• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.3 no.4
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• pp.35-38
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• 2009

Flat-panel x-ray detectors using a phosphor and photoconductor material have been used for application in various medical modalities. In this study, the monte carlo simulation, optical and x-ray response characteristics were investigated in the conversion structure obtained by a columnar CsI:Na scintillation layer with a photosensitive amorphous selenium layer. Firstly, from the measurement of luminescent spectrum of CsI:Na and absorption spectrum of a-Se layer, the signal conversion characteristics are analysed. And also, the x-ray sensitivity is measured and compared with conventional a-Se($500{\mu}m$) as a function of electrical field. From the experimental result, the x-ray sensitivities of the CsI:Na($180{\mu}m$)/a-Se($30{\mu}m$) detector and the a-Se($500{\mu}m$) detector were $7.31nC/mR-cm^{2}$ and $3.95nC/mR-cm^{2}$at an electric field of $10V/{\mu}m$, respectively.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.2
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• pp.146-150
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• 2002

1.55${\mu}{\textrm}{m}$ PnpN optical thyristor as a smart optical switch has potential applications in advanced optical communication systems. PnpP optical thyristors operating at 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ are proposed and fabricated for the first time. In the optical thyristors, we employ InGaAs/InP multiple quantum well (MQW) for the active n- and p-layers. The thyristors show sufficiently nonlinear s-shape I-V characteristics and spontaneous emission. In the OFF-state, the device has a high-impedance up to switching voltage of 4.03(V). On the other hand, it has low-impedance and emits spontaneous light as a light-emitting diode in the ON-state voltage of 1.77(V), and switching voltage is changed under several light input conditions. It can be used as a header processor in optical asynchronous transfer mode (ATM), as a hard limiter in optical code division multiple access (CDMA) and as a wavelength converter in optical WDM systems.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.47 no.2
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• pp.150-156
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• 2009

Plasma Display Panels(PDPs) require to have improved luminous efficiency, low manufacturing cost, and high image quality to compete with other flat display devices such as Liquid Crystal Displays(LCDs) and organic light-emitting diodes(OLEDs). In addition, the diversity of product line-up may be needed for high market share. In this paper, the optical characteristics of typical green phosphor for PDP application are reviewed and the problem-based solution will be proposed. We also shortly describe the principle of 3D-PDPs which are promising. Then, the requirement of green phosphor for 3D-PDP application is summarized and research achievement, as of now, is described. The typical problems of $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor, which is the most well-known, are the negatively charged surface property and the long decay time, which leads to unstable discharge in green cell and afterimage. These problems were solved by coating the phosphor surface with metallic oxide. It was found that $Al_2O_3$ would be the best material for $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor. It gives longevity as well as low operating voltage due to the charging effect in green cells. Also, new phosphors, $(Y,\;Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb$ and $(Mg,\;Zn)Al_2O_4:Mn$ phosphor are proposed for increasing the luminance and reducing the decay time, which are capable to apply for 3D-PDP application.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.7-12
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• 2004

탄화규소 전력반도체 소자는 실리콘 전력반도체 소자에 비해 우수한 물질특성을 갖고 있어 성능 측면에서 뿐 만 아니라 전력변환장비의 크기를 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 반도체 소자이다. 특히 unipolar 계열의 소자에서 괄목할 만한 특성을 보이고 있다. 현재 쇼트키 장벽 다이오드의 경우 5kV급, UMOSFET의 경우 3kV급의 소자까지 보고되고 있으며 반도체 물질 중에서 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 분야 중의 하나이다. 단결정성장 분야에서도 3인치 급이 상용화 되었으며 4인치 크기의 웨이퍼의 상용화가 조만간 실현될 것으로 기대되고 있다. 이러한 기술적 발전을 토대로 600V, 1200V급 쇼트키 다이오드가 PFC boost 용으로 시판되고 있으나 아직은 다른 반도체 소자에 비해 미미한 실정이다. 현재에는 $250^{\circ}C$까지의 온도영역에서 실리콘 SOI(Silicon on Insulator) 소자가 주로 사용되고 있다. 그러나 $300^{\circ}C$를 넘는 온도 영역에서는 실리콘으로는 한계가 있고, 특히 SOI는 전력소자에 적용하기는 한계가 있어 주로 저전력 고온소자가 필요한 부분에 적용이 되고 있다. 따라서 전력용에 적합한 고온소자로 탄화규소 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재의 추세로 보아 $200-300^{\circ}C$ 영역의 응용분야에서는 SOI와 탄화규소가 함께 적용될 것으로 예상되며, $300^{\circ}C$를 넘는 온도영역에서는 탄화규소 소자의 우월적 지위가 예상된다. 이러한 이유로 탄화규소 반도체소자의 응용 분야는 크게 확대될 것으로 예상되며 국가적 차원의 지원 및 육성이 요구되는 분야 중의 하나이다.t로 사용한 소자보다 발광 소광 현상이 적게 일어난 것에 기인하였다고 생각된다. 두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.25 no.3
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• pp.1-5
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• 2018

In this study, the effects of indium (In) doping in InGaN/GaN multi quantum well (MQW) on photoelectrochemical (PEC) properties were investigated. Each quantum well (QW) layer with controlled In content were grown on sapphire substrate. Before growth of MQW, GaN growth consisted of various stages in the following order: buffer GaN growth, undoped GaN growth, and Si-doped n-type GaN growth. Absorbance of InGaN/GaN MQW having different In composition was higher than that of the InGaN/GaN MQW having a constant In composition. It indicates that InGaN layer having different In composition absorbs light having a broad spectrum energy. These results are in agreement with those in photoluminescence (PL). After evaluation of PEC properties, it demonstrated that InGaN/GaN MQW having different In composition was improved InGaN/GaN MQW having constant In composition in PEC water splitting ability.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.6 s.336
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• pp.23-30
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• 2005

In this paper, OPPS(oxidized porous poly-silicon) field emitters were fabricated by using various emitter-electrode metal and these electron emission characteristics were investigated for different thermal annealing effects. The addressed OPPS field emitter with Pt/Ti emitter electrode annealed at $300^{\circ}C$-1hr showed the efficiency of $2.98\%$ at $V_{ps}$=12 V and one annealed at $350^{\circ}C$-1hr showed the highest efficiency of $3.37\%$at $V_{ps}$=16V. They are resulted from the improvement of interfacial contact characteristics of thin emitter metal to an oxidized porous poly-silicon and the decrease of electrical resistance of emitter metal. The brightness of the OPPS field emitter increases linearly in $V_{ps}$ and after oxidation process for $900^{\circ}C$-50min, the brightness of the OPPS field emitter with the as-deposited Pt/Ti emitter electrode was 3600 cd/$m^2$ at the $V_{ps}$=15 V, 6260 cd/$m^2$ at the $V_{ps}$=20 V. Thermal treatment improved the adhesion between the Ti buffer layer and the oxidized porous poly-silicon and also played an important role in the uniform distribution of electric field to the emitter electrode.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.244-245
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• 2010

최근 광전자 분야에서는 미래 에너지 자원에 대한 관심과 함께 GaN 기반 발광다이오드 및 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. GaN는 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도 등의 광전자 소자에 유리한 특성을 가지고 있으나, 고 인듐 함유량과 막질의 우수한 특성을 동시에 구현하는 것은 매우 어렵다. 이를 극복하기 위한 방법으로써 선택 영역 박막 성장법(Selective Area Growth)은 마스크 패터닝을 통해 제한된 영역에서만 박막을 성장하는 방법으로써 GaN의 막질을 향상 시킬 수 있는 방법으로 주목받고 있다. 본 논문에서는 대면적 기판에서 GaN의 막질 향상뿐만 아니라 고인듐 InGaN 박막 성장을 위하여 서브마이크로미터 주기와 크기를 갖는 홀 패턴을 포토리소그라피 공정 최적화를 통해 구현할 수 있는 방법에 대해 논의한다. 그림. 1은 사파이어 기판 위에 선택 영역 박막 성장법을 이용하여 성장한 n-GaN/활성층/p-GaN의 구조를 나타낸 그림이다. 이를 통하여 서브마이크로미터 스케일의 반극성 InGaN면 위에 높은 인듐 함유량을 가지면서도 우수한 특성을 갖는 박막을 얻을 수 있다. 본 실험을 위하여 사파이어 기판 위에 SiO2를 증착한 후 포토레지스트(AZ5206)을 도포하고 포토리소그라피 공정을 진행하여 2um 크기 및 간격을 갖는 패턴을 형성했다. 그림. 2는 AZ5206에 UV를 조사(5초)하고 현상(23초)한 패턴을 윗면(그림. 2(a))과 $45^{\circ}$ 기울인 면(그림. 2(b)) 에서 본 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다. 이를 통해 약 2.2um의 홀 패턴이 선명하게 형성 됨을 볼 수 있다. 그 후 수백나노 직경의 홀을 만들기 위해서 리플로우 공정을 수행한다. 그림. 3은 리플로우 온도에 따른 패턴의 홀 모양을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정한 표면의 사진이다. 이를 통해 2차원 평면에서 리플로우 온도 및 시간에 따른 변화를 볼 수 있다. 그림.3의 (a)는 리플로우 공정을 진행하기 전 패턴이고, (b)는 $150^{\circ}C$에서 2분, (c)는 $160^{\circ}C$에서 2분 (d)는 $170^{\circ}C$에서 2분 동안 리플로우 공정을 진행한 패턴이다. $150^{\circ}C$와 $160^{\circ}C$에서는 직경에 큰 변화가 없었고, $160^{\circ}C$에서는 시료별 현상 시간 오차에 따라 홀의 크기가 커지는 경향이 나타났다. 그러나 $170^{\circ}C$에서 2분간 리플로우 한 시료 (그림. 3(d))의 경우는 홀의 직경이 ~970nm 정도로 줄어든 것을 볼 수 있다. 홀의 크기를 보다 명확히 표현하기 위해 그림.3에 대응시켜 단면을 스캔한 그래프가 그림.4에 나타나 있다. 그림.4의 (a) 및 (b)의 경우 포토레지스트의 높이 및 간격이 일정하므로, 리플로우에 의한 영향은 거의 없었다. 그림. 4(c)의 경우 포토레지스트의 높이가 그림.4(a)에 비해 ~25nm 정도 낮은 것으로 볼 때, 과도 현상 및 약간의 리플로우가 나타났을 가능성이 크다. 그림. 4(d)에서는 ~970nm의 홀 크기가 나타나서 본 연구에서 목표로 하는 나노 홀 크기에 가장 가까워짐을 확인할 수 있었다. 따라서, $170^{\circ}C$ 이상의 온도와 2분 이상의 리플로우 시간 조건에서 선택 영역 성장을 위한 나노 홀 마스크의 크기를 제어할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.5
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• pp.352-357
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• 2009

The InAs multi-quantum dots (MQDs) solar cell and InGaAs multi-quantum wells (MQWs) solar cell to cover 1.1 eV and 1.3 eV were designed by 1D poisson, respectively. The MQDs and MQWs of 5, 10, 15 layers were grown by molecular beam epitaxy. The photo luminescence results showed that the 5 period stacked MQDs have the highest intensity at around 1.1 eV with 57.6 meV full width at half maximum (FWHM). Also we can observe 10 period stacked MQWs peak position which has highest intensity at 1.31 eV with 12.37 meV FWHM. The density and size of QDs were observed by reflection high energy electron diffraction pattern and atomic force microscope. Futhermore, AlGaAs/GaAs sandwiched tunnel junctions were modified according to the width of GaAs layer on p-type GaAs substrates. The structures with GaAs width of 30 nm and 50 nm have backward diode characteristics. In contrast, tunnel diode characteristics were observed in the 20 nm of that of sample.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.22 no.1
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• pp.37-44
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• 2013

In order to investigate an influence of carrier trap by quantum dots (QDs) on the solar parameters, in this study, the $p^+-QD-n/n^+$ solar cells with InAs/GaAs QD active layers are fabricated, and their characteristics are investigated and compared with those of a GaAs matrix solar cell (MSC). Two different types of QD structures, the Stranski-Krastanow (SK) QD and the quasi-monolayer (QML) QD, have been introduced for the QD solar cells, and the parameters (open-circuit voltage ($V_{OC}$), short-cirucuit current ($I_{SC}$), fill factor (FF), conversion efficiency (CE)) are determined from the current-voltage characteristic curves under a standard solar illumination (AM1.5). In SK-QSC, while FF of 80.0% is similar to that of MSC (80.3%), $V_{OC}$ and $J_{SC}$ are reduced by 0.03 V and $2.6mA/cm^2$, respectively. CE is lowered by 2.6% as results of reduced $V_{OC}$ and $J_{SC}$, which is due to a carrier trap into QDs. Though another alternative structure of QML-QD to be expected to relieve the carrier trap have been firstly tried for QSC in this study, it shows negative results contrary to our expectations.

• Journal of radiological science and technology
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• v.28 no.1
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• pp.1-7
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• 2005

High-quality single crystals of pure $Li_2B_4O_7$ as well as $Li_2B_4O_7$ doped with Cu, Mn and Mg impurities (1.0mol%, respectively) have been grown from the melt of $Li_2CO_3+2B_2O_3$ by Czochralski method in platinum crucibles. To study the thermoluminescent properties, $Li_2B_4O_7$ series single crystal TLDs were made by cutting in the size of $4{\times}5{\times}1\;mm^3$. The glow curves show two or three peaks which can be easily deconvoluted. It is observed that room temperature($20{\sim}30^{\circ}C$) fadings of the dosimetric peaks of $Li_2B_4O_7$ series single crystal TLDs were about 10 % for 30 days. The relative photon energy response for $Li_2B_4O_7$ series single crystal TLDs were about 85 % when the responses were normalized to that measured with $^{60}Co\;(1.25\;MeV)\;{\gamma}-rays$. The measured data are in a good agreement with theoretical ones. The $Li_2B_4O_7$ series single crystal TLDs fabricated in this work can be used for monitoring personal and environmental radioactivity.