• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.8
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• pp.7-15
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• 1994

In this paper, the directional coupler for Ku-band, which is designed is of the crossguide type with a coupling value of about 3-dB. The apertures chosen for this design are crosses. We used polynomial approximations of rounded end slot to obtain the electric and magnetic polarizability of crossed-slot and compared the results with Cohn's experimental results. The optimized dimensions and positions of the cross aperture are obtained by a trial-and-error reiteration of the program. This paper presents the measurement results for the designed coupler. The very flat coupling shows a total variation of only 29.80$\pm$0.04dB for the design frequency ranges of 12.25GHz-12.75GHz. The measured minimum directivity is 25dB. The aperture attenuation for the finite diaphragm thickness is about 2dB pr 0.5mm, which is in agreement with the theoretical value. The transmission loss and input return loss at center frequency are 0.0564dB and 48.16dB respectively. We obtained the measured minimum directivity of the coupler. Whose apertures are both circles is better than that containing holes in the performance of directivity.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.204-205
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• 2007

Self-seed 층을 이용한 PLZT(9/65/35), 강유전체 박막을 Sol-Gel 법을 이용해 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착한 후, Self-seed 층에 의한 PLZT(9/65/35) 박막의 구조적, 전기적 특성을 고찰하였다. Seed 층을 도입하지 않은 PLZT 박막의 경우 다결정 상으로 형성되는 것을 알 수 있었으며, seed 층을 도입한 PLZT 박막은 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었다. 증착된 PLZT(9/65/35) 박막의 유전율 및 유전손살은 10kHz에서 유전율 205, 유전손살 0.029 이었으며, Self-seed layer를 도입한 PLZT 박막의 경우 seed layer를 도입하지 않은 PLZT 박막보다 낮은 온도에서 결정화 되는 것을 관찰 할 수 있었다. Self-seed layer가 도입된 PLZT(9/65/35) 박막의 경우 잔류분극 ($P_r$) 값은 $9.1{\mu}C/cm^2$, 항전계($E_c$)는 47 kV/cm을 나타내었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.62 no.3
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• pp.269-273
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• 2024

The normal stress of TiO₂ ER fluid under an electric field showed negative values due to the electrostatic attraction force in the normal direction between particles and the absolute value increased dramatically with electric field strengths. The normal yield stress exhibited E² dependence similar to the dynamic yield stress, indicating that normal stress can be utilized for evaluating the ER effect. Numerical simulation demonstrated good qualitative agreement with the experimental data and suggested that the decrease in the absolute value of normal stress with increasing shear rates was attributed to the rearrangement of particle configurations under shear.

• Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
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• v.25 no.1
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• pp.13-23
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• 2015

The paper experimentally deals with the radial in-plane vibration characteristics of disk-shaped piezoelectric transducers. The radial in-plane motion, which is induced due to Poisson's ratio in the piezoelectric disk polarized in the thickness direction, was measured by using an in-plane laser vibrometer, and the natural frequencies were measured by using an impedance analyzer. The experimental results have been compared with theoretical predictions obtained by simplified theoretical and finite-element analyses. It appears that the fundamental mode of a piezoelectric disk transducer is a radial mode and its radial displacement distribution from the center to the perimeter is not monotonic but shows maximum slightly apart from the perimeter. The theoretically-calculated fundamental frequencies agree well with the finite-element results for small thickness-to-diameter ratio, and they are accurate within 7 % error for the ratio up to 0.4.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 2005.05a
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• pp.197-202
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• 2005

The electromagnetic signals associated with the seismic activity in the south-east offshore of Kii peninsula, Japan, were clearly recorded at the MT sites in Jeju island, Korea. In this research, we have identified the co-seismic electromagnetic signals associated with the seismic activity and have analyzed the characteristics of significant electromagnetic variations. The analysis of phase velocity, power spectral density, MT impedance and polarization direction shows that the significant earthquake signals have the frequency band of about 0.05 to 0.5 Hz and that the sources of electromagnetic field are local effects of passing seismic waves. The simple approximation using electrokinetic effect successfully explains the co-seismic EM signals coincides with measured data but cannot explain the localities of electromagnetic variations.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.35 no.8
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• pp.957-964
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• 2011

This investigation presents a finite element method to obtain the transmission properties of bulk elastic waves in piezoelectric band gap structures(phonon crystals) for varying frequencies and modes. To this end, periodic boundary conditions are imposed on a three-dimensional model while both in-plane and out-of-plane modes are included. In particular, the mode decoupling characteristics between in-plane and out-of-plane modes are identified for each electric poling direction and the results are incorporated in the finite element modeling. Through numerical simulations, the proposed modeling method was found to be a useful, effective one for analyzing the wave characteristics of various types of piezoelectric phononic band gap structures.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.33 no.11
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• pp.1292-1300
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• 1996

In-site X-ray diffraction measurements under electric field up to 20kV/ cm were carried out on PLZT (x/70/30) with x=7.5, 8.0, 8.5, and 10.5 All of PLZT belonged to cubic phases. At x=7.5, 8.0 and 8.5 PLZT behaved as an antiferroelectric under low electric fields up to 4-8 kV/cm. PLZT became ferroelectric at the higher electric fields. The high-temperature measurements on the dielectric constants of PLZT with x=7.5, 8.0 and 8.5 showed that they were similar to relaxor ferroelectrics and underwent a diffuse phase transition from antiferroelectrics to paraelectrics at 50-7$0^{\circ}C$. Their P-E hysteresis curves confirmed that they were antifer-roelectrics. The broad distribution of Curie points suggests that there is a significant disorder of cations and vacances in the crystal structure of those PLZT due to La-substitution. The variation of the lattice strain of PLZT(10.5/70/30) with electic field was very small and did not show any hysteresis confirming that it was paraelectric. The degree of the electric-induced strain variation decreased as La doping increased. In PLZT(7.5/70/30) the intensity of 110 reflection changes sensitively by applying electric field. Some domains with polarization parallel to [110] appeared to be developed in the field-induced ferroelectric phase of the PLZT.

• Membrane Journal
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• v.24 no.6
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• pp.453-462
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• 2014

Thin film composite (TFC) polyamide (PA) membranes were prepared on polyester (PET) nonwoven reinforced polysulfone supports for forward osmosis (FO) processes. PSF (polysulfone) supports were prepared via the phase inversion process from PSF casting solutions in dimethyl formamide (DMF) solvents (19 wt%) by using a PET nonwoven (thickness of $100{\mu}m$) as a mechanical reinforcing material for reverse osmosis (RO) membrane. The PSF support from 19 wt% of DMF/PSF casting solution showed sponge-like morphology and asymmetric internal structure. To reduce the internal concentration polarization in FO operation, thin ($20{\mu}m$ of thickness) nonwoven-supported PSF supports were prepared by using PSF/DMF casting solution (9~19 wt%). A desirable support structure with a highly porous sponge-like morphology were achieved from the thin nonwoven-supported PSF layer prepared with 9~12 wt% casting solution. A crosslinked aromatic polyamide layer was fabricated on top of each support to form a TFC PA membrane. The tested sample from 12 wt% of DMF/PSF casting solution presented outstanding FO performance, almost 5.5 times higher water flux (24.3 LMH) with low reverse salt flux (RDF, 1.5 GMH) compared to a thick nonwoven rainforced membrane (4.5 LMH of flux and 3.47 GMH of RSF). By reducing the thickness of the nonwoven and optimizing PSF concentration of casting solution, the morphology of the prepared membranes were changed from a dense structure to a porous sponge structure in the boundary area between nonwoven and PET support layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.280-280
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• 2007

$Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) 강유전체 박막은 높은 잔류 분극 (remanent polarization) 특성 때문에 현재 강유전체 메모리 (FeRAM) 소자에 적용하기 위하여 가장 활발히 연구되고 있다. 그런데 PZT 물질은 피로 (fatigue) 및 임프린트 (imprint) 등의 장시간 신뢰성 (long-term reliability) 특성이 취약한 단점을 가지고 있다. 이러한 신뢰성 문제를 해결할 수 있는 효과적인 방법 중의 하나는 $IrO_2$, $SrRuO_3$(SRO) 등의 산화물 전극을 사용하는 것이다. 많은 산화물 전극 중에서 SRO는 PZT와 비슷한 pseudo-perovskite 결정구조를 갖고 격자 상수도 비슷하여, PZT 커패시터의 강유전 특성 및 신뢰성을 향상시키는데 매우 효과적인 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구는 PZT 커패시터에 적용하기 위하여 SRO 박막을 증착하고 이의 전기적 특성 및 미세구조를 분석하고자 하였다. 또 실제로 SRO 박막을 상부전극과 PZT 사이의 버퍼 층 (buffer layer)으로 적용한 경우의 커패시터 특성도 평가하였다. 먼저 다결정 SRO 박막을 $SiO_2$/Si 기판 위에 DC 마그네트론 스퍼터링 법 (DC magnetron sputtering method)으로 증착하였다. 그 다음 이러한 SRO 박막의 미세구조, 결정성 및 전기적 특성이 증착 조건들의 변화에 따라서 어떤 경향성을 보이는지를 평가하였다. 기판 온도는 $350\;{\sim}\;650^{\circ}C$ 범위에서 변화시켰고, 증착 파워는 500 ~ 800 W 범위에서 변화시켰다. 또 Ar+$O_2$ 혼합 가스에서 산소의 혼합 비율을 20 ~ 50% 범위에서 변화시켰다. 이러한 실험 결과 SRO 박막의 전기적 특성 및 미세 구조는 기판의 증착 온도에 따라서 가장 민감하게 변함을 관찰할 수 있었다. 다른 증착 조건과 무관하게 $450^{\circ}C$ 이상의 온도에서 증착된 SRO 박막은 모두 주상정 구조 (columnar structure)를 형성하며 (110) 방향성을 강하게 나타내었다. 가장 낮은 전기 저항은 $550^{\circ}C$ 증착 온도에서 얻을 수 있었는데, 그 값은 약 $440\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ 이었다. SRO 버퍼 충을 적용하여 제작한 PZT 커패시터의 잔류 분극 (Pr) 값은 약 $30\;{\mu}C/cm^2$ 정도로 매우 높은 값을 나타내었고, 피로 손실 (fatigue loss)도 $1{\times}10^{11}$ 스위칭 사이클 후에 약 11% 정도로 매우 양호한 값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.151-152
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장 된 질화물 기반의 LEDs (light emitting diodes) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE) 에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 양자 우물구조를 GaN 의 m-plane (100) 이나 a-plane (110) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. 비극성 a-plane GaN 의 결정성과 표면 거칠기의 향상을 위해 경사각을 가지는 r-plane 사파이어를 기판으로 이용하는 연구들이 많이 진행되어 있다 [1-4]. 그러나 r-plane 사파이어 기판의 경사각과 표면의 pit 형성에 관한 상관관계의 체계적인 연구는 상대적으로 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 경사각을 가진 r-plane 사파이어 기판에 유기금속화학증착법을 (MOCVD) 이용하여 a-plane GaN 을 성장하였으며, 성장 시 기판의 경사각이 a-plane GaN의 성장 거동 및 표면형상에 미치는 영향을 분석하였다. 본 실험에서는r-plane에서 m-axis방향으로 0도에서 -0.65도의 경사각을 가지는 r-plane 사파이어 기판을 이용하였다. a-plane GaN 성장에는 고온 GaN 핵 형성층을 (nucleation layer) 이용하는 2단계 성장 법이 사용되었다 [5]. -0.37도 보다 크기가 큰 경사각을 가진 r-plane 사파이어에 성장된 a-plane GaN의 표면에는 수 ${\mu}m$ 크기의 삼각형 형태의 pit이 형성되었다. 사파이어의 경사각이 -0.37도에서 -0.65도로 증가하였을 경우에, GaN의 m방향 X-ray 록킹커브 반치폭은1763 arcsec에서 1515 arcsec로 감소하였으나 표면에 삼각형 pit의 밀도는 103 cm-2 이하에서 $2{\times}106$ cm-2으로 증가하였다. 이러한 r -plane 사파이어 기판의 경사각의 차이로 표면에 pit이 발생과 결정성변화의 원인을 확인하기 위해서, 여러가지 다른 경사각을 가진 사파이어 기판의 표면에 성장된 핵 형성층의 표면 양상을 확인하였다. 발표에서는 경사각의 차이에 따른 기판 표면에서의 원자 step 구조와 GaN 의 핵 형성 간의 상관관계에 대하여 구체적으로 논의할 것이다.