• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.1
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• pp.197-204
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• 2010

This paper proposes a new body-effect compensated switch configuration for low voltage and low distortion switched-capacitor (SC) applications. The proposed circuit allows rail-to-rail switching operation for low voltage SC circuits and has better total harmonic distortion than the conventional bootstrapped circuit by 19 dB. A 2-1 cascaded sigma-delta modulator is provided for performing the high-resolution analog-to-digital conversion on audio codec in a communication transceiver. An experimental prototype for a single-stage folded-cascode operational amplifier (opamp) and a 2-1 cascaded sigma-delta modulator has been implemented m a 0.25 micron double-poly, triple-metal standard CMOS process with 2.7 V of supply voltage. The 1% settling time of the opamp is measured to be 560 ns with load capacitance of 16 pF. The experimental testing of the sigma-delta modulator with bit-stream inspection and analog spectrum analyzing plot is performed. The die size is $1.9{\times}1.5\;mm$.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.4
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• pp.52-57
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• 1984

The electrical properties and their instability of InP tunnel MIS diodes fabricated by inserting the chemically grown oxide between metal and n-lnP (100) surface have been in-vestigated. The structure of the gown oxide was the mixture of In2O3 and P2O5, as was other low-temperature grown oxide, and its thickness was estimated to be the order of 200 $A^{\circ}$. The forward and reverse currents increased even with slight heat treatment of diodes in vacuum, and they were reduced when the diodes were exposed to humid ambient. It was discussed that the observed instability in I-V characteristics is due to a change of the physicochemical properties of the oxide film and of the interface states between oxide and InP according to the absorption of H2O.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.20 no.11
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• pp.3474-3490
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• 1996

A metal matrix composites(MMCs) for A16061 reinforced with silicon carbide particles is fabricated by melt-stirring method. The primary products of MMCs billets are prepared by volume fractions 5 vol% to 20 vol% and particle size $13\mu m$ to $22\mu m$.This paper will be made to examine the microstructure and mechanical properties of fabricated $SiC_p$/Al 6061 composite by melt-stirring and squeeze casting method. The MMC billets is extruded at $500^{\circ}C$ under the constant extrusion velocity $V_e$=2mm/min using curved shape die. Extrusion force, particle rearrangement, micro structure and mechanical properties of extruded composites will be investigated. The mechanical properties of primary billets manufactured by melt-stirring and squeeze casting method will be compared with extrusion specimen. The effect of volume fraction and size of the reinforcements will be studied. The increase in uniformity of particle dispersion is the major reason for an improvement in reliability due to hot extrusion with optimal shape die. Experimental Young's modulus and 0.2% offset yield strength for the extruded MMCs will be compared with theretical values calculated by the Eshelby method. A method will be proposed for the prediction of Young's modulus and yield strength in $SiC_p$ reinforced MMCs.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.4
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• pp.41-46
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• 1996

The Pd/Pt gate MISFET type hydrogen sensors, for detecting dissolved hydrogen gas in the transformer oil, were fabricated and their characteristics were investigated. These sensors including diffused resister heater and temperature monitoring diode were fabricated on the same chip by a conventional silicon process technique. The differential pair plays a role in minimizing the intrinsic voltage drift of the MISFET. To avoid the drift of the sensors induced by the hydrogen, the gate insulators of both FETs were constructed with double layers of silicon dioxide and silicon nitride. In order to eliminate the blister formation on the surface of the hydrogen sensing gate metal, Pt and Pd double metal layers were deposited on the gate insulator. The hydrogen response of the Pd/Pt gate MISFET suggests that the proposed sensor can detect the dissolved hydrogen in transformer oil with 40mV/10ppm of sensitivity and 0.14mV/day of stability.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.62-62
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• 1998

다이아몬드상 카본은 경도, 열전도 둥이 다이아몬드와 비슷하면서도 박막 성장이 쉬워 다른 재료의 표면보호용 코탱막으로 웅용되고 있다. 최근에 다이아몬드상 카본 박막의 이러한 특성은 전계방출 음극 소자가 이온 충돌, 온도 상승에 의해 마모되는 것을 방지 하는데도 용용되고 있다. 이러한 보호막 기능뿐만 다이아몬드상 카본 박막용 편평한 기 판에 성장시켜 평판 전계방출 음극으로 이용하는 것도 시도되고 었다. 본 연구에서는 이 온빔 스퍼트링 방법으로 다이아몬드상 카본 박막을 성장시켰다. 합성하기 전 챔버의 기 본 압력은 3.2 X 10-7 Torr이었다. 기판으로는 타이타니움 평판, n-타엽의 실리콘 평판, I ITO가 코탱된 유리 평판올 사용하였으며, 중착 전에 기판올 400 V, 15 mA의 알곤 이온 으로 1분간 스퍼트링하여 불순물 막을 제거하였다. 박막 합성시에는 챔버 압력이 3.5 x 1 10-4 To$\pi$가 될 때까지 알곤을 채우고 알곤빔 전류는 30 mA에 고정시키고 빔 에너지를 각각 750, 1000, 1250 eV로 바꾸면서 타켓올 스퍼트랭하였다. 질소를 다이아몬드상 카본 박막애 첨가하면 n-타업 불순물 주입 효과가 있게된다. 질소가 첨가된 박막을 만들기 위 해서는 별도의 이온 총올 사용하여 탄소 타켓 스퍼트령과 동시에 기판에 질소 이온을 입 사시켰다. 만들어진 시료로부터 3 X 10-7 To$\pi$ 진공에서 전류-전압 특성올 조사하였다. 양극으로는 면평한 금속판올 음극 위 150 11m 높이에 셜치하였다. 박막의 물성은 전자 현미경, 오제 전자분광 둥으로 조사하였다. 다이아몬드상 카본 박막을 다른 종류의 편명 한 기판에 합성 조건올 바꾸면서 성장시켜 박악의 특성파 기판이 전계방출에 미치는 영 향을 조사하였다. 합성된 다이아몬드상 카본필름의 전자방출 특성은 기판의 종류와 필름 의 구조 및 필름의 두께에 따라 크게 변화하였다. 이러한 전자방출 거동으로부터 전계 방출 메커니즘을 제시하고자 하였다. 또한, 다이아몬드상 카본 박막으로부터의 전계방출 은 전기장올 인가하는 방법에도 영향을 받는다. 따라서, 본 연구에서는 전기장올 순환 인 가하면서 전계방출 전후의 박막 특성 변화를 조사하여 전계방출 메커니즘올 연구하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.27 no.6
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• pp.659-663
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• 2016

The efficiency of a heterogeneous ruthenium zirconia catalyst ($Ru(OH)_x/ZrO_2$) was demonstrated to the selective oxidative transformation of alkenes or alkynes. The scissions of C-C double bonds to aldehydes and triple bonds to diketones or carboxylic acids were carried out with (diacetoxyiodo)benzene as an oxidant under dichloromethane (5 mL)/water (0.5 mL) solvent system at $30^{\circ}C$ for wide range of substrates. The $Ru(OH)_x/ZrO_2$composite showed higher catalytic activity and selectivity than other ruthenium-based homogeneous or heterogeneous catalysts for the scission reaction. The catalyst exhibited a high mechanical stability, and no leaching of the metal was observed during the reaction. These features ensured the reusability of the catalyst for several times for the oxidative cleavage of unsaturated hydrocarbons.

• Proceedings of the Korean Society for Bioinformatics Conference
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• 2006.02a
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• pp.116-123
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• 2006

생물체의 cDNA를 유리기판위에 고밀도로 첨착 시킨 유전자 칩과 정량적인 방법으로 개별 유전자 발현을 진단 가능한 Real- time PCR (실시간 고분자중합연쇄반응 기술) 기법은 첨단 의학분야와 신약개발 및 독성유전체 연구분야에 활발히 도입되고 있는 기술이다. 본 발표의 첫 번째 부분에서는 유전자칩 에서 얻어진 유전자 발현패턴분석에 기반한 바이오마커 선정 및 real time PCR에 의한 확증 관련 기술 과 유전자칩에서 얻어지는 수많은 데이터를 재정렬 및 다양한 분석기법과 display기술을 활용하여 광범위한 화학물질에 대한 독성효과 분석을 가능하게 해주며, 특정 독성물질에 대한 관련유전자 그룹 발견 및 독성영향에 따른 분류방법에 관한 결과를 발표할 것이다. 또한 바이오마커 활용의 하나로 박테리아세포 기반 바이오센서 제작및 세포칩 개발등에 대한 결과도 추가될 것이다. 두 번째 부분에서는 non-model organism(유전체정보가 확보되지 않은 생물체)인 송사리를 이용하여 새로운 2K 유전자칩을 개발하고, 여기서 각종 화학물질에 대하여 얻어진 수많은 유전자칩 분석 데이타를 활용하여 각각의 화학물질이 보여주는 독성효과를 매우 효과적이고 쉽게 이해할 수 있는 display기술을 개발, 적용함으로써 유전자칩 발현에 기반한 화학물질 독성 screening 및 specificity discrimination을 가능케 하는 예가 발표될 것이다. 이 연구에서 개발한 송사리 유전자칩은 간조직의 RNA를 직접 cDNA화 하는 방식을 취하고 있어 전체 송사리의 유전정보를 필요로 하지 않아 비용 및 효율에서 전체 송사리의 유전정보를 얻는 비용과 노력을 취하지 않고 간에서 발생하는 독성학적 영향 및 유전자의 발현정도를 정밀하고 효율적인 방법으로 얻어 낸다. 현재 2000여개의 cDNA유전자중 50%이상의 유전자가 17베타에스트라디올, 페놀, 노닐페놀, 비스페놀, 감마레이조사, 잔류약품중 이보프란, 다이클로펜악, 농약중의 파라???R, 돌연변이 유발물질 중의 이티비알, 금속류중의 카드뮴을 통해 발현양상과 특정 캐미칼별 발현 특이성이 조사되었고, 이들 유전자는 염기서열 분석을 통해 염기서열이 분석되었으며, 미국 NCBI의 유전자 은행과의 비교를 통해 일부유전자는 새로운 유전자로 밝혀지고 있다. 또한 이 발표에서는 소염진통제계열 의약품인 dichlofenac 이 송사리의 각종 조직에 미치는 독성영향을 Real-time PCR을 이용하여 대표적 스트레스 유전자의 발현에 미치는 영향에 대한 분석 예가 발표될 것이다.

• Polymer(Korea)
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• v.37 no.5
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• pp.563-570
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• 2013

Poly(vinyl pivalate) (PVPi) was bulk polymerized to make poly(vinyl alcohol) (PVA) microfibrils to apply for polymeric embolization coils replacing metalic coils. Then, syndiotactic PVA (s-PVA) microfibrils having number-average degree of polymerization of 1100 and s-diad content of 60.4% were prepared via saponification of the PVPi with no separate spinning process. To make s-PVA microfibrils with radiopacity, zirconium dioxide ($ZrO_2$) and barium sulfate ($BaSO_4$) were added into s-PVA microfibrils during saponification. The computed tomography (CT) value indicating radiopacity reached up to over 1000 when the amount of $ZrO_2$ and $BaSO_4$ were 12 and 6 wt%, respectively.

• Journal of IKEEE
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• v.24 no.1
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• pp.368-371
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• 2020

In this paper, we propose a linear tapered slot rectifying antenna for a portable UHF-band RFID system. Since the proposed rectifying antenna does not use a dielectric substrate, the planar antenna is implemented with a thin metal thickness. The rectifier circuit converts input RF power into output DC voltage using a voltage doubler circuit based on two anti-parallel schottky diodes. The rectifying antenna is integrated by the voltage doubler circuit into a linear tapered slot antenna. For conjugate impedance matching of the rectifying circuit and the linear tapered slot antenna, the source-pull method was utilized by adjusting the angle of the tapered slot and the length of the antenna feed line. The proposed antenna prototype has been verified with the electrical and radiation characteristics through RF-DC conversion and far-field radiation test in open space measurement environment. Finally, the proposed antenna is realized to 0.23-wavelength (75 mm) and 0.18-wavelength (60 mm) at 915 MHz center frequency.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.99-100
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• 2006

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.