• 제목/요약/키워드: 다이오드

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새로운 고전압 대전력용 24펄스 다이오드 정류기 시스템 (A New 24-Pulse Diode Rectifier for High Voltage and High Power Application)

  • 최세완;김기용
    • 전력전자학회논문지
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    • 제4권3호
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    • pp.304-309
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    • 1999
  • 본 논문에서는 새로운 24펄스 다이오드 정류기 시스템을 제안한다. 제안하는 다이오드 정류기 시스템은 기존의 직렬형 12펄스 다이오드 정류기에 수동의 보조회로를 추가함으로서 구성되어지고, 입력전류는 제 22차까지의 고조파가 제거되어 거의 정현파에 가까운 전류 파형을 얻는다. 또한, 출력 전압은 n=24k, k=1,2,3... 의 고조파 성분을 갖는 24펄스 특성를 나타낸다. 더욱이, 이 보조회로의 용량은 출력용량에 비하여 매우 작으며, 능동 스위칭소자를 사용하지 않으므로 외란에 강하고 구현이 간단하다. 따라서, 본 방식은 중·대용량급의 고전압 비제어(uncontrolled) 직류전원이 필요한 인버터나 무정전 전원장치등의 앞단에서 입력고조파의 저감에 경제적이고 효율적이다. 220V, 3KVA 정류기 시스템의 실험을 통하여 제안한 시스템의 타당성을 검증하였다.

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PVK:Ir(ppy)$_3$ 발광부를 갖는 고분자 인광 발광다이오드의 특성평가 (Properties of the Phosphorous Polymer Light Emitting Diodes with PVK:Ir(ppy)$_3$ Emission layer)

  • 백승준;공수철;이호섭;장성규;장호정
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2010년도 춘계학술발표논문집 1부
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    • pp.363-365
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    • 2010
  • 고분자 발광다이오드(polymer light emitting diode, PLED)는 초박막화, 초경량화가 가능하며 간단한 용액공정 으로 향후 휨성(flexible) 디스플레이로의 응용이 가능할 것으로 기대되고 있다. 본 연구에서는 녹색 고분자 유기 발광다이오드를 제작하고, 효율을 향상 시키고자 이중 발광층을 두어 전기 광학적 특성을 평가하였다. ITO/Glass기판 위에 정공주입층으로 PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedio xythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 발광물질로는 형광 발광물질인 PVK(poly-vinylcarbazole)와 인광 발광 물질인 Ir(ppy)$_3$[tris(2-phenylpyridine) iridium(III)]를 각각 host와 dopant로 사용하였다. 정공 차단층 및 전자 수송층 두 개의 역할로 사용 가능한 TPBI(1,3,5-tris(2-N-phenylbenzimidazolyl) benzene)를 진공 열증착법으로 막을 형성하였다. 전자주입층으로 LiF(lithium flouride)와 음극으로 Al(aluminum)을 증착하여 최종적으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(ppy)$_3$/TPBI/LiF/Al 구조를 갖는 녹색 형광:인광 혼합 유기 발광 다이오드를 제작하였다.

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포토 다이오드 조정방식을 이용한 광 픽업용 저가 홀로그램 모듈 (Low-Cost Hologram Module for Optical Pickup by Adjusting Photodiode Package)

  • 정호섭;경천수
    • 한국광학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.345-353
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    • 2005
  • 포토 다이오드(photodiode) 조정 방식을 이용해서, 비전 시스템을 장착한 고가의 정밀 자동 조립조정 장비 없이 홀로그램 픽업 모듈을 제작하는 새로운 방법을 제안하였다. 저가격화를 위해서 리드 프레임형의 반도체 레이저와 COB(Chip on Board)형의 포토 다이오드를 사용했고, 초점 에러 신호(focus error, FES) 검출방법은 스팟 사이즈 검출법(spot size detection, SSD), 트랙 에러 신호(tracking error, TES) 검출방법은 삼빔법(3 beam method)을 이용했다. 이를 만족하는 픽업 홀로그램 모듈 광학계를 설계하고, 조립조정 프로세스 수립 및 시스템을 제작하였으며, 조립된 홀로그램 모듈을 이용하여 CD에서 데이터를 검출하는 실험을 통해 제안된 포토 다이오드 조정방식의 유용함을 입증하였다.

열 우회 구조를 적용한 GaN 레이저 다이오드 패키지의 열특성 분석 (Thermal Characteristics of a Heat Sink with Bypass Structure for GaN-based Laser Diode)

  • 지병관;이승걸;박세근;오범환
    • 한국광학회지
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    • 제27권6호
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    • pp.218-222
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    • 2016
  • 레이저 다이오드 TO 패키지 내부의 주요 부분과 히트싱크 구조의 열전달 특성을 전산모사를 통해 분석하고, 개선구조의 효율적 적용방안을 제안하였다. 열 병목 현상을 개선하기 위해, 레이저 다이오드 상부에 열 우회를 도모할 수 있는 방열구조물을 설치하는 것을 제안하였고, 열저항 단순모델 기대치와 비교하여 그 우회 효율 개선 정도를 더욱 향상시키는 적용 범위를 파악하였다. 열 병목을 감안하여 방열 도움 구조물을 적절히 추가함에 따라, 통상적인 기대 수준보다 더욱 향상된 열 우회 효율을 얻을 수 있었음을 보고한다.

발광다이오드 색상별 클로렐라 배양 특성 연구 (Study for Cultivation of Chlorella sp. FC-21 under Different Colors of Light Emitting Diodes (LEDs))

  • 이태윤
    • 한국지반환경공학회 논문집
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    • 제12권12호
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    • pp.31-35
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    • 2011
  • 본 연구는 담수미세조류의 일종인 클로렐라를 발광다이오드를 이용하여 효율적으로 배양하기 위한 조건을 찾기 위해 수행되었다. 클로렐라 배양에 최적인 파장을 찾기 위해 청색, 적색, 백색, 그리고 혼합광을 클로렐라가 포함된 반응기에 각각 조사하여 성장속도 및 셀농도를 측정하였다. 적색파장이 클로렐라의 성장에 가장 효율적이었으며, 광량이 증가할수록 성장속도 및 셀농도도 광량에 비례하여 가장 많이 증가하였다. 본 연구를 통해 클로렐라를 효과적으로 배양하기 위해서는 적색파장의 발광다이오드를 광원으로 사용하는 것이 효과적임을 알 수 있었다.

이중 방열 구조를 갖는 GaAs 건 다이오드 제작 (Fabrication of GaAs Gunn Diodes With A Double Heat Sink)

  • 김미라;이진구;채연식;임현준;최재현;김완주
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권9호
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    • pp.1-6
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    • 2009
  • 본 논문에서는 음극 및 양극으로 동시에 열 방출을 수행할 수 있는 이중 방열 구조의 Gunn 다이오드를 제작하고 음극 방열 구조를 갖는 Gunn 다이오드와 그 특성 차이를 비교하였다. 제작된 다이오드의 DC 특성 측정 결과, 단일 방열 구조의 경우에는 3 V의 문턱전압과 744 mA의 최대 전류 및 4.8 V의 항복 전압 특성을 나타내었고, 이중 방열 구조 다이오드는 2.5 V의 문턱전압, 778 mA의 최대 전류 및 5 V 이상의 항복전압 특성을 나타내었다.

전자 조사된 $p^+-n^-$ 접합 다이오드의 결함 특성과 전기적 성질 (The defect nature and electrical properties of the electron irradiated $p^+-n^-$ junction diode)

  • 엄태종;강승모;김현우;조중열;김계령;이종무
    • 한국진공학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.14-21
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    • 2004
  • 오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.

PIN 다이오드를 이용한 정삼각형 마이크로스트립 안테나의 동작 주파수 변환 (Switchable Frequency of an Equilateral Triangular Microstrip Antenna with PIN Diodes)

  • 김보연;성영제;김영식
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권11호
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    • pp.1090-1099
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    • 2004
  • 본 논문에서는 PIN 다이오드의 on/off특성을 이용해 공진 주파수가 변하는 정삼각형 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. PIN 다이오드가 off 상태에서는 T 형태 스퍼라인(Spur-line)의 영향으로 스퍼라인 주위로 전류가 돌아서 흐르기 때문에 안테나의 공진 주파수가 1.22 GHz를 보였으나, PIN 다이오드가 on상태일 때는 T형의 스퍼라인이 I 형태 슬롯라인(Slot-line)으로 바뀌고, 이 I 형태의 슬롯라인에 의해 전류가 영향을 덜 받아서 안테나의 공진 주파수가 1.82 GHz를 나타내었고, 이는 일반적인 정삼각형 마이크로스트져 안테나와 공진 주파수와 차이가 거의 없었다. 제안한 안테나는 PIN다이오드가 on, off상태에서 모두 교차 편파가 -20 dB미만의 방사패턴을 가진 선형 편파 특성을 나타내었다.

다이오드 레이저를 이용한 SM45C의 표면경화 특성에 관한 연구 (A study on the hard surfacing Characteristics of SM45C by using Diode laser)

  • 임병철;이홍섭;박상흡
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제16권3호
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    • pp.1620-1625
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    • 2015
  • 본 연구에서는 산업현장에서 각종 기어나, 축, 체인, 롤러, 금형, 자동차강판 등으로 널리 쓰여 지는 기계구조용 탄소강인 SM45C를 실험소재로 사용하였다. 실험에 사용되는 시험편 표면에 표면경화를 수행하기 위하여 #200 ~ #1500의 순서대로 미세연마 후 거친연마의 연마가공을 실시하였으며, 다이오드 레이저의 표면경화 열처리 후에 자기냉각효과를 고려하여 $100{\times}50{\times}10$의 판재로 시험편을 제작하여 실험하였다. 소재 표면에 다이오드 레이저를 이용하여 국소부위에 표면경화 열처리를 수행하였다. 이때 다이오드 레이저의 출력과 이송속도를 공정조건으로 하여, 미세경도시험, 미세조직시험, 전자 주사 현미경(SEM), 입열량을 분석하였다. 분석 후에는 실험소재의 기계적 특성을 비교하여, 타 표면 경화법에 비해 다이오드 레이저를 이용하였을 때의 표면경화 열처리 신뢰성과 우수함 그리고 최적의 공정조건을 도출하였다. 열처리 후 경화부는 판상 마르텐사이트로 경화 되었으며. 경도값은 Hv729.5로 열처리 후 약 2.3배 이상 표면경도가 향상되있는 것을 확인하였다.

다이오드 클램프형 3-레벨 IGBT 인버터용 과전압 방지 스너버 (Overvoltage Snubber for a Diode-Clamped 3-level IGBT Inverter)

  • 정재헌;송웅협;노의철;김인동;김흥근;전태원;유동욱
    • 전력전자학회논문지
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    • 제14권6호
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    • pp.514-521
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    • 2009
  • 본 논문은 다이오드 클램프형 3-레벨 IGBT 인버터에 적용 가능한 새로운 방식의 과전압 방지 스너버에 관한 것이다. 일반적으로 전력변환장치는 스위칭 소자에 발생하는 과전압을 감소시키기 위해 스너버 회로를 포함하고 있다. 하지만 다이오드 클램프형 멀티레벨 인버터는 스위칭 소자가 직렬로 연결되어 있기 때문에 과전압 방지 스너버를 구성하기 힘든 문제점이 있다. 본 논문에서는 스텝-다운 DC-DC 컨버터에 적용 가능한 과전압 방지 스너버의 특성을 이용하여 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터에 과전압 방지 스너버를 구성하려 할 때 발생하는 문제점을 분석하고 분석 결과를 토대로 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터에 적용할 수 있는 새로운 구조의 스너버를 제안하였다. 제안한 방식에 대한 특성을 해석하였고, 실험을 통하여 효용성을 입증하였다.