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Electrical Characteristics of Power Switching Sensor IC fabricated in Bipolar-CMOS-DMOS Process

BCD 프로세스를 이용한 파워 스위칭 센서 IC의 제작과 특성 연구

  • Kim, Sunjung (SunnyIC Co., Ltd., Dept. of Electrical Engineering, Korea University)
  • Received : 2016.12.13
  • Accepted : 2016.12.27
  • Published : 2016.12.31

Abstract

Power semiconductor devices had been producted with bipolar only processes, but Bipolar-CMOS-DMOS(BCD) processes have been adapted recently to fabricate these devices since most foundry companies have provided BCD processes instead of Bipolar only processes. In this study, Regulator and OP Amp are used as most popular design IPs and BCD processes for the designing are converted from bipolar only processes. Power Switching Sensor(PSS) ICs are designed specifically and fabricated on a silicon chip. The operation results of the packaged chip show the good matching with test results of the simulation.

현재 바이폴러만의 프로세스(bipolar only process)로 사용되는 전력반도체는 대부분의 반도체 생산업체에서 제공하는 Bipolar-CMOS-DMOS(BCD) 프로세스를 사용함으로써 하나의 웨이퍼에 여러 IP와 기존 IC들을 융합하여 복합칩으로 구현하고자 한다. 이번 연구에서는 보편적으로 사용되는 IP인 레귤레이터(regulator)와 연산 증폭기를 바이폴러만의 프로세스에서 BCD 프로세스로 구현하였다. 이를 사용한 간단한 응용으로 파워 스위칭 센서 IC를 설계하여 실리콘 칩에서 검증하였다. 검증 결과로 시뮬레이션과 작동 테스트가 잘 일치하고 있음을 확인할 수 있었다.

Keywords

References

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