In this paper, semiconducting shield specimens for a DC cable os fabricated and characterized by measurement of volume resistance, tensile strength, and the coefficient of expansion to show the electrical and mechanical characteristics of the semiconducting shield. Due to the PTC phenomenon, the volume resistance at $25^{\circ}C$ increases rapidly in comparison to the volume resistance at $90^{\circ}C$. Since the compounding ration of carbon black is low, the tensile strength and density become lower and the coefficient of expansion is increased. As the general specification of the tensile strength and density is $0.8kgf/mm^2$ and 150%, respectively, the fabricated specimen in this paper has excellent mechanical characteristic.
본 논문에서는 차세대 전력반도체인 화합물 반도체 소자중 ZnO 전력소자에 대하여 모델링을 수행하였다. 화합물 전력 반도체 소자는 와이드 밴드 갭 소자로서 열 특성이 우수해 자동차 및 계통연계형 인버터의 차세대 핵심소자로 인정받고 있다. 모델링 결과 에피 두께가 3um, 도핑농도는 $1e17cm^{-3}$일때 내압 340V 정도 얻을 수 있었으며, 관련 I-V특성 등을 평가하였다. 실제 소자로 제작된다면 300V이내의 산업 응용에 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다
In this paper, we have investigated thermal properties by changing the content of carbon nanotube, which is component part of semiconductive shield in underground power transmission cable. Heat capacity (${\Delta}H$), glass transition temperature (Tg) and melting temperature (Tm) were measured with the samples of eight, through DSC (Differential Scanning Calorimetry), and the measurement ranges of temperature selected from $-100[^{\circ}C]\;to\;100[^{\circ}C]$ with heating temperature selected per $4[^{\circ}C/min]$ Also, high temperature, heat degradation initiation temperature, and heat weight loss were measured by TGA (Thermogravimetric Analysis) in the temperature from $0[^{\circ}C]\;to\;700[^{\circ}C]$ with rising temperature of $10[^{\circ}C/min]$. As a result, the Glass transition temperatures of the sample were showed near $-20[^{\circ}C]{\sim}25[^{\circ}C]$, and the heat capacity and melting temperature from the DSC was increased according to increasing the content of carbon nanotube, while, thermal diffusivity was increased according to increasing the content of carbon nanotube. Also, heat degradation initiation temperature from the TGA results was increasing according to increasing the content of carbon nanotube with CNT/EEA. Therefore, heat stabilities of EVA, which contained the we VA (vinyl acetate), showed the lowest.
$YBa_2Cu_3O_{7-x}$ thin films were fabricated by the spin-coating method on $SiO_2$/Si substrate using an alkoxide-based sol-gel method. The structural and electrical properties were investigated for various 1st annealing temperature. Due to the formation of the polycrystalline single phase, synthesis temperature was observed at around $720^{\circ}C-800^{\circ}C$. $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ thin films with the 1st annealing temperature of $450^{\circ}C{\sim}500^{\circ}C$ showed the single XRD patterns without the second phase, such as $YBa_2Cu_4O_8$. The thickness of films was approximately $0.23{\mu}m{\sim}0.27{\mu}m$. Aerage grain size, resistance and temperature coefficient of resistance (TCR) of $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ thin films with the 1st annealing temperature of $500^{\circ}C$ were $0.27{\mu}m$, $59.7M{\Omega}$ and -3.7 %/K, respecvitely.
본 논문에서는 비디오 데이터에서 확신도 추론을 이용하여 급진적인 화면변환과 점진적인 화면변환을 동시에 검출하는 새로운 방법을 제안한다. 제안된 방법에서 급진적인 화면변환은 컷을 의미하고, 점진적인 화면변환은 페이드 인, 페이드 아웃, 디졸브, 수평 와이프, 수직 와이프, 반도어(Barn Doors), 아이리스 라운드(Iris Round)를 의미한다. 먼저, 각 화면변환을 대표하는 특징을 추출한 후 확신도를 이용하여 특징들을 효과적으로 통합하면서 발생한 화면변환을 추출한다. 실험결과에서는 제안된 방법이 기존의 방법에 비해 여러 가지 종류의 화면변환을 보다 정확하게 추출함을 다양한 비디오 데이터를 이용한 실험을 통해 보여준다.
Deep learning models such as convolutional neural networks and recurrent neual networks process a huge amounts of data, so they require a lot of storage and consume a lot of time and power due to memory access. Recently, research is being conducted to reduce memory usage and access by compressing data using the feature that many of deep learning data are highly sparse and localized. In this paper, we propose a compression-decompression method of storing only the non-zero data and the location information of the non-zero data excluding zero data. In order to make the location information of non-zero data, the matrix data is divided into sections uniformly. And whether there is non-zero data in the corresponding section is indicated. In this case, section division is not executed only once, but repeatedly executed, and location information is stored in each step. Therefore, it can be properly compressed according to the ratio and distribution of zero data. In addition, we propose a hardware structure that enables compression and decompression without complex operations. It was designed and verified with Verilog, and it was confirmed that it can be used in hardware deep learning accelerators.
In this paper, the fault current limiting operations of three-phase transformer type superconducting fault current limiter (SFCL) using double quench, which consisted of E-I iron core with three legs wound by primary and secondary windings and two superconducting modules (SCMs), were analyzed according to three-phase ground fault types. To verify the effective operation of the three-phase transformer type SFCL using double quench, the test circuit for three-phase ground faults was constructed, and the fault current tests were carried out. Through analysis on the fault current test results, the different fault current limiting characteristics of three-phase transformer type SFCL using double quench from three-phase transformer type SFCL using three SCMs were discussed.
The fault current limiting characteristics of three-phase transformer type superconducting fault current limiter (SFCL), which consisted of three-phase primary and secondary windings wound on E-I iron core, one high-TC superconducting (HTSC) element connected with the secondary winding of one phase and another HTSC element connected in parallel with other two secondary windings of two phases, were analyzed. Unlike other three-phase transformer type SFCLs with three HTSC elements, three-phase transformer type SFCL using double quench has the merit to perform fault current limiting operation for three-phase ground faults with two HTSC elements. To verify its proper three-phase ground fault current limiting operation, three-phase ground faults such as single-line ground, double-line ground and triple-line ground faults were generated in three-phase simulated power system installed with three-phase transformer type SFCL using double quench. From analysis of its fault current limiting characteristics based on tested results, three-phase transformer type SFCL using double quench was shown to be effectively operated for all three-phase ground faults.
본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 $HfO_2$ 박막을 제작하고, 질소 분위기에서 급속 열처리 온도에 따른 $HfO_2$ 박막의 구조적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 열처리 유무에 상관없이 $HfO_2$ 박막은 다결정 구조를 가짐을 확인할 수 있었고, 열처리 온도가 증가함에 따라 반가폭은 감소하는 추세를 나타내었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, $600^{\circ}C$ 에서 열처리한 박막의 표면 거칠기가 3.454 nm 로 가장 작은 값을 나타내었다. 모든 $HfO_2$ 박막들은 가시광 영역에서 약 80% 정도의 투과도를 나타내었다. 또한 투과도와 반사도로부터 구한 굴절률과 셀마이어 분산 관계로부터, 파장에 따른 $HfO_2$ 의 굴절률을 예측할 수 있었다. $600^{\circ}C$ 에서 열처리 한 $HfO_2$ 박막이 2.0223 (${\lambda}=632nm$) 의 높은 굴절률과 0.963 의 높은 우수한 충진율을 나타내었다.
본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 ITO 박막을 $Nb_2O_5(8nm)/SiO_2(45nm)$ 버퍼층위에 증착하여, DC 파워(100~400 W) 변화에 따른 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. ITO 박막의 표면을 AFM으로 관찰한 결과, 모든 박막이 핀홀이나 크랙 같은 결함이 없는 표면을 가지며, DC 파워 200 W에서 증착한 박막이 1.431 nm의 가장 작은 표면 거칠기를 나타내었다. 전기적 및 광학적 특성 측정 결과, DC 파워 200 W에서 증착한 ITO 박막이 $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$의 가장 낮은 비저항 값을 보였고 가시광 영역(400~800 nm) 에서의 평균 투과도와 파장 550 nm에서의 투과도는 각각 85.8% 와 87.1%로 조사되었고 색도(b*) 값도 2.13 으로 비교적 우수한 값을 나타내었다. ITO 박막의 면저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도 및 파장 550 nm 에서의 투과도를 이용하여 구한 재료평가지수는 DC 파워 200 W일 때 각각 $2.50{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$과 $2.90{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$의 가장 우수한 값을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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