• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.82-82
• /
• 2010

유기 쌍안정성 소자는 비휘발성 기억 소자 중에서 구조가 간단하고 제작비용이 저렴하며 유연성을 가지기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 현재 유기물/무기물 나노복합소재를 사용하여 소자 성능 향상이 기억소자의 성능 향상을 위하여 여러 가지 유기물/무기물 나노복합소재를 사용하여 제작한 유기 쌍안정성 소자가 유연성을 가진 비휘발성 기억소자로 대두되고 있다. 본 연구에서는 ZnO 나노입자를 포함한 PMMA 복합층을 사용하여 제작한 유기 쌍안정성 기억소자를 제작하여 메모리 특성을 조사하였다. 이와 더불어 활성층에 효과적인 전하주입을 위하여 전극과 PMMA/ZnO 층 사이에 $C_{60}$ 층을 삽입한 구조를 가진 메모리 소자의 성능 향상에 대하여 연구하였다. Indium tin oxide 가 증착된 유리 기판위에 $C_{60}$ 층을 스핀코팅 방법으로 적층하였다. 1 wt% ZnO 나노입자와 1 wt% PMMA를 혼합하여 스핀코팅 방법으로 $C_{60}$ 층 위에 박막을 형성하였다. 그리고, 전극으로 Al을 열증착으로 형성하였다. $C_{60}$ 층이 있는 유기 쌍안정성 기억 소자와 $C_{60}$ 층이 없는 두 가지의 소자에 대하여 전류-전압 (I-V) 특성을 측정하여 각각의 소자에서의 전류 히스테리시스 현상이 발생하는 원인을 규명하였다. I-V 특성 결과와 전자적 구조를 사용하여 유기 쌍안정성 소자에서의 쓰기, 지우기 및 읽기 동작에 대한 과정을 설명하였다. 두 소자의 I-V 특성을 비교하므로 $C_{60}$ 층을 사용하여 유기 쌍안정성 소자의 성능이 향상됨을 알 수 있었다. 또한 $C_{60}$ 층을 사용하여 제작된 유기 쌍안정성 소자의 성능이 향상된 원인을 규명하였다.

• Journal of Convergence for Information Technology
• /
• v.8 no.5
• /
• pp.77-83
• /
• 2018

A modular robot that memorizes motion can be easily created and operated because it expresses by hand. However, since there is not enough storage space in the module to store the user-created operation, it is impossible to reuse the created operation, and when the modular robot again memorizes the operation, it changes to another operation. There is no main controller capable of operating a plurality of modular robots at the same time, and thus there is a disadvantage that the user must input directly to the modular robot. To overcome these disadvantages, a remote controller has been proposed that can be operated in the surrounding smart devices by designing web server and component based software using wired and wireless network. In the proposed method, various types of structures are created by connecting to a modular robot, and the reconstructed operation is performed again after storing, and the usefulness is confirmed by regenerating the stored operation effectively. In addition, the reliability of the downloaded trajectory data is verified by analyzing the difference between the trajectory data and the actual trajectory. In the future, the trajectory stored in the remote controller will be standardized using the artificial intelligence technique, so that the operation of the modular robot will be easily implemented.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
• /
• v.26 no.2
• /
• pp.147-152
• /
• 2016

Shape Memory Alloys (SMAs) undergo changes in shape and hardness when heated or cooled, and do so with great force. Since wire-type SMAs contract in length when heated and pull with a surprisingly large force and move silently, they can be used as actuactors which replace motors. These SMA actuators can be heated directly with electricity and can be used to create a wide range of motions. This paper presents the mechanical design and control for a three fingered, six degree-of-freedom robotic hand actuated by SMA actuators. Each finger has two joints and each joint is actuated with two tendons in the antagonistic manner. In order to create the sufficient force to make the smooth motion, the tendon is composed of two SMA actuators in parallel. For controlling the current to heat the SMA actuators, PWM drivers are used. In experiments, the antagonistic interaction of fingers are evaluated.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
• /
• v.14 no.2
• /
• pp.10-16
• /
• 1977

Memory switching of the amorphous chalcogenide Ge-Te-Si memory devices were observed at various thicknesses and temperatures. For a given thickness, the distribution of threshold voltages shows a strong peaks, which is attributed to the intrinsic switching mechanism. The plot of Vth versus thickness indicates that threshold voltages were lowered and switching fields were raised as thickness was decreased. And threshold voltage sagged as temperature was raised and the fact that threshold voltage can be lowered at the temperature range under Tg was obtained.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
• /
• 2024.01a
• /
• pp.229-230
• /
• 2024

본 논문에서는 키넥트 센서 기반의 치매 예방 애플리케이션을 설계하고 구현한다. 이 애플리케이션은 노년층의 치매 예방을 위해 기억력을 향상시키고 간단한 동작으로 운동을 촉진할 수 있는 햄버거 만들기 게임을 구현한다. 햄버거 만들기 게임은 키넥트 센서 기반으로 조인트와 스켈레톤 기능을 활용하여 하늘에서 떨어지는 재료들을 순서에 맞게 획득하여 햄버거를 완성함으로써 점수를 얻는다. 사용자들은 제한 시간이 끝날 때까지 계속 진행하며 순서를 기억해 내는 과정을 통해 기억력을 향상시키고, 재료를 잡기 위한 활동적인 움직임으로 치매 예방에 도움이 되는 운동 기능을 제공한다.

• Annual Conference on Human and Language Technology
• /
• 2021.10a
• /
• pp.215-220
• /
• 2021

다중 도메인에 대해 답변 생성 모델이 동작 가능하도록 하는 가장 쉬운 방법은 모든 도메인의 데이터를 순서와 상관없이 한번에 학습하는 것이다. 하지만 이경우, 발화에 상관 없이 지나치게 일반적인 답변을 생성하는 문제가 발생한다. 이에 반해, 도메인을 분리하여 도메인을 순차적으로 학습할 경우 일반적인 답변 생성 문제를 해결할 수 있다. 하지만 이경우 새로운 도메인의 데이터를 학습할 때, 기존에 학습한 도메인에 대한 성능이 저하되는 파괴적 망각 현상이 발생한다. 파괴적 망각 현상을 해결하기 위하여 다양한 지속학습기법이 제안되었으며, 그 중 메모리 리플레이 방법은 새로운 도메인 학습시 기존 도메인의 데이터를 함께 학습하는 방법으로 파괴적 망각 현상을 해결하고자 하였다. 본 논문에서는, 사람의 기억 시스템에 대한 모형인 앳킨슨-쉬프린 기억 모형에서 착안하여 사람이 기억을 저장하는것과 유사한 방법으로 메모리 리플레이 방법의 메모리 관리방법을 제안하였고, 해당 메모리 관리법을 활용하는 메모리 리플레이 방법을 통해 답변 생성 모델의 파괴적 망각 현상을 줄이고자 하였다. 다중 도메인 답변 생성에 대한 데이터셋인 MultiWoZ-2.0를 사용하여 제안 모델을 학습 및 평가하였고, 제안 모델이 다중 도메인 답변 생성 모델의 파괴적 망각 현상을 감소시킴을 확인하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.1
• /
• pp.28-33
• /
• 1993

Short channel 비휘발성 SNOSFET EEPROM 기억소자를 CMOS 1 Mbit 설계규칙에 따라 제작하고 특성과 응용을 조사하였다. 논리 어레이를 실현하기 위한 SNOSFET는 4단자와 2단자 비휘발성 메모리 셀로 구성하고 이에 대한 기록과 소거 특성을 조사하였다. 결과적으로 4단자 소자와 2단자 소자의 메모리 윈도우는 각각 기록과 소거에 의하여 "1"상태와 "0"상태로 동작되는 저전도 상태와 거전도 상태를 나타냈다. 4단자 2 x 2 메트릭스 어레이는 양극성으로 동작하였으며 2단자 2 x 2 메트릭스 어레이는 단극성으로 동작하였다.릭스 어레이는 단극성으로 동작하였다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.17 no.5
• /
• pp.529-538
• /
• 1992

Recently, image signal processing techniques for HDTV signal have been drastically developed. This kind of skill improvement on signal processing need specific memory device for video signal. in this paper, data latch scheme which implements CMOS flip-flop to hold Information from in-put strobe and new reading method is devised to attain a proper access time suitable for HDTY signal. Compared with conventional write scheme, data latch method has two procedures to complete write operation : bit line write and storage cell write, enabling concurrent I /0 operation at the same address. Also, fast read access is possible through the method similar to static column mode and the separated read word line.

• Journal of Korea Game Society
• /
• v.14 no.1
• /
• pp.49-58
• /
• 2014

We have developed a serious game for the elderly named 'Paldokangsan3' as a next version of 'Paldokangsan2' which was a walking game with memorization in shopping streets using controllers of hand buttons and foot boards with PC developed in 2012. The interface of had buttons and food boards were changed into the interface of motion capture with the aid of Kinect. The expected effects are improvement of memorization, improvement of concentration ability to find out items in the vision, improvement of vitality through physical walking actions, as well as improvement of mental health through entertainment activities of game play. We have tested 25 volunteers of more than 65 years old in Cheonan city community center for the elderly for 2 weeks. We got the result that the game play was showing positive effectiveness on memorization, physical exercise and self-esteem in mental health area of the elderly.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.21 no.1
• /
• pp.53-60
• /
• 2010

This paper presents a novel gain control system composed of a feedback circuit, Two stage Low Noise Amplifier (LNA) using 0.18 um CMOS technology for 5.2 GHz. The feedback circuit consists of the seven function blocks: peak detector, comparator, ADC, IVE(Initial Voltage Elimination) circuit, switch, storage, and current controller. We focus on detecting signal and designing storage circuit that store the previous state. The power consumption of the feedback circuit in the system can be reduced without sacrificing the gain by inserting the storage circuit. The adaptive front-end system with the feedback circuit exhibits 11.39~22.74 dB gain, and has excellent noise performance at high gain mode. Variable gain LNA consumes 5.68~6.75 mW from a 1.8 V supply voltage.