• Title/Summary/Keyword: 반도체 IP

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Design of Small-Area MTP Memory Based on a BCD Process (BCD 공정 기반 저면적 MTP 설계)

  • Soonwoo Kwon;Li Longhua;Dohoon Kim;Panbong Ha;Younghee Kim
    • Journal of IKEEE
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    • v.28 no.1
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    • pp.78-89
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    • 2024
  • PMIC chips based on a BCD process used in automotive semiconductors require multi-time programmable (MTP) intellectual property (IP) that does not require additional masks to trim analog circuits. In this paper, MTP cell size was reduced by about 18.4% by using MTP cells using PMOS capacitors (PCAPs) instead of NMOS capacitors (NCAPs) in MTP cells, which are single poly EEPROM cells with two transistors and one MOS capacitor for small-area MTP IP design. In addition, from the perspective of MTP IP circuit design, the two-stage voltage shifter circuit is applied to the CG drive circuit and TG drive circuit of MTP IP design, and in order to reduce the area of the DC-DC converter circuit, the VPP (=7.75V), VNN (=-7.75V) and VNNL (=-2.5V) charge pump circuits using the charge pumping method are placed separately for each charge pump.

IT-SoC Fair 2006 결과보고

  • IT-SoC Association
    • IT SoC Magazine
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    • s.16
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    • pp.10-11
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    • 2006
  • 정보통신부가 주최하고 정보통신연구진흥원, IT-SoC협회, 한국전자통신연구원이 주관하는 ‘IT-SoC Fair 2006’이 지난 11월 1일~2일 양일간 COEX 인도양홀에서 개최되었다. 이 행사는 Fabless 반도체업체들이 중심이 되는 SoC(System on Chip)/IP(Silicon Intellectual Property)전문 전시회로 IT 핵심부품산업을 진흥하고자 하는 취지로 매년 개최되는 행사이다.

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Analysis of Real Data Transmission for SECS Protocol between CTC and System Unit in Semiconductor Sputter Process (반도체 스퍼터 공정에서 CTC와 단위기기의 SECS 프로토콜 적용으로 실시간 자료 전송 해석)

  • Jo, Sung-euy;Kim, Jeong-Ho
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2017.04a
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    • pp.567-570
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    • 2017
  • 산업공정에서 공정 정보처리의 극대화를 위하여 PLC, 로봇 등의 여러 프로그램식 단위제어기기가 네트워크로 연결되어 운영되고 있다. 대부분이 RS232C와 고유 장비의 전송절차에 의해 수행되어 왔지만, ISO 등에서는 반도체공정에 적용을 위한 SECS에 대한 프로토콜을 표준화하였다. 본 연구는 반도체 스퍼터 공정에 PLC, 로봇, 반송장치의 연결에 SECS-II를 적용하고, HSMS를 활용하여 TCP/IP와 Host를 연결하여 계층구조의 네트워크를 운영하였다. 전송 메세지 type을 stream과 function으로 나누어 송수신 확인과 데이터 전송절차를 설정하여 공정이 정상적으로 운영됨을 확인하였다.

A study of XML Data Structure for SEMI Equipment Communication (반도체 장비 간 통신을 위한 XML 데이터 구조에 관한 연구)

  • Hwang, Min-Jeong;Park, Jae-Hyun
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2001.11c
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    • pp.50-52
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    • 2001
  • 반도체 장비간 통신의 표준인 SECS(SEMI Equipment Communication Standard)는 반도체 제조 업체에서 많이 사용되고 있다. SECS-I의 단점을 보완하기 위해 제안된 HSMS (High-speed SECS Message Services)는, TCP/IP를 지원하고 SECS-I에 비해 통신 속도가 높다. 사용자는 HSMS를 이용하여 LAN을 통한 장비 제어 및 모니터링이 가능하게 되었다. 그러나, 네트워크의 확장에 대한 관심 고조로 기존의 제한된 영역의 네트워크 구성에 대한 변화가 필요하게 되었다. 또한 사용자가 항상 LAN의 범위 내에서 장비 모니터링 및 제어하기에는 위치적 제약이 많다. 그렇지만 HSMS는 Web을 통한 데이터 전송 요구를 수용하지 못하고 있다. 따라서 SECS-II message가 Web을 통해 전송될 수 있는 새로운 포맷이 필요하다. 본 논문에서는, 구조화된 데이터를 정의하기 유리한 마크업 언어인 XML을 이용하여, SECS-II message를 Web으로 전송할 수 있는 포맷을 정의하고 이를 구현한다.

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A Study on Point Defect Induced with Neutron Irradiation (중성자 조사에 의해 생성된 점결함 연구)

  • 김진현;이운섭;류근걸;김봉구;이병철;박상준
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.3 no.3
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    • pp.165-169
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    • 2002
  • Silicon wafer is very important accuracy make use semiconductor device substrate. In this research, for the uniformity dopant density distribution obtained to Neutron Transmutation Doping on make use Si in P Doping study work. In this research. we irradiated neutron on FZ silicon wafers which had high resistivity (1000~2000 ${\Omega}$cm), HANARO reactor was utilized resistivity changes due to observed, the generation of neutron irradiation on point defect analyzed, point defect on resistivity changes inquire into the effect. Before neutron irradiation theoretical due to calculated 5 ${\Omega}$-cm, 20.1 ${\Omega}$-cm for HTS hole and 5 ${\Omega}$-cm, 26.5 ${\Omega}$-cm, 32.5 ${\Omega}$-cm for IP3 hole. After neutron irradiation through SRP measurement the designed resistivities were approached, which were 2.1 H-cm for HTS-1, 7.21 ${\Omega}$-cm for HTS-2, 1.79 ${\Omega}$-cm for IP-1, 6.83 ${\Omega}$-cm for IP-2, 9.23 ${\Omega}$-cm for IP-3, respectively. Also after neutron irradiation resistivity changes due to thermal neutron dependent irradiation hole types free.

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Electrical Characteristics of Power Switching Sensor IC fabricated in Bipolar-CMOS-DMOS Process (BCD 프로세스를 이용한 파워 스위칭 센서 IC의 제작과 특성 연구)

  • Kim, Sunjung
    • Journal of IKEEE
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    • v.20 no.4
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    • pp.428-431
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    • 2016
  • Power semiconductor devices had been producted with bipolar only processes, but Bipolar-CMOS-DMOS(BCD) processes have been adapted recently to fabricate these devices since most foundry companies have provided BCD processes instead of Bipolar only processes. In this study, Regulator and OP Amp are used as most popular design IPs and BCD processes for the designing are converted from bipolar only processes. Power Switching Sensor(PSS) ICs are designed specifically and fabricated on a silicon chip. The operation results of the packaged chip show the good matching with test results of the simulation.

Development of the SECS Protocol between Equipments and a Host in a Semiconductor Process (반도체 제조 공정에서 장비와 호스트간 SECS 프로토콜 개발)

  • Kim, Dae-Won;Jeon, Jong-Man;Lee, Byong-Hoon;Kim, Hong-Seok;Lee, Ho-Gil
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2000.07d
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    • pp.2904-2906
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    • 2000
  • 본 논문에서는 반도체 제조 공정에서 장비와 호스트간에 통신을 할 수 있는 SECS(SEMI Equipment Communications Standard) 프로토를의 개발을 제안한다. SECS 프로토콜은 메시지 전송을 위한 헤더 부분을 정의하는 SECS-I 프로토콜과 메시지 내용을 정의하는 SECS-II 프로토콜로 나뉘어지는데, RS232 시리얼 통신을 하는 SECS-I 프로토콜 대신에 이더넷(ethernet)을 통해 TCP/IP 통신을 할 수 있는 HSMS 프로토콜을 구현하고자 한다. HSMS(High-speed SECS Message Services)프로토콜은 SECS-I과 마찬가지로 SECS-II 메시지 내용을 전송 할 수 있도록 10바이트 크기의 헤더로 정의된다. HSMS 프로토콜 통신은 TCP/IP를 기반으로 하기 때문에 SECS 메시지 전송을 위한 통신 선로를 설정하기 위해 소켓 API를 응용하고 항상 통신 대기상태를 유지하기 위해 데몬(daemon) 형태로 구성한다. 실제 메시지 내용을 정의하고 있는 SECS-II 프로토콜은 데이터 인덱스 테이블과 표준에 정의된 형식에 맞게 파일형태나 DLL(Dynamic Link Library)형태로 구성하고 프로세스 프로그램(process program)을 수행하기 위해 SECS 프로토콜 표준에서 정의하는 SML(SECS Message Language)형식으로 변환 할 수 있는 스크립트 변환기(script translator)를 구현한다. 또한 HSMS 프로토콜이 전송할 SECS-II 메시지를 저장하기 위한 파라미터를 정의하고 실제 통신을 위한 테스트 베드를 위한 응용 프로그램을 제작한다

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A Study on Automotive LED Business Strategy Based on IP-R&D : Focused on Flip-Chip CSP (Chip-Scale Packaging) (IP-R&D를 통한 자동차분야 LED사업전략에 관한 연구 : Flip-Chip을 채용한 CSP (Chip-Scale Packaging) 기술을 중심으로)

  • Ryu, Chang Han;Choi, Yong Kyu;Suh, Min Suk
    • Journal of the Semiconductor & Display Technology
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    • v.14 no.3
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    • pp.13-22
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    • 2015
  • LED (Light Emitting Diode) lighting is gaining more and more market penetration as one of the global warming countermeasures. LED is the next generation of fusion source composed of epi/chip/packaging of semiconductor process technology and optical/information/communication technology. LED has been applied to the existing industry areas, for example, automobiles, TVs, smartphones, laptops, refrigerators and street lamps. Therefore, LED makers have been striving to achieve the leading position in the global competition through development of core source technologies even before the promotion and adoption of LED technology as the next generation growth engine with eco-friendly characteristics. However, there has been a point of view on the cost compared to conventional lighting as a large obstacle to market penetration of LED. Therefore, companies are developing a Chip-Scale Packaging (CSP) LED technology to improve performance and reduce manufacturing costs. In this study, we perform patent analysis associated with Flip-Chip CSP LED and flow chart for promising technology forecasting. Based on our analysis, we select key patents and key patent players to derive the business strategy for the business success of Flip-Chip CSP PKG LED products.

A study on point defects induced with neutron irradiation in silicon wafer (중성자 조사에 의해 생성된 점결함 연구)

  • 김진현;이운섭;류근걸;김봉구;이병철;박상준
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.151-154
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    • 2002
  • 반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 중성자 변환 Doping, 즉 NTD(Neutron Transmutation Doping)란 원자번호 30인 실리콘 동위원소에 중성자가 조사되면 원자번호 31인 실리콘으로 변환되고, 2.6시간의 반감기를 갖고 decay 되면서 인(P)으로 변하게 되어 실리콘 웨이퍼에 n-type 전도를 갖게 하는 것을 말한다. 본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000-2000Ωcm) FZ 실리콘 웨이퍼 에 두 개의 조사공에서 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5Ωcm, 20.1Ωcm 이고 IP3조사공은 5Ωcm, 26.5Ωcm, 32.5Ωcm 이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10Ωcm, HTS-2 7.21Ωcm 이었고, IP-1은 1.79Ωcm, IP-2는 6.83Ωcm, 마지막으로 IP-3는 9.23Ωcm 이었다. DLTS 측정 결과 IP조사공에서 새로운 피의 결을 발견할 수 있었다.

Intelligent Fieldbus Master/slave Network Monitoring System (지능적 필드버스 Master/slave 네트워크 모니터링 시스템)

  • 조영임;심재홍
    • Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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    • 2004.04a
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    • pp.3-6
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    • 2004
  • 최근 반도체 물류자동화 시스템 또는 발전소, 제철소와 같은 대단위 프로세스 자동화 시스템등에서 센서 및 계측 단말기기로부터의 계측 데이터를 산업용 Ethernet/IP 또는 블루투스와 같은 상위네트워크를 통해 원격지에서 제어계측 할 수 있도록 하기 위한 필드버스 기반의 산업용 유무선 계측 시스템 기술의 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 Ethernet/IP라는 산업용 프로포콜 기반이 상용화될 경우 웹 환경에서 시스템에 독립적인 Master/slave간 지능적 모니터링 시스템의 개발은 매우 필요하다. 따라서 본 논문에서는 시스템 독립적으로 Master/slave 네트워크 모니터링 소프트웨어 및 통합 운영프로그램 개발하여 실시간으로 모니터링 할 수 있는 시스템을 개발하여 사용자들이 쉽게 사용할 수 있도록 하였다. 본 논문에서 구현한 환경은 윈도우 기반의 Java를 이용하였다.

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