• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.11 no.2
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• pp.5-11
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• 1974

Theoretical analysis is carried out for the beat frequency generation phenomena in the IMPATT diodes an4 the experimental studies are given in parrallel. The theory is based on the space charge modulation effect introduced to the multiplication process by the input signal. Computed results show that the beat frequency output power is linearly dependent upon the signal power and self oscillating power. Also the strong dependence of the output power with respect to the diode negative resistance is found and it turns out that the larger the negative resistance, the stronger the beat frequency output power. Experimental results show a good agreement with the theoretical values. Calculated conversion gain is about -0.4[db] at 10[GHz] and the experimental value shows -6.2[db] below this value. This difference between the theoretical and the experimental values is considered to be the results of the ineffective injection of signal power.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.241-241
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• 1999

본 연구는 상대론적 전자빔(300kV, 20KA, 60ns)과 펄스플라즈마의 발생 및 전파특성에 관한 것으로 세부 내용은 다음과 같다. Sub-Torr로 유지되는 다이오드에서 상대론적 전자빔의 발생이 이루어질 때 전자빔의 펄스너비 및 전류 상승시간을 다이오드 압력을 변인으로 하여 연구하였다. 펄스너비와 압력과의 관계식을 실험적으로 유도하였으며 다이오드 내에서 전자빔과 중성기체와의 충돌에 의한 기체이온화 모델로 설명하였다. 또한 Sub-Torr 도파관에서 상대론적 전자빔의 수송 특성을 연구하였으며 전자빔의 propagation window와 고압에서의 수송효율의 저하 원인을 밝혔다. 그리고 이 영역에서 매우 짧은 펄스 플라즈마의 형태로 형성되는 빔 유도 플라즈마채널의 이온밀도 및 conductivity를 진단하는 새로운 실험적 방법을 확립하였다. 한편 빔 수송효율 증대를 위한 한 방법으로 진공영역에서 지역화된 중성기체를 빔 선두부분에 위치시켜 지역적인 공간전하 중성화를 꾀하는 기법도 시험되었다. 마지막으로 중 출력(1kV, 10kA, 1ms) 규모의 자기플라즈마 동력학 장치를 제작하여 펄스 플라즈마를 발생시키고 그 특성을 조사하였다. 제작된 자기플라즈마 동력학 장치는 현재 기초과학 지원 연구소의 "한빛" 장치에 부착되어 초기 플라즈마 발생용으로 활용되고 있다.로 활용되고 있다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.30 no.5
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• pp.193-196
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• 2019

The design and control of thermal flow is important for the operation of high-power laser diodes (LDs). It is necessary to analyze and improve the thermal bottleneck near the active layer of an LD. As the error in prediction of the thermal resistance of an LD is large, typically due to the hyperbolic increase and saturation to linear increase of the thermal resistance as a function of thickness, it is helpful to use a simple, modified divergence model for the improvement and optimization of thermal resistance. The characteristics of LDs are described quite well, in that the values for simulated thermal resistance curves and the thermal cross section followed are almost the same as the values from the model function. Also, the thermal-cross-section curve obtained by differentiating the thermal resistance is good for identifying thermal bottlenecks intuitively, and is also fitted quite well by the model proposed for both a typical LD structure and an improved LD with thin capping and high thermal conductivity.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.2
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• pp.485-490
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• 2010

We propose the equivalent circuit model including all parasitic components in input gate of sense amplifier of DDI DRAM with butting contact structure. We analysed the effect of parasitic schottky diode by using the proposed model in the operation of sense amplifier. The cause of single side fail and the temperature dependence of fail rate in DDI DRAM are due to creation of the parasitic schottky diode in input gate of sense amplifier. The parasitic schottky diode cause the voltage drop in input gate, and result in decreasing noise margin of sense amplifier. therefore single side fail rate increase.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.46 no.4
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• pp.8-15
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• 2009

In this paper, we are indicated CMOS Image sensor circuit SPICE analysis for the Photo Diode and pixel Modeling. We get a characteristic of the photoelectric current using a device simulator Medici and develop the Photodiode model for applying a SPICE simulation. For verifying the result, We compared the result of SPICE simulation with the result of mixed mode simulation about the testing circuit structure consisted photodiode and NMOS.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.4
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• pp.718-723
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• 2006

Optical module plays an important role in the construction of high speed communication network. Laser diode is a component of optical module, and its characteristics are dependent of temperature, so many researches are reported. In this paper, we proposed the electrical equivalent circuit of PBH-LD based on the rate equations. And, the two leakage paths exit outside the active region. One path is converted pn-diode and the other path is converted two transistors using npn-Tr and pnp-Tr. In order to reduce the leakage currents, we observed the dependence of carrier concentrations of current blocking layers using PSPICE simulator.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.27 no.6
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• pp.218-222
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• 2016

The thermal characteristics of a laser diode TO package has been analyzed using a commercial computational fluid dynamics (CFD) tool, and the thermal bypass structure was optimized. Comparison of device temperature and the estimated thermal resistance of the resultant structure showed that the bypass structure relieved the thermal bottleneck, and improved the thermal characteristics quite efficiently.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.06a
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• pp.899-902
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• 1999

본 논문에서는 다수 반송자에 의해 일어나는 산란현상을 고려한 반송자-반송자 산란(CCS) 이동도 모델을 구현하였다. 구현된 CCS 이동도 모델을 검증하기 위해 N/sup ＋/P 접합 다이오드에 대해 모의실험 한 후 MEDICI와 비교한 결과 장벽전위인 0.9〔V〕 미만과 이상에서 각각 2%와 6% 정도의 상대오차를 보였다. BJT의 콜렉터에 30〔V〕를 인가한 후 베이스 전압을 0.8〔V〕까지 증가시켜 모의실험 한 결과 베이스 전압베이스 전류 및 베이스 전압-컬렉터 전류 특성은 각각 4.41%, 6.10%의 최대 상대오차를 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.2
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• pp.7-12
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• 2007

A SPICE-based 3-dimensional circuit model of LED(Light-Emitting Diode) was developed for the design optimization and analysis of high-brightness LEDs. An LED is represented as an array of pixel LEDs with small preassigned areas, and each of the pixel LEDs is composed of circuit networks representing the thin-film layers(n-metal, n- and p-type semiconductor layers, and p-metal), ohmic contacts, and pn-junctions. Each of the thin-film layers and contact resistances is modeled by a resistance network, and the pn-junction is modeled by a conventional pn-junction diode. It has been found that the simulation results using the model and the corresponding parameters precisely fit the measured LED characteristics.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.297-297
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• 2011

일반적으로 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 대역인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핌용 광원, 의료 분야 등 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 808 nm 대역의 레이저 다이오드 제작에는 현재 InGaAsP/InGaP/GaAs 및 InGaAlAs/GaAs 양자우물을 이용하여 제작되고 있으나 양자우물과 이를 둘러싸는 장벽물질간의 band-offset이 적어 효율적인 고출력 레이저 다이오드의 제작에 다소 어려움이 있기 때문에 강한 캐리어 구속 효과를 지니는 양자점 혹은 양자대쉬 구조를 사용하는 것이 고출력 레이저 다이오드를 제작할 수 있는 한 방법이다. 실험에 사용된 InP/InGaP 양자구조는 Riber사의 compact21 MBE 장치를 사용하여 성장하였으며 GaAs기판을 620-630도에서 가열하여 표면의 산화층을 제거하고 580도에서 약 100 nm 두께의 GaAs 버퍼층 및 50 nm 두께의 InGaP층을 성장하였다. 양자 구조는 MEE (migration enhanced epitaxy) 방식으로 성장되었는데, 이는 InP/InGaP 의 lattice mismatch율이 작아 양자 구조 형성이 어렵기 때문에 InP/InGaP 양자 구조 성장에 적합하다고 생각하였으며, Indium 2초, growth interuption time 10초, phosphorous 2초 그리고 growth interuption time 10초를 하나의 시퀀스로 보고, 그 시퀀스를 반복하여 양자 구조를 성장하였다. 본 실험에 사용된 P 소스는 Riber사의 KPC-250 P-valved cracker모델을 사용하였으며 InP의 성장률은 0.985${\AA}/s$이다. InP/InGaP 양자구조 성장 중에, 성장 온도, 시퀀스 수의 변화 등 다양한 조건을 변화 시켜 샘플을 성장시켰고, 양자 구조 성장을 확인하기 위하여 AFM 및 SEM을 통해 구조적 분석을 하였으며 PL 측정을 통해 광학적 분석을 진행하였다.