• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권1호
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• pp.30-36
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• 2001

본 논문에서는 전자선 묘화 방법을 이용하여 게이트 길이가 0.35 ㎛인 AlGaAs/InGaAs PHEMT를 제작하였다. 다른 게이트 폭과 게이트 핑거 수를 갖도록 제작된 PHEMT의 DC 및 AC 특성은 여러 가지의 바이어스 조건에서 측정하였다. 또한, 제작된 PHEMT와 수동 소자의 라이브러리를 이용하여 35 GHz에서 동작 가능한 MIMIC 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 MIMIC 전력증폭기는 27.6 GHz에서 7.9㏈의 이득과 -15 ㏈의 입력 반사 계수를 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권4B호
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• pp.365-371
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• 2002

본 논문에서는 전자선 묘화 장비를 이용하여 게이트 길이가 0.2 $\mu\textrm{m}$ 이하인 밀리미터파용 전력 PHEMT 소자를 제작하고 DC 특성과 주파수 특성 그리고 전력 특성을 측정하고 분석하였다. PHEMT의 제작에 사용된 단위공정은 저 저항 오믹 접촉, 에어 브릿지 및 후면 가공 공정기술 등을 이용하였다. 제작된 전력용 PHEMT는 35 GHz의 중심주파수에서 4 dB의 S21 이득과 317 mS/mm의 최대 전달컨덕턴스 그리고 62 GHz의 차단주파수와 12G GHz의 최대 공진주파수를 나타내었다. 또한 측정된 전력 특성은 35.5 %의 드레인 효율과 16 dB의 최대 출력전력 그리고 4 dB의 전력 이득을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권11호
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• pp.8-12
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• 2008

AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 Nd:$YVO_4$ laser를 사용하여 ITO 전극 패턴을 하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 끝 부분에 shoulder와 물결무늬가 형성되었다. shoulder와 물결무늬의 제거를 위해서 laser의 펄스반복율과 스캔 속도에 변화를 주었다. 또한 shoulder와 물결무늬를 갖는 ITO 전극이 PDP에 주는 영향을 알아보기 위해서 방전특성분석을 하였다. 실험결과 40 kHz와 500 mm/s를 기본 조건으로 결정하였다. 본 실험을 통하여 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.976-979
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• 2002

A focusing grating coupler (FGC) was not fabricated by the 'Continuous Path Control' writing strategy but by an electron-beam lithography system of more general exposure mode, which matches not only the address grid with the grating period but also an integer multiple of the address grid resolution (5 nm), To more simplify the fabrication, we are able to reduce a process step without large decrease of pattern quality by excluding a conducting material or layer such as metal (Al, Cr, Au), which are deposited on top or bottom of an e-beam resist to prevent charge build-up during e-beam exposure. A grating pitch period and an aperture feature size of the FGC designed and fabricated by e-beam lithography and reactive ion etching were ranged over 384.3 nm to 448.2 nm, and $0.5{\times}0.5mm^2$ area, respectively, This fabrication method presented will reduce processing time and improve the grating quality by means of a consideration of the address grid resolpution, grating direction, pitch size and shapes when exposing. Here our investigations concentrate on the design and efficient fabrication results of the FGC for coupling from slab waveguide to a spot in free space.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.23-30
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• 1999

본 논문에서는 전자선 직접 묘화 시스템을 이용하여 50 nm 이하의 패턴 폭을 가지는 패터닝 결과를 얻기 위한 실험을 수행하였다. SAL601 negative E-beam PR(Photo Resist)를 이용하여 실험을 진행하였고, E-beam 장비의 특성을 최대로 이용하기 위해서 PR의 두께를 100nm로 줄이고, field 크기를 200 ${um}m$로 줄여 실험하였으며, 또한 SAL601 PR의 경우 작은 선폭을 얻기 위해 중요한 요인 중에 하나인 PEB (Post Expose Bake) 온도와 시간을 줄이면서 실험을 진행하였다. 여기에 디지타이징 방식의 최적화를 통하여 50 nm 이하의 패턴 폭을 가지는 단선 패터닝 결과를 얻었다. 이 공정을 이용하여 단전자 메모리 소자에 응용 가능한 50 nm 급의 silicon 양자선과 silicon 양자점을 제작하였다. 이는 현재 많이 연구되고 있는 단전자 기억소자 및 국소 채널 MOS소자 제작에 유용할 것이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.95-104
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• 1989

본 논문은 3차원적 분할공간 환경에서 종래의 음영검사법과 Crow의 음영입체법을 상황에 따라 우리하도록 선택하는 혼합음영검사법을 소개하고 파라메타화를 통하여 그 선택의 최적화를 꾀하였다. 추가적인 선행계산시간이 소요됨에도 불구하고 제안된 혼합음영검사법은 여러가지 예제화면들에 재하여 종래의 방법에 비하여 음영계산시간에 있어서는 50%, 전체묘화시간에 있어서는 30%정도씩의 CPU시간단축효과를 보였다. 그 원인은 음영검사의 선택적 사용을 통하여 그림자영역의 일관성(coherency)을 이용한데에 있다. 연속되는 두 반사점사이에 존재하는 음영다각형의 갯수를 나타내는 $N_{th}$라는 파라메타가 음영검사의 효과적 선택을 위한 지표가 되며, 묘화환경의 통계적 수치로부터 이 값을 알아내는 방법이 제안되고 실험적 결과와 비교된다.

• 한국측량학회지
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• 제38권6호
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• pp.533-542
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• 2020

본 연구는 지하시설물 중 상수도 부문을 대상으로 국제표준을 준용한 공간 데이터 모델의 논리적 모델을 제시한다. 이를 위하여 국내·외 관련 표준 및 선행연구, 기 구축된 지하시설물통합체계 및 지하공간통합지도에 대한 현황 검토를 수행한다. 이후 선행연구 고찰 및 현황 검토를 통해 도출된 문제점 및 이슈를 토대로 상수도 부문 지하시설물 데이터 모델의 개념적 설계 방향을 마련한다. 설계 방향에 따라 상수도 부문 지하시설물 용어 및 분류 체계 정의, 객체 간의 위상 관계 등을 정의하고, UML (Unified Modeling Language)다이어그램을 이용하여 국제표준으로 제정된 ISO, OGC 등의 준거 모델에 해당하는 표준들을 참조하여 국내 지하 공간 환경에 적합한 새로운 형태의 참조 모델을 마련한다. 다음으로 상수도 부문 지하 공간 데이터 모델의 개념적 설계를 위해서 상수도 분류 체계에 따라 지하시설물 구축에 필요한 모든 데이터에 작명 기준을 규정하고, 그 기준에 따라 표준 항목 명칭을 부여한다. 또한 UML 다이어그램을 활용하여 논리적 모델을 묘화 및 기술한다. 해당 결과물을 토대로 지하시설물 데이터와 관련된 정확도를 제고할 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.18-24
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• 2002

본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/㎜의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 ㎓에서 2.91 ㏈의 S/sub 21/ 이득과 11.42 ㏈의 MAG를 얻었으며, 전 이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 ㎓와 150 ㎓였다.