• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.11a
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• pp.145-146
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• 2016

일반적인 boost PFC 컨버터는 한 개의 스위칭 소자를 사용하고 구조가 간단하지만 높은 도통손실과 스위칭 손실 때문에 낮은 효율을 갖는다. bridgeless boost PFC 컨버터는 일반적인 boost PFC 에 비해 낮은 손실을 갖는 이점이 있다. 또한 컨버터의 동작 모드 중 CRM 방식은 낮은 스위칭 손실을 갖는 이 점이 있다. 본 논문에서는 이러한 CRM 모드로 동작하는 bridgeless boost PFC 컨버터를 해석하는 경우 기존의 방법으로 해석하여 구현하면 주파수가 커지는 영역에서 오차가 커지게 된다. 따라서 본 논문에서는 반도체 스위치의 기생 커패시터를 추가하여 해석하는 것을 제안하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.344-345
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• 2011

스마트 그리드 산업으로 인하여 신재생에너지의 활용이 중시되고 있는 시점에서 신재생에너지원을 더욱 효율적이고 안정적으로 사용하기 위해서는 에너지 저장장치의 필요성이 부각되고 있다. 신재생 에너지원을 사용하기 위한 부스트 컨버터와 충방전기를 설계시 일반적으로 시뮬레이션을 통해 설계를 하게 된다. 이때, 인덕터와 커패시터를 이상적인 소자라고 생각하고 시뮬레이션 하거나, 실제 하드웨어와 같이 인덕터와 커패시터에 기생하는 저항을 포함시켜 시뮬레이션을 하게 된다. 본 논문에서는 신재생 에너지원을 계통에 사용할 수 있도록 저전압 상태에서의 신재생 에너지원 출력전압을 승압시켜 인버터를 사용할 수 있도록 만들어 주는 부스트 컨버터의 인덕터를 이상적인 경우와 기생저항이 포함된 경우 각각의 조건하에서 충방전기와 연결하였을 경우 충방전기의 설계에 어떠한 영향을 주는지를 알기 위해 부스트 컨버터의 출력 임피던스 수식을 통해 분석한 MATLAB과 PSIM을 통해 시뮬레이션을 하여 증명하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2006.06a
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• pp.239-241
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• 2006

본 논문에서는 Liquid crystal display (LCD) Backlight module중에 Cold cathode fluorescent lamp (CCFL)를 포함한 인버터가 가지고 있는 기생 용량 측정 방법을 고안하였다. CCFL의 부성 저항 특성을 고려하여 램프의 정적 저항 성분을 일정하게 유지시키고 입력 전압 대 출력 전압의 비 중 최대 Gain을 갖는 주파수를 찾아내 기생 용량을 계산하는 Algorithm을 완성하였다. 시뮬레이션과 실험 결과를 통해 비교 검증함으로써 측정 방법의 유효성을 입증하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.16 no.5
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• pp.511-520
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• 2011

Nowadays, industry of smart grid is important for practical use of the renewable energy. In this situation, it is important to use the energy storage to make more stable and efficient renewable energy sources. The power conditioning systems consist in a boost converter which makes renewable energy source connected with the grid-connected inverter and the charger/discharger which takes the energy transfer between the boost converter and an energy storage. The effects on the controller design of each converter must be investigated to avoid the instability of the entire system. small-signal modelling of the boost converter and charger/discharger have been done and a controller design example is also presented. In this paper, effects on the controller design of the boost converter and the charger/discharger are investigated according to the existence of the parasitic resistance of the boost converter. In conclusion, the parasitic resistance of the inductor should be considered from the aspect of both the frequency domain analysis and time domain simulation using both MATLAB and PSIM.

• Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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• v.21 no.1
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• pp.1-6
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• 2016

In this paper, we introduce the characteristics of a vertical PNP transistor that improves start current by decreasing quiescent current with suppressing the parasitic transistor. In order to suppress the parasitic effect, we designed a vertical PNP transistor which suppresses parasitic PNP transistor by using the "DN+ links" without changing the circuit and made a LDO regulator using a standard IC processor. HFE of the fabricated parasitic PNP transistor decreased from conventional 18 to 0.9. Starting current of the LDO regulator made of the vertical PNP transistor using the improved "DN+ linked" structure is reduced from the conventional starting current of 90mA to 32mA. As the result, we developed a LDO regulator which consumes lower power in the standby state.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.129-131
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• 2018

본 논문은 3레벨 태양광 PCS에서 누설전류의 분석 및 저감기법을 제안하였으며 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다. 태양전지 어레이의 기계적인 구조와 설치로 인해 태양광 모듈과 접지 간에 존재하는 기생 커패시터 성분을 고려하여 공통모드 전압관점의 등가모델을 통해 누설전류 발생 원인을 분석하였다. 100nF/kW 기준으로 1uF 기생 커패시터를 고려한 10kW급 3레벨 태양광 PCS 시뮬레이션 및 실험을 수행하였으며, 누설전류의 크기가 이상적인 SVPWM에서의 누설전류기준 27%로 감소하는 모습을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.459-460
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• 2015

본 논문에서는 2개의 MOSFET으로 구성된 Half-bridge 회로를 구동할 때, 각 MOSFET의 기생성분을 고려하여 게이트 신호를 분석한다. 특히 MOSFET 구동시 게이트 전압에 따른 구간별 등가회로를 구성, 각 구간에서 다른 MOSFET에 상호적으로 미치는 영향을 수식적으로 분석하고, 시뮬레이션을 통해 스위칭 특성을 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.69-70
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• 2015

본 논문에서는 GaN HEMT를 이용하여 동기 벅 컨버터 구동 시 기생 커패시턴스, 기생 인덕턴스 등에 의해 발생하는 노이즈를 분석한다. 노이즈 분석을 통해, dv/dt의 크기에 따라 발생하는 전류가 각 게이트-소스 단 전압 노이즈의 원인이 되는 것을 확인하였다. 노이즈의 원인인 dv/dt를 줄이기 위한 외부 회로를 제안하여 GaN HEMT의 안정적인 동작을 실험을 통해 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.386-387
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• 2019

본 논문에서는 단상 컨버터/3상 인버터 시스템에서 공통모드에 의한 누설전류를 분석하였다. 컨버터/인버터 시스템의 공통모드 전압은 시스템에 존재하는 기생 임피던스를 충방전함으로써 수 A의 누설전류를 발생시킨다. 이에 본 논문에서는 단상 컨버터/3상 인버터 시스템에서 컨버터 입력 측 변압기와 전동기의 기생 임피던스를 고려하여 누설전류를 분석하였으며, 누설전류를 감소하기 위해 공통모드 전압 저감하는 방법을 제안한다. 모의실험을 통하여 제안된 기법에 의한 누설전류의 저감효과를 확인하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.31 no.3
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• pp.99-104
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• 2024

With the advancement of power electronics technology and the increasing demand for high-efficiency power semiconductors, silicon carbide (SiC) devices have gained attention as an alternative to overcome the limitations of traditional silicon (Si) semiconductors. SiC devices enable excellent switching efficiency due to their high switching speed. However, parasitic inductance within the power module can cause voltage oscillations and overshoot phenomena, potentially leading to issues with electrical reliability and efficiency. To address these challenges, two approaches were proposed and validated. The first approach involved applying an RC snubber circuit to mitigate the effects of parasitic inductance, thereby improving electrical stability. The second approach focused on optimizing the lead-frame design to reduce parasitic inductance. Both methods were verified through simulations and experiments, demonstrating that the electrical reliability and efficiency of SiC power modules can be simultaneously improved.