In this paper, we have proposed a novel process using two-step electron beam lithography to fabricate 20 nm T-gates for high performance MODFETs. Two-step lithography reduces electron forward scattering by defining the foot on a thin (100 nm) bottom-layer of polymethyl methacrylate (PMMA) at the second step, the T-gate head having been developed at the first step. Adopting a low temperature development technique for the second step reduces the detrimental effect of head exposure on foot definition. We have shown that 20 nm T-gate can be patterned with this process.
본 연구에서는 새로운 개념의 초정밀 가공기술인 LIGA 기술(이하 X-선 가공기술이라 함)을 이용하여 정밀 격벽(barrier ribs) 성형용 Ni 금형을 제작하였다. 먼저 X-ray 투과도가 우수하며 내구성 및 기계적 강도가 뛰어난 새로운 재질의 graphite X-선 마스크를 제작하였으며 한정된 단위면적의 X-선 마스크를 이용하여 X-선 노광 면적을 최대화 할 수 있는 새로운 X-선 exposure 기술을 개발하였다. 제작된 barrier ribs 성형용 초정밀 금형의 전체 size는 170mm X 130mm이며 pitch 간격은 110/55${\mu}m$$\pm$ 0.7${\mu}m$ 이다.
현재 PCB (Printed circuit board) 산업은 디스플레이, 모바일 시장의 수요 증가로 인해 활성화 되면서 다앙한 분야로 확대 되어가고 있다. 전자기기의 직접화, 고속파, 사용 주파수 영역의 증가로 인해 수십 GHz 영역에서도 활용이 가능한 소재 및 기판의 필요성이 대두되어 지고 있어 이에 대응할 수 있는 소재 개발도 다양해지고 있다. 본 논문에서는 GHz 영역에서 인쇄회로기판의 회로형태가 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 이를위해 패턴도금법과 에칭법으로 회로를 형성하였다. 패턴도금법으로 형성된 시편은 무전해 구리도금 공정을 거친 후 감광성 필름을 이용하여 전해 도금방법을 패턴을 형성하여 회로를 구현하였고, 에칭 패턴 시편은 FR4를 이용하여 동박접합과 도금 공정 후 마스크 패턴을 사용하여 노광, 현상, 에칭 공정을 거쳐 회로를 구성하였다. GHz영역에서 Transmission Line 특성을 분석하였으며 구리 패턴과 절연체사이의 계면형태가 특성에 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다.
$SF_6$ 가스는 반도체 및 디스플레이 제조공정 중 건식식각 공정에서 널리 사용되는 가스이다. 하지만 $SF_6$ 가스는 대표적인 온실가스로서 지구 온난화에 큰 영향을 끼치기 때문에 반도체 및 디스플레이 공정에서 $SF_6$ 가스를 대체할 수 있는 가스의 연구가 필요한 상황이다. 그 후보군으로 떠오르고 있는 가스 중의 하나가 바로 $C_3F_6$ 가스이다. 이 가스를 이용하여 $Si_3N_4$ 박막을 건식식각 방법인 Reactive Ion Etching 공정을 수행하여 식각 특성에 관하여 연구하였으며, 흡착제 Zeolite 5A를 이용하여 식각공정 중 배출되는 가스 성분을 감소시켰다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하여 500 nm 두께의$Si_3N_4$ 박막을 증착하였으며, 노광 공정을 통해 패터닝을 한 후 Reactive Ion Etching 공정을 수행하였다. 그리고 Scanning Electron Microscope 장비를 이용하여 $Si_3N_4$ 박막의 식각된 단면과 식각율을 확인하였다. 또한 공정 후 흡착제 Zeolite 5A를 통과하기 전과 후에 배출되는 가스를 포집하여 Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry 장비를 이용하여 가스 성분을 측정 및 비교하였다.
반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photo-resist) 제거 공정으로서 기존의 황산기반 용액을 대체하는 고농도 오존 수 생성 기술에 대한 연구를 수행하였다. 세라믹 연면방전구조의 오존발생장치를 개발하여, 0.5[ℓ/min]의 산소 유량에서 최대 12[wt%]이상의 오존가스 농도를 얻었으며, 이를 고농도로 물과 혼합하기 위한 고효율 오존접촉장치를 개발하였다. 오존 수 생성 실험 결과, 오존가스 10[wt%]에서 80[ppm]이상의 오존 수 농도를 달성하였으며, 70[ppm]의 오존 수에서 PR 제거율 147[nm/min]의 양호한 결과를 얻었다.
본 논문은 현재 개인 휴대기기 및 대형 디스플레이 장비의 제어에서 폭넓게 사용되고 있는 터치스크린 패널 (TSP; Touch Screen Panel)의 정상 작동 유무를 확인하기 위한 micro bump 제작 기술에 관한 연구이다. 터치스크린 패널은 감압식, 정전식 등의 여러 가지 방식이 있으나 지금은 편리성에 의하여 정전식 방식이 주도하고 있다. 정전식의 경우 해당하는 좌표의 접촉에 따라 전기적 신호가 변화하게 되고, 이를 통하여 접촉 위치를 확인할 수 있으며 따라서 접촉 위치에 따른 전기 특성 검사가 필수적이다. 검사공정에서 TSP의 모델이 변경됨에 따라 새로운 micro bump를 제작이 및 검사 프로그램의 수정이 필수적이다. 본 논문에서는 새로운 micro bump 제작 시 mask를 사용하지 않아 보다 경제적이며 변화에 대응이 유연한 maskless lithography 시스템을 이용하여 micro bump 제작 가능성에 대하여 확인하였다. 이를 위하여 제작되는 bump의 pitch에 따른 전기장 간섭 시뮬레이션을 진행하였으며, maskless lithogrphy 공정을 적용하기 위한 패턴 이미지를 생성하였다. 이후 MEMS 기술에 해당하는 PR(Photo Resist) 패터닝 공정에서 노광(Lithography) 공정 및 현상(Developing) 공정을 통하여 PR 마스크를 제작한 후 electro-plating 공정을 통하여 micro bump를 제작하였다.
본 논문에서는 용액 공정을 이용한 고분자 절연층을 갖는 top-gate 구조의 펜타센 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)의 특성을 연구하였다. Top-gate 구조의 펜타센 TFT 제작에 앞서 유기 반도체인 펜타센의 결정성 성장을 돕기 위해서 가교된 PVP (cross-linked poly(4-vinylphenol))를 유리 기판 상에 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후, 노광 공정을 통해 니켈/은 구조를 갖는 채널 길이 $10{\mu}m$의 소오스, 드레인 전극을 형성하였다. 그리고 열 증착을 이용하여 60 nm 두께의 펜타센 층을 성막하였고, 고분자 절연체로서 PVA(polyvinyl alchol) 또는 가교된 PVA를 용액공정인 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후 열 증착으로 알루미늄 게이트 전극을 성막하였다. 이로써 제작된 소자들의 전기적 특성을 확인한 결과 가교된 PVA를 사용한 펜타센 TFT 보다 PVA를 게이트 절연체로 사용한 소자가 전기적 특성이 우수한 것으로 관찰되었다. 이는 PVA의 가교 공정에 의한 펜타센 박막의 성능 퇴화에 기인한 것으로 사료된다. 실험 결과 $0.9{\mu}m$ 두께의 PVA 게이트 절연막을 사용한 top-gate 구조의 펜타센 TFT의 전계 효과 이동도와 문턱전압, 그리고 전류 점멸비는 각각, 약 $3.9{\times}10^{-3}\;cm^2/Vs$, -11.5 V, $3{\times}10^5$으로써 본 연구에서 제안된 소자가 용액 공정형 top-gate 유기 TFT 소자로서 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있었다.
EUV 노광공정의 반사형 노광계 및 마스크에 사용되는 Mo/Si 다층박막 착탁 시 발생하는 각 층의 두께 변화와 상호확산 층 (inter-diffusion layer)이 생성될 경우에 대하여 이들이 다층박막 반사도에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았다. 본 연구그룹에서 개발한 다층박막 반사 시뮬레이션 프로그램을 사용하여 Mo/Si 40-period박막의 반사토플 계산한 결과, 각각의 period가 두께의 편챠(28%)를 갖는 경우, 모든 period가 같은 두께를 갖는 다층박막에 비해 최대반사도가 10.8% 감소가 되었으며 두 층간 물질 사이의 상호확산(interdiffustion) 층을 가정하였을 경우, 다층박막의 경우 그렇지 않은 경우에 비해 4.7%의 최대반사도가 감소가 예상되었다. 그리고 각 층의 적층에 따른 반사도의 변화를 시뮬레이션 프로그램을 통해 계산한 결과 반사도는 25층까지 계속 증가하며 26층부터 불규칙한 경향성을 가지며 증가와 감소를 반복함을 알 수 있었다.
Photo lithography process is very important technology to fabricate highly integrated micro patterns with high precision for semiconductor and display industries. Up to now, mask type lithography process has been generally used for this purpose; however, it is not efficient for small quantity and/or frequently changing products. Therefore, in order to obtain higher productivity and lower manufacturing cost, the mask type lithography process should be replaced. In this study, a maskless lithography system using the DMD(Digital Micromirror Device) is developed, and the exposure condition and optical properties are analyzed and simulated for a single beam case. From the proposed experimental conditions, required exposure experiments were preformed, and the results were investigated. As a results, 10${\mu}m$ spots can be generated at optimal focal length.
한국인쇄학회(회장 신종순)는 지난 11월 1일 충남 금산에 위치한 중부대학교에서 2002년도 추계 학술대회 및 창립 20주년 기념식을 개최했다. 제1발표장에서는 CTP. CTF 스캐너의 대응전략과 이해(마이크로큐닉스 정해성 부장), 러시아의 인쇄산업 현황(러시아 국립 모스크바 화상출판대학 알렉산더 총장), 디자인과 인쇄(우정디자인기획 정민교 실장), 잡지광고의 레이아웃요소와 제품 범주에 관한 연구(중부대학교 이광숙 교수)에 대한 발표와 질의시간을 가졌다. 제2발표장에서는 플렉소 제판공정에서의 노광 및 수세시간에 따른 판의 변화에 관한 연구(중부대학교 태종필), 탄산칼슘 함량에 따른 잉크의 구조 회복성 변화에 관한 연구(인천알림방 이규일), 안료 함량에 따른 잉크의 레올로지 성질의 변화(광명잉크 박정민), 오존처리에 의한 수용성 폐 잉크 색도 분해 연구(한국기계연구원 손영수), 후막인쇄물의 잉크층 두께와 스크린 인쇄조건에 관한 연구(한국기계연구원 임규진), 집약형(C1 Type) 플렉소 인쇄기 설계 기술(한국기계연구원 최찬호)에 대한 발표와 질의시간을 가졌다. 본지에서는 이날 학술발표회에서 발표된 'CTP. CTF 스캐너의 대응전략과 이해'와 자료로서 공개된 '러시아 내에서 디지털 인쇄의 적용분야 연구', 최근 한국인쇄학회지에 발표된 '21세기 인쇄 정보산업의 발전 전략과 연구'에 대한 자료를 요약, 정리했다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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