• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.307-308
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• 2008

Zinc oxide is a direct band gap wurtzite-type semiconductor with band gap energy of 3.37eV at room temperature. the n-type doped ZnO oxides, B doped ZnO (BZO) is widely studied in TCOs materials as it shows good electrical, optical, and luminescent properties. we focused on the fabrication of B doped ZnO films with glass substrate using the LSMCD at low temperature. And Novel boron-doped ZnO thin films were deposited and characterized from the structural, optical, electrical point of view. The structure, morphology, and optical properties of the films were studied as a function of by employing the XRD, SEM, Hall system and micro Raman system.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.97-98
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• 2006

High current behaviors of extended drain n-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor (EDNMOS) with double polarity source (DPS) for electrostatic discharge (ESD) protection are analyzed. Simulation based contour analyses reveal that combination of bipolar junction transistor operation and deep electron channeling induced by high electron injection gives rise to the second on-state. Therefore, the deep electron channel formation needs to be prevented in order to realize stable and robust ESD protection performance. Based on our analyses, general methodology to avoid the double snapback and to realize stable ESD protection is to be discussed.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2010년도 학술발표회
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• pp.817-821
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• 2010

댐 하류하천 정비사업을 계획함에 있어 사업의 투자우선순위 결정시 의사결정의 어려움에 직면할 수 있다. 본 연구는 이러한 어려움을 지원하고자 다기준의사결정기법 가운데 하나인 PROMETHEE를 활용하여 투자우선순위를 제시하였다. 댐 하류하천 19개에 대한 투자우선순위를 검토하기 위한 평가기준으로서 용수공급량 회복, 발전량 회복, 계획방류량 회복, 치수경제성 분석, 환경생태기능 개선, 잠재적 홍수피해도, 홍수방어능력 취약도를 고려하였고, PROMETHEE 시행 결과 평림댐 하류하천에 대한 정비사업이 가장 시급한 것으로 분석되었다. 본 연구에서 제시한 19개 댐 하류하천에 대한 투자우선순위 결과는 향후 댐 하류하천 정비사업 계획의 기초자료가 될 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.261-264
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• 2005

선진국들은 공모 사업을 통해 많은 블록 암호가 개발되었으나 국내에서 개발된 블록 암호들은 크게 주목 받지 못했다. 블록 암호 개발은 기본의 암호와 차별성, 안전성 그리고 여러 플랫폼에서의 효율성이 중시되는데 이러한 조건을 다 만족하는 것은 쉽지 않기 때문이다. 본 논문은 128bit 블록 단위에서 128, 196, 256bit 키를 사용하는 새로운 블록 암호 알고리즘을 제안한다. 기존의 블록 암호 알고리즘은 SPN(Substitution-Permutation Network)구조, Feistel Network구조 등인데 본 논문에서 제안한 블록 암호 알고리즘은 변형된 Feistel Network구조로 입력 값 전체에서 선택된 32bit 만 update된다. 이러한 구조적 특성은 기존은 블록 암호 알고리즘들과 큰 차별이 되고 있다. PKC블록 암호 알고리즘은 국제 표준 블록 암호 알고리즘인 AES와 국내 표준 블록 암호 알고리즘인 SEED와 수행 속도 면에서 동등하거나 많이 개선된 것을 보이고 있다. 이러한 특성을 이용하면 제한된 환경에서 수행해야 하는 스마트카드 와 같은 분야에 많이 활용 될 수 있을 것이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.1904-1913
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• 2014

스트림 암호의 동일한 키 재사용 금지와 무결성 보장이 안 되는 단점을 개선한 256비트 출력의 스트림 암호를 개발 했다. 개발한 스트림 암호는 Salsa20의 라운드 함수를 사용하여 8라운드 적용하고 5단계 파이프라인 구조의 하드웨어로 구현 했으며, WSN, DMB 등과 같은 응용에 적용하기 위해 실시간 처리와 빠른 성능을 보이며, 안전성도 만족하고 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.153-156
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• 2005

원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한 $Al_2O_3$의 건식식각 특성을 연구하였다. 전자 싸이클로트론 공진 (electron cyclotron resonance : ECR) 방식의 건식식각장치에서 source power, bias power, 압력 그리고 $Cl_2$ 가스를 변수로 하여 $Al_2O_3$의 식각속도와 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비를 측정하였다. bias power가 감소할수록 그리고 압력이 증가할수록 $Al_2O_3$의 식각속도는 감소하였고 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비는 증가하였다. 이 특성을 이용하여 TiN/$Al_2O_3$/Poly-Si 구조의 캐패시터와 Periphery 회로영역의 레지스터를 $Al_2O_3$를 식각 정지막으로 이용하여 구현하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.140-141
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• 2006

Background doping concentration (BDC) is proven to be a critical factor to affect the high current behavior of the extended drain NMOSFET (EDNMOS) devices. The EDNMOS device with low BDC suffers from strong snapback in the high current region, which results in poor electrostatic discharge (ESD) protection performance and high latchup risk. However, the strong snapback can be avoided in the EDNMOS device with high BDC. This implies that both the good ESD protection performance and the latchup immunity can be realized in terms of the EDNMOS by properly controlling its BDC.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.97-98
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• 2006

High current behaviors of the grounded gate extended drain N-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor (GG_EDNMOS) electro-static discharge (ESD) protection devices are analyzed. Simulation based contour analyses reveal that combination of BJT operation and deep electron channeling induced by high electron injection gives rise to the 2-nd on-state. Thus, the deep electron channel formation needs to be prevented in order to realize stable and robust ESD protection performance. Based on our analyses, general methodology to avoid the double snapback and to realize stable ESD protection is to be discussed.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2012년도 학술발표회
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• pp.674-677
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• 2012

본 연구에서는 기존 매립이나 지반보강재로 사용되던 소각재 용융슬래그를 고부가가치 수처리 여재로 활용하기 위하여 형광성 박테리아를 통한 Microtox 생물검정법으로 독성을 평가하였다. 소각재 용융슬래그의 독성평가 대조군으로는 기존의 수처리 여재인 입상활성탄(석탄계/야자계/목탄계), PP PE펠렛(Poly-Propylene Poly-Ethylene pallet), 표준여과사를 비교하였으며, 시료의 용출시험은 US EPA에서 제안한 TCLP 방법을 사용하였다. Microtox Acute Toxicity 평가 결과, 독성순위는 석탄계 입상 활성탄, 소각재 용융슬래그, 목탄계 입상활성탄, 야자계 입상활성탄, 표준여과사, PP PE 순으로 나타났으며, 실험에 사용된 모든 수처리 여재들은 급성독성을 고려하지 않는 무독성으로 나타났다. 따라서 소각재 용융슬래그가 수처리를 목적으로 수체에 편입시켜도 기존의 수처리 여재들과 비교할 때 수환경에 미치는 영향은 미미할 것으로 판단된다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2012년도 학술발표회
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• pp.800-800
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• 2012

수자원사업에 따른 수질개선편익은 사업으로 인해 저감되는 오염원의 양을 예측하고, 그에 따른 수질개선효과를 계량화한 값이며, 이는 곧 해당사업의 가치로써 정의된다. 이러한 수질개선편익을 산정하기 위한 방법에는 개인의 지불의사를 추정하여 가치를 추정하는 조건부가치측정법(CVM)과 해당 사업에 따른 효과를 기술적 방식으로 대체할 때 소요되는 비용을 시행사업의 가치로 평가하는 방식인 대체비용법을 들 수 있다. 현재 조건부가치측정법은 다양한 분야의 사업에 대한 가치추정법으로 널리 쓰이고 있으나, 해당사업의 가치에 대한 공학적이고 직관적인 해답을 줄 수 있는 대체비용법의 적용성은 아직까지 미미한 실정이다. 이에 본 연구는 수질개선편익을 중심으로 대체비용법의 분석절차와 적용성을 확인하고자 하였고, 이에 대한 사례연구로서 댐증고사업을 대상으로 하였다. 수질개선편익과 같이 환경적 질을 높이는 사업은 대상사업의 가치를 추정하는 데 많은 어려움이 있으며, 기존에 주로 사용된 조건부가치측정법과 더불어 대체비용법을 이용한 검토는 보다 객관적인 의사결정을 지원하는 데 도움을 줄 것으로 판단된다.