• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.151-151
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• 2008

바이폴러 트랜지스터(이하 BJT)의 고온 콜렉터-베이스 역전압 수명시험을 실시하였고, 수영시험 전후의 특성평가를 통해 BJT의 고장모드를 분석하였다. 시험조건은 주위온도 $150^{\circ}C$에서 콜렉터-베이스 정격 역전압의 80%를 인가한 상태에서 실시하였으며, 시료수는 57개이고 최종 목표 시험시간은 2,000시간이다. 중간측정을 통해 BJT의 특성열화를 관찰하였으며, 1,500시간 경과 후 1개 시료에서 제품규격을 벗어나는 데이터가 측정되었다. 해당 시료를 분석한 결과 콜렉터-베이스 누설전류 및 전류이득($\beta$)이 증가하였고, 저주파에서의 junction capacitance 가 정상품 대비 크게 관찰되었다. 측정결과를 통해 누설전류 증가 및 이득이 증가한 원인을 추정하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.481-485
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• 2002

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 meltback 방법으로 제작된 PBH-LD에 대한 누설전류를 해석하였다. PBH-LD에서 활성층 이외의 p-n 다이오드와 p-n-p-n 전류차단층과 같은 누설경로에 따른 이들의 영향을 조사하였다. 이러한 누설전류의 영향을 알아보기 위해 누설 폭이 "0" 일 때와 누설 폭이 $W_{ι}$ 일 때를 비교하였다. 그 결과 누설 폭에 따른 임계전류는 누설 폭을 줄이거나, 고유저항 ($\rho$$_{ι}$$\rho$$_{a}$ )비를 증가시켜줌으로써 임계전류가 낮아짐을 확인하였다. 본 연구에서 제작된 LD의 경우 활성층의 폭 $W_{a}$ 가 약 1.4$\mu\textrm{m}$이고 누설 폭이 약 0.6$\mu\textrm{m}$로, 제작된 LD의 cavity length와 임계전류를 비교해 본 결과 고유저항비가 약 0.5일 때 누설 폭에 따른 계산된 임계전류값과 실제 제작된 PBH-LD의 임계전류값이 일치함을 확인하였다. 따라서, 제작된 PBH-LD의 p-InP 차단층의 도핑농도를 $10^{18}$ c $m_{-3}$ 에서 $10^{17}$ $cm^{-3}$으로 줄여 누설영역의 저항을 크게 함으로써 누설전류를 더 줄일 수 있으리라 생각된다.다.

• 정보학연구
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• 제7권2호
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• pp.69-76
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• 2004

본 논문은 여러 가지 환경조건하(염무, 안개, 비)에서 오손된 실키콘애자의 누설전류파형과 파형의 스펙트럼 분석 결과를 나타내었다. 200ms동안 누설전류의 크기가 더욱 커지면 커질수록, 60Hz에서의 스펙트럼의 크기도 커짐을 알 수 있었다. 만일 오손된 애자들이 고밀도의 염무에 접촉되면 낮은 스펙트럼을 갖은 누설전류파형이 계측되었고, 간헐적으로 높은 파형이 계측되었다. 누설전류자료 분석의 경우, 전기적인 활동은 염무 측정시 애자표면에 누적된 오손물질로 인한 일시적인 아크거동으로 특성지어진다. 이것은 애자표면을 따라 흐르는 누설전류에 대한 경로를 제공하게 된 것이다. 그것은 특별한 애자의 퍼포먼스 측정을 평가하기위하여 오손누적의 지표를 갖은 것으로서 중요한 것이다. 만일 표면 저항의 떨어짐이 크게 되면, 그때의 누설전류는 전력품질이 저하시킨 섬락을 중단시키는 공급된 전류이 점차로 증가되어진다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.3061-3062
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• 2005

고정밀급 저항 및 센서류를 사용할 때 정확한 전기저항의 측정이 요구되므로 누설전류 혹은 누설저항 효과는 중요한 측정오차로 나타난다. 그 누설효과를 측정하는 두 가지 방법들에 의한 측정결과와 여기서 제안하는 방법의 결과를 서로 비교하였다. 세 가비 방법 모두 비슷한 결과를 나타내었으나 제시한 방법의 결과가 조금 더 크게 나타났다. 그 원인은 누설경로가 생기는 부분들에 대한 해석의 차이와 수 pA 정도의 적은 누설전류로 인하여 시간적으로 보다 안정된 상태에서 측정이 되어야 한다는 점에서 비롯된다고 생각된다.

• 한국가스학회지
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• 제13권2호
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• pp.1-6
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• 2009

누설전류는 의도된 회로 이외의 경로로 흐르는 전류를 말하며, 일반적으로 도시철도의 급전 시스템은 레일을 부극선으로 사용하기 때문에 레일이 대지와 완벽하게 절연되어 있지 않다면 레일을 통해 흐르는 전류의 일부는 누설전류로 땅속을 흐르게 된다. 이때 토양을 통해 누설 전류가 유출되는 레일과 지하매설 금속구조물에서 전식이 발생하게 된다. 본 논문에서는 국내 도시철도 운행지역 인근 지하매설 금속구조물의 전식방지 현황을 설문조사를 통하여 조사하였다.

• 전기기술인
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• 통권378호
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• pp.36-37
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• 2014

2013. 6. 16(일) 06:15경, 경기도 남양주시 소재 ${\bigcirc}{\bigcirc}$식품 두부제조 공장에서 공장장인 재해자(남, 48세)가 혼자서 콩 분쇄기를 점검 조정 하던 중, 누설전류가 양손 간으로 흐르면서 감전 사망한 것으로 추정되는 재해임.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.718-723
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• 2006

초고속 정보통신망의 구축에 있어 광모듈은 중요한 부분을 차지하고 있다. 그 중에서 광원인 레이저 다이오드는 온도에 변화에 대해 성능이 크게 좌우되므로, 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문은 평면 매립형 레이저 다이오드를 비율 방정식에 의하여 전기적 등가회로로 변환하였다. 그리고, 누설 경로에 해당하는 활성층 바깥 영역을 다이오드와 두 개의 트랜지스터로 등가화한 후, 시뮬레이션을 통해 누설전류를 해석하였다. 시뮬레이션을 통해 누설전류를 줄이기 위한 전류차단층의 도핑농도를 조사하였다.

• 한국진공학회지
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• 제21권4호
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• pp.193-198
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• 2012

플라즈마화학기상증착 장치를 이용하여 플라즈마 폴리머와 다이아몬드상 탄소(diamond-like carbon, DLC) 박막을 합성하였다. 플라즈마 폴리머 박막 위에 패시베이션 층으로 DLC 박막을 두께에 따라 합성하였고, DLC/플라즈마 폴리머 박막의 구조적, 물리적, 전기적 특성들을 고찰하였다. 기존 플라즈마 폴리머는 누설 전류 특성이 좋고 낮은 유전상수 값을 가지고 있다. 그러나 실제 반도체 공정에 적용되기 위해서는 물리적 특성도 만족되어야 하기 때문에 플라즈마 폴리머 박막 위에 DLC 패시베이션을 적용하여 플라즈마 폴리머의 물리적, 전기적 특성들을 향상시키고자 하였다. DLC 박막의 두께가 증가함에 따라 플라즈마 폴리머의 경도와 탄성계수 값은 증가하였고, root-mean-square 표면거칠기 값은 감소하고 접촉각은 증가하였다. DLC 패시베이션 되어진 플라즈마 폴리머의 경우 패시베이션이 없는 폴리머보다 유전상수 값이 증가하였지만 전기적 누설전류 특성은 향상되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.150-159
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• 2021

본 논문에서는 충전 시 발생하는 누전차단기 Trip으로 충전 중단에 의한 전기자동차 사용자의 불편함을 방지하기 위한 것이다. 현장 사례연구로 충전기 고장(failure) 유형, 차종별 누설전류 측정실험, 누전차단기 동작 실험 시 여름철 충전기 내부 온도가 60 ℃이상까지 상승하여 누전차단기가 정격 감도 전류의 80%에서 Trip으로 충전 중단됨을 확인하였다. Joule Heating 모델링을 통하여 32A 전류를 초기 시간 t=0 (s)의 기준온도 30℃에서 통전하여 t=3000 (s)경과 후에는 누전차단기 충전부 주위에서 발열이 32.4℃까지 증가함을 시뮬레이션으로 확인하였으며, 통계 검증 tool을 활용하여 온도 및 시간(s) 요인이 발생 열량에 상관관계 0.97로 검증되었다. 본 논문의 연구 실험 결과는 충전기 기구 물 개발 시 충전케이스의 재질, 내부 배선의 배치, 유전 매질에 따른 Joule Heating 시뮬레이션 수행으로 여름철 충전기 내부 온도 상승에 의한 누전차단기 감도 전류 Trip을 방지할 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.1927-1934
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• 2016

본 논문에서는 일반적인 실리콘 기반 n-MOSFET(n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 절연 산화막 계면에서 방사선으로부터 유발되는 누설전류 경로를 차단하기 위하여 I형 게이트 n-MOSEFT 구조를 제안하였다. I형 게이트 n-MOSFET 구조는 상용 0.18um CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정에서 레이아웃 변형 기법을 이용하여 설계되었으며, ELT(Enclosed Layout Transistor)와 DGA(Dummy Gate-Assisted) n-MOSFET와 같은 레이아웃 변형 기법을 사용한 기존 내방사선 전자소자의 구조적 단점을 개선하였다. 따라서, 기존 구조와 비교하여 반도체 칩 제작에서 회로 설계의 확장성을 확보할 수 있다. 또한, 내방사선 특성 검증을 위하여 TCAD 3D(Technology Computer Aided Design 3-dimension) tool을 사용하여 모델링과 모의실험을 수행하였고, 그 결과 I형 게이트 n-MOSFET 구조의 내방사선 특성을 확인하였다.