• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.5
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• pp.466-473
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• 2001

Ni-YSZ 음극의 미세구조와 임피던스특성에 미치는 YSZ 입자크기 및 소결온도의 영향을 고찰하였다. 0.3~0.6$\mu\textrm{m}$의 미세한 NiO 분말을 사용할 경우에는 NiO 분말과 크기가 비슷한 미세한 YSZ 분말(TZ8Y, 0.3$\mu\textrm{m}$)을 첨가했을 때 NiO의 입성장을 억제하는 효과가 가장 크고 환원후 Ni의 입자크기를 미세하게 유지할 수 있는 미세구조를 형성하였다. 또한 미세한 YSZ 분말 (TZ8Y, 0.3$\mu\textrm{m}$)과 조대한 YSZ 분말(FYT13.0, 2$\mu\textrm{m}$)의 혼합비를 달리하여 후막을 제조하였을 때에 TZ8Y 분말만 첨가한 조성이 가장 낮은 분극 저항을 나타내었다. 한편 소결온도는 삼상계면의 양과 분극저항에 영향을 주었으며, 140$0^{\circ}C$에서 소결한 시편의 분극저항이 가장 낮은 값을 나타내었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.975-980
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• 2000

스테인레스 스틸 기판 위에 Pb($Zr_{0.45}$ $Ti_{0.55}$) $O_3$후막을 졸-겔 스핀 코팅법으로 제조하였다. 스테인레스 스틸은 그 자체로 좋은 도체이지만 PZT 후막의 강유전 특성을 개선하고자 Ru $O_2$박막을 중간층 겸 하부전극으로 사용하였다. PZT 전구체 용액을 코팅하고 급속 열처리하였을 때 5$50^{\circ}C$ 이하에서 pyrochlore 상이 먼저 나타났고 이 transient 상은 61$0^{\circ}C$에서 모두 perovskite 상으로 변화하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리된 PZT 후막은 잔존하는 pyrochlore로 인해 걸어준 전기장에 무관하게 5-7$\mu$C/$ extrm{cm}^2$의 낮은 $P_{r}$값을 나타내었으나 61$0^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 시편들은 모두 25$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ 이상의 잔류분극을 가지고 있었다. 또한 Ru $O_2$중간층이 PZT의 강유전성에 미치는 영향을 조사하였을 때 잔류분극 값은 거의 영향을 받지 않았으나 항전계 값은 상당한 영향을 받았다. 즉 100nm 두께의 Ru $O_2$박막을 중간층으로 사용할 경우 중간층 없이 직접 스테인레스 스틸 위에 코팅할 때에 비해 항전계 값을 45% 가량 줄일 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.257-257
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• 2007

고밀도 FeRAM (Ferroe!ectric Random Access Memory) 소자를 개발하기 위해서는 강유전체 물질을 이용한 안정적인 스텍형의 커패시터 개발이 필수적이다. 특히 $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) 강유전체 물질을 이용하는 경우에는 낮은 열처리 온도에서도 균질하고 높은 값의 잔류 분극 값을 확보하는 것이 가장 중요한 과제 중의 하나이다. 불행히도, BLT 물질은 a-축으로는 약 $50\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 높은 잔류 분극 값을 갖지만, c-축 방향으로는 $4\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 낮은 잔류 분극 값을 나타내는 동의 강한 비등방성 특성을 보인다. 따라서 BLT 박막에서 각각 입자들의 크기 및 결정 방향성을 세밀하게 제어하는 것은 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 16 Mb의 1T/1C (1-transistor/1-capacitor) 형의 FeRAM 소자를 BLT 박막을 적용하여 제작하였다. 솔-젤 (sol-gel) 용액을 이용하여 스핀코팅법으로 BLT 박막을 증착하고, 후속 열처리 공정을 RTP (rapid thermal process) 공정을 이용하여 수행하였다. 커패시터의 하부 전극 및 상부 전극은 각각 Pt/IrOx/lr 및 Pt을 적용하였다. 반응성 이온 에칭 (RIE: reactive ion etching) 공정을 이용하여 커패시터를 형성시킨 후, 32k-array (unit capacitor: $0.68\;{\mu}m$) 패턴에서 측정한 스위칭 분극 (dP=P*-P^) 값은 약 $16\;{\mu}C/cm^2$ 정도이고, 웨이퍼 내에서의 균일도도 2.8% 정도로 매우 우수한 특성을 보였다. 그러나 단위 셀들의 특성을 평가하기 위하여 bit-line의 전압을 측정한 결과, 약 10% 정도의 커패시터에서 불량이 발생하였다. 그리고 이러한 불량 젤들은 매우 불규칙적으로 분포함을 확인할 수 있었다. 이러한 불량 원인을 파악하기 위하여 양호한 젤과 불량이 발생한 셀에서의 BLT 박막의 미세구조를 분석하였다. 양호한 셀의 BLT 박막 입자들은 불량한 셀에 비하여 작고 비교적 균일한 크기를 갖고 있었다. 이에 비하여 불량한 셀에서의 BLT 박막에는 과대 성장한 입자들이 존재하고 이에 따라서 입자 크기가 매우 불균질한 것으로 확인되었다. 또 이러한 과대 성장한 입자들은 거의 모두 c-축 배향성을 나타내었다. 이상의 실험 결과들로부터, BLT 박막을 이용하여 제작한 FeRAM 소자에서 발생하는 불규칙한 셀 불량의 주된 원인은 c-축 배향성을 갖는 과대 성장한 입자의 생성임을 알 수 있었다. 즉 BLT 박막을 이용하여 FeRAM 소자를 제작하는 경우, 균일한 크기의 입자 및 c-축 배향성의 입자 억제가 매우 중요한 기술적 요소임을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.7
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• pp.547-558
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• 1997

Pb(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3)O$_{3}$[PMN]-PbTiO$_{3}$[PT]계 고용체의 상경계조성(MPB)영역에 대해 La을 첨가하여 변성시킨 La변성 (1-x)PMN-xPT(x=0.35) 고용체를 만들어 온도-유전율 특성, 전계유기 분극특성 및 변위특성을 조사하였다. PMN-PT의 상경영역의 조성인 x=0.35에 대해 La함량을 0-10at%까지 변화시켰다. PMN-PT계 고용체에서 PT 의 함량이 증가함에 따라 전계유기변위 및 히스테리시스 특성이 모두 증가하였다. 전계유기변위 값 $\varepsilon$ 는 능면정과 정방정의 공존영역인 MPB(x=0.35)조성에서 가장 높은 값($\varepsilon$ = 2 x $10^{-3}$)을 보여 주었다. MPB조성에 대해 La을 첨가한 계의 전계유기변위를 조사한 결과 La의 첨가량이 적을 때 (La=0-5at%)는 La의 함량이 증가함에 따라 히스테리시스 특성이 감소하였고 $\varepsilon$ 은 증가하여 고성능의 액튜에이터 재료에 적합한 조성물로 기대된다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.29 no.8
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• pp.594-598
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• 2018

The tangential electric polarizability of a electrically small square patch, which is commonly used in metasurfaces, is calculated using electric potential continuity. Since the potential at the patch surface is not uniform due to the equivalent electric dipole located at the center, there is a problem in that the polarizability is not uniquely defined. To obtain equivalent polarizability, the meshes in the analysis area are divided on the patch surface, and the equivalent polarizability is calculated by averaging the polarizabilities obtained at each point. The results of the proposed method, third-power series approximation, and experimental equations are compared and verified. Finally, the magnitude and phase of the reflection coefficient of patch metasurface calculated by generalized sheet transition conditions(GSTCs) are in good agreement with the HFSS simulation results.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.17 no.1
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• pp.28-33
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• 2008

Lanthanum modified lead zirconate titanate ($Pb_{1.1}La_{0.08}Zr_{0.65}Ti_{0.35}O_3$) thin films were fabricated on indium doped tin oxide (ITO)-coated glass substrate by R.F magnetron sputtering method. The thin films were deposited at $500^{\circ}C$ and post-annealed with various temperature ($550-750^{\circ}C$) by rapid thermal annealing technique. The structure and morphology of the films were characterized with X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) respectively. The hysteresis loops and fatigue properties of thin films were measured by precision material analyzer. As the annealing temperature was increased, the remnant polarization value was increased from $10.6{\mu}C/cm^2$ to $31.4{\mu}C/cm^2$, and coercive field was reduced from 79.9 kV/cm to 60.9 kV/cm. As a result of polarization endurance analysis, the remnant polarization of PLZT thin films annealed at $700^{\circ}C$ was decreased 15% after $10^9$ switching cycles using 1MHz square wave form at ${\pm}5V$.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.58 no.3
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• pp.480-485
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• 2020

The extended Maxwell-Wagner polarization model is employed to describe the ER behavior of the conducting particle ER suspensions, and solutions to the equation of motion are obtained by dynamic simulation. The simulation results show the nonlinear ER behavior (Δτ∝Eⁿ, n≈1.5) of the conducting particle ER suspensions. The response point, where shear stress reaches steady-state, is the point where stable break-up and rebuild of the chain-like structure of particles reaches. Also, it shows the minimum of shear stress, which corresponds the start-up of random particle configuration. The shear stress reaches plateau as particle volume fraction increases.

• The Journal of Engineering Geology
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• v.18 no.4
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• pp.423-431
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• 2008

In general, water-saturated silt or clay alluvium is characterized with relatively low-resistivity. Thus we often encountered the problem that such a low-resistivity layer is misguided to be good aquifer of high-permeability and low-resistivity in the development of groundwater. This research was conducted with an emphasis on the identification of saturated silt or clay layer from the aquifer by performing the laboratory experiment of IP and resistivity methods on the various materials consisting of alluvium aquifer. Silt or clay layer is found to be characterized with the higher chargeability zone, compared to the sand layer. Regarding the mixture of sand and clay, the higher clay volume, the lower resistivity and the higher chargeability. Subsequently chargeability decreases.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.133.2-133.2
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• 2010

현재 융융탄산염 연료전지의 공기극으로 다공성의 lithiated NiO를 사용하고 있는데 이 재료의 경우 크게 두 가지의 문제점을 안고 있다. 첫 번째는 Ni이 전해질 내로 용해하는 것이고, 두 번째는 낮은 활성으로 인한 높은 공기극의 분극이다. Ni이 전해질로 용해되는 문제는 Co나 Fe를 코팅하여 공기극 표면에 $Li_x(Ni_yCo_{1-y})1-xO_2$나 $Li_x(Ni_yFe_{1-y})_{1-x}O_2$를 형성시켜 NiO의 전해질 내로 용해되는 것을 억제하는 방법이나 ZnO, MgO, $La_2O_3$ 등의 산화물을 NiO 표면에 코팅하여 전해질과 접촉을 막는 방식으로 해결하는 등 많은 연구가 이루어져 왔다. 하지만 연료극의 비해 상당히 높은 공기극의 분극으로 인해 큰 전압손실이 일어나 용융탄산염 연료전지 성능이 낮아지는 문제의 경우 이를 해결하고자 하는 연구는 상대적으로 많이 진행되지 못한 상태이다. 특히 현재 용융탄산염 연료전지의 장기수명화를 위해 기존의 작동온도인 $650^{\circ}C$ 보다 다소 낮은 온도인 $600{\sim}620^{\circ}C$에서 작동하려는 움직임이 있다. 작동 온도가 내려가면 전해질이 휘발되는 속도가 낮아져 전해질 부족에 따른 운전시간이 줄어드는 문제를 해결할 수 있어 장기 수명화를 위해서는 작동온도를 낮추는 것이 매우 유리하다. 하지만 작동 온도가 내려가면서 양 전극에서 일어나는 전기화학 반응 속도가 느려지기 때문에 각 전극에서의 활성화 분극으로 인한 전압손실은 더욱 커질 수밖에 없다. 특히 연료극의 수소산화반응 속도는 공기극의 산소환원반응에 비해 매우 빠르기 때문에 작동 온도가 내려감에 따라 연료극의 분극이 커지는 것에 비해 공기극의 분극이 급격히 커지게 된다. 따라서 운전온도가 낮아지는 상황에서는 낮은 작동온도에서도 성능감소가 적게 일어나 0.8V 이상 운전(150mA/$cm^2$, 단위전지 기준)이 가능한 공기극의 개발이 매우 필요한 실정이다. 이를 해결하고자 본 연구에서는 고체 산화물 연료전지의 공기극의 재료로 많이 연구되고 있는 혼합전도성 물질의 페로브스카이트 구조의 물질을 기존 NiO 전극에 코팅하여 새로운 공기극을 개발하였다. 페로브스카이트 구조의 물질로 대표적인 LSCF 물질을 사용하였으며 LSCF를 코팅한 공기극을 이용한 단위전지에서 150mA/$cm^2$의 전류를 흘려주었을 때 0.84V의 성능을 1000hr 유지하였다. 이는 기존의 NiO 전극을 사용했을 때보다 15~20mV 높은 값이다. 낮은 작동온도에서도 좋은 성능을 보였는데, 기존의 NiO 전극의 경우 $630^{\circ}C$에서 0.79V의 성능을 보인 반면 LSCF가 코팅된 공기극의 경우 $620^{\circ}C$에서 0.811V의 매우 좋은 성능을 보였다. 이는 LSCF의 산소이온전도성 및 전기전도성이 공기극에서의 분극을 낮추어 성능을 증가시키는 것으로 보인다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.166-173
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• 2001

Hysteresis loops of the ferroelectric thin films such as PLZT(10/30/70), PLT(10) and PZT(30/70) was simulated using the field-dependent polarization model and compared to the measured loops. In case of PZT(30/70) thin film, as the real saturation or polarization at the applied voltage or larger than 5V appears slack and its value is quite different from the simulated one, it is deduced that the ferroelectric polarization of PZT(30/70) is generated not only by the pure dipoles but also by various electric charges. The drain current of quasi-MFISFET is expressed by using the square-law FET and field-dependent polarization models. The modeling results are analogous to the experimental values. The channel of quasi-MFISFET using PZT(30/70) forms more quickly compared to that of quasi-MFISFET using PLZT(10/30/70) or PLT(10) in the state of 'write' gate voltage of -10V. This may be because the decrease rate of the polarization in the PZT(30/70) thin film is 3~4 times more rapid than that of the polarization in the PLZT(10/30/70) or the PLT(10) thin film in the retention characteristics.