Analysis of Switch Driving Gate Signal by Parasitic Component

스위치 구동 시 기생성분에 따른 게이트 신호 분석

  • Chae, Hun-Gyu (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Dong-Hee (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Min-Jung (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Park, Sang-Min (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Byoung-Kuk (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 채훈규 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 김동희 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 김민중 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 박상민 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 이병국 (성균관대학교 정보통신대학)
  • Published : 2015.07.07

Abstract

본 논문에서는 2개의 MOSFET으로 구성된 Half-bridge 회로를 구동할 때, 각 MOSFET의 기생성분을 고려하여 게이트 신호를 분석한다. 특히 MOSFET 구동시 게이트 전압에 따른 구간별 등가회로를 구성, 각 구간에서 다른 MOSFET에 상호적으로 미치는 영향을 수식적으로 분석하고, 시뮬레이션을 통해 스위칭 특성을 검증한다.

Keywords