초산, 질산 및 불산을 함유한 3성분계 폐혼산으로부터 개별산으로 분리하여 재활용할 목적으로 용매추출법을 적용하였다. 각 산의 분리를 위해 사용한 추출제로는 초산의 경우는 EHA(2-Ethylhexlalcohol)를 사용하였고, 질산과 불산의 경우에는 TBP(Tri-butylphosphate)를 사용하여 각 산의 분리과정에 대한 공정설계를 위한 기초 data를 얻고자 하였다. 3성분계 폐혼산에서 초산을 추출 분리하고 이후 추출여액 중 질산 및 불산을 순차적으로 추출 분리 할 수 있는 연속공정개발을 위하여 기초 실험 자료와 McCabe-Thiele해석을 통해 최적 투입유량비(O/A), 소요단수(Stage) 등을 결정하였다. 분석 결과 혼산으로부터 초산의 회수율은 90%이상 이었으며 초산 추출여액에서 질산의 회수율은 90%, 최종 추출잔류액에서 불산의 회수율은 67%이상 이었다.

초산, 불산 및 질산을 함유한 폐혼산의 분리 연구 (The study on the Separation of Waste acid containing Acetic acid, Hydrofluoric acid and Nitric acid)

  • 김준영;이향숙;신창훈;김주엽;김현상;안재우
    • 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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    • 한국자원리싸이클링학회 2006년도 춘계임시총회 및 제27회 학술발표대회
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    • pp.47-55
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    • 2006
  • 실리콘웨이퍼 제조공정에서 발생되는 초산, 불산 및 질산을 함유한 3성분계 폐혼산으로부터 각 산을 분리하여 무기산으로 재활용하기 위하여 용매추출법을 적용하였다. 이러한 산을 선택적으로 분리하기 위해 추출제로 초산의 경우는 EHA(2-Ethylhexlalcohol)를 사용 하였으며 질산과 불산의 경우에는 TBP(Tri -butlyphosphate)를 사용하여 추출과정과 탈거과정에 대한 공정설계를 위한 기초 실험을 실시하였다. 3성분계 페혼산에서 먼저 초산을 추출 분리하고, 추출여액중 질산 및 불산을 순차적으로 연속 분리 할 수 있는 공정개발을 위하여 McCabe-Thiele해석을 통해 최적 투입유량비(O/A), 소요단수(Stage) 등을 결정하였다. 분석 결과 혼산으로부터 초산의 회수율은 90%이상 이었으며 초산추출여액에서 질산의 회수율은 90%이상, 최종 추출잔류액에서 불산의 회수율은 67%이상 이었다.

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열 및 불산 처리를 통한 탄소나노튜브의 전자 방출 특성의 향상 연구 (Study on enhanced electron emission current of carbon nanotube by thermal and HF treatments)

  • 김기서;유제황;이창석;임한얼;안정선;장진;박규창
    • 한국진공학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.90-95
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    • 2008
  • 본 연구에서는 열 및 불산을 이용한 후처리 공정이 레지스트층을 이용하여 제작된 탄소나노튜브의 전자 방출 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 전자 방출 전류는 초기에 $8V/{\mu}m$의 전계에서 $4.2{\mu}A/cm^2$의 전류에서 열 및 불산 처리 시 각각 $7.5mA/cm^2$$79mA/cm^2$로 향상되었다. 하지만 열 및 불산 처리를 동시에 실시한 경우 전류 밀도는 $426mA/cm^2$$656mA/cm^2$로 향상된 전자 방출 특성을 얻을 수 있었다. 전자 방출 특성은 처리 순서에 따라 증가하는 양이 다르게 나타났으며, 가장 우수한 전자 방출 특성은 열 처리를 먼저 시행 후, 불산 처리를 하는 공정에서 나타났다. 이는 열 처리에 의한 탄소나노튜브의 결정성의 증가와 이후 불산 처리에 의한 불소 결합의 증가에 기인함을 알 수 있었다. 강한 불소 결합은 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 특성의 향상에 크게 기여를 하였다.